7. Контрольні запитання

1. В чому полягає вплив ефекту нагромадження на роботу діода в імпульсному режимі?

2. Основні процеси, які відбуваються в діоді при його ввімкненні та вимиканні.

3. Вплив товщини бази на час розосередження t_р.

4. Роль ємності p-n переходу в процесах перемикання.

5. Яке призначення імпульсних діодів?

6. Пояснити залежність часу встановлення прямої напруги і часу відновлення зворотного опору від параметрів імпульсного режиму роботи діода.

7. Яким вимогам повинні відповідати діоди з високою швидкодією

Список рекомендованої літератури

1. Электронные приборы. Учебн. для вузов / В. Н. Дулин, Н. А. Аваев, В. П. Демин, Ю. Е. Наумов, А. З. Струков, Г. Г. Шишкин / Под ред. Г. Г. Шишкина – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 494 с. ISBN5-283-01472-Х. С.75 –82, 116 –121.

2. Батушев В.А. Электронные приборы. Учебн. для студ. вузов / В. А. Батушев. – М.: Высш. школа, 1980. – 383 с. С.76 –79.

3. Дулин В.М. Электронные приборы. Учебн. для студ. вузов / В. М. Дулин – М.: Энергия. 1977. – 424 с. С.245 –257, 266, 268 – 271.

4. Булычев А.Л. Электронные приборы. Учебн. для студ. вузов / А. Л. Булычев, П. М. Лямин, Е. С. Тулинов. – М.: Лайт ЛТД, 2000. – 416 с. С.58–62.

Лабораторна робота 4

ДОСЛІДЖЕННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ

ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА

1 . Мета і зміст роботи

Мета. Вивчити вольт-амперні характеристики транзистора МП40 для схем із спільною базою і спільним емітером. Навчитись визначати мало-сигнальні h-параметри за характеристиками в робочій точці.

Зміст. В роботі знімають ВАХ (вхідні, вихідні, зворотного зв’язку, прямої передачі) для схеми з спільною базою і спільним емітером. За характеристиками в робочій точці визначають h-параметри і на їх основі аналітично визначають параметри Т- та П-подібних схем заміщення транзистора.

2. Схеми вимірювань

Схема приведена на рис. 4.1 та передній панелі макета.

Рис.4.1. Схема дослідження ВАХ транзистора.

При положенні перемикача S1 в поз. 1 вимірюються характеристики транзистора в схемі із спільною базою, в поз. 2 – спільним емітером. Полярність джерел живлення вказана для випадку дослідження транзистора типу p-n-p.

Застереження: при роботі з транзистором забороняється розривати коло бази увімкненого транзистора, перевищувати допустимі значення струмів, напруг та потужності, яка розсіюється в колекторі.

3. Завдання

1. Встановити перемикач S1 в положення 1. Напруги на колекторі (вольтметр 6) і емітері (зовнішній вольтметр, який під’єднано до клем Х1, Х2) рівні нулю. Зняти сімейство вхідних характеристик =( ) для = 0; -5; -10 В. Струм змінювати від 0 до 5 мA.

2. Зняти сімейство вихідних характеристик =( ) для = 0; 1; 2; 5 мA. Напругу змінювати від 0 до -10В.

3. Зняти сімейство характеристик прямої передачі =( ) для = 0; -5; -10 В. Струм змінювати від 0 до 5 мA.

4. Зняти сімейство характеристик зворотного зв’язку =( ) для = 0; 1; 2; 5; 7 мA. Напругу змінювати від 0 до -10 В.

5. Встановити перемикач S1 в положення 2 для дослідження ВАХ транзистора в схемі зі спільним емітером. Зняти сімейство вхідних характеристик = ( ) для = 0; -5 В. Струм змінювати від 0 до значення, за якого струм колектора досягне = 5 мA.

6. Зняти сімейство вихідних характеристик =( ) для = 0; 50; 100 мкА. Напругу змінювати від 0 до –5 В.

7. Зняти сімейство характеристик прямої передачі =( ) для = 0; -5 В. Струм змінювати від 0 до значення, за якого струм колектора досягне = 5 мA.

8. Зняти сімейство характеристик зворотного зв’язку =( ) для = 0; 50; 100 мкА. Напругу змінювати в межах від 0 до –5 В.