4.Светодиод

U, В	I, мА
0	0
0,2	0,0065
0,4	0,01
0,7	0,03
0,9	0,08
0,95	0,11
0,97	0,16
1,02	0,6
1,04	0,8
1,1	2,5
1,15	3,75

Вывод: Сравнивая экспериментально полученные значения ВАХ с рассчитанным, мы видим различия в графиках. Это связано с тем, что в реальных диодах напряжение падает не только на ОПЗ, но и на слаболегированной области диода – базе: .

Сопротивление базы:

Кроме того, вследствие саморазогрева прибора (выделение мощности I∙U) растет температура, и меняются параметры p-n-перехода. При приложении большого обратного напряжения происходит пробой из-за лавинного увеличения количества носителей заряда в ОПЗ или из-за туннелирования электронов через ОПЗ.