Документ № 105 Из воспоминаний а.А. Захарова о строительстве Центра микроэлектроники в г. Зеленограде

2001 г.

"…Электронная промышленность во все времена "холодной войны" развивалась, и требования быстрой разработки и организации производства новых изделий возрастали. Минитстерство электронной промышленности и особенно электровакуумное производство находились на переднем крае военной техники.…В конце 50-х и начале 60-х годов создавалась необходимость организации широкомасштабных разработок и производства микроэлектронной техники. Возник вопрос о строительстве целого комплекса институтов и заводов - т.е. Центра микроэлектроники… Руководство министерства (Шокин) сумело убедить высшую власть о строительстве Центра микроэлектроники в … будущем Зеленограде. Я, как замминистра, ведущий целое направление техники спецмашиностроения, …предложил в первую очередь строить завод спецмашиностроения… Центр сыграл очень большую роль в развитии современной военной, да и гражданской техники, а также создании науки и производства микроэлектроники во многих городах страны".

Опубликовано: Электронная промышленность. Наука. Технологии. Изделия 2001, №1. С. 51.

Создание лазера

Документ № 106

Создатель твердотельного лазера Т. Мейман демонстрирует первый рабочий образец

Начало 1960-х гг.

Опубликовано: Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Перевод с английского под ред. члена-корреспондента Академии наук СССР

В.И. Сифорова. М.: Мир, 1980 (Electronics. Special Commemorative Isse. 1980. Vol. 53, No. 9 (587) A McGraw-Hill. P. 202.

Publication, McGraw-Hill Inc. New York, USA). P. 202.

Документ № 107

Полупроводниковый лазер Р. Холла

1962 г.

Опубликовано: Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Перевод с английского под ред. члена-корреспондента Академии наук СССР

В.И. Сифорова. М.: Мир, 1980 (Electronics. Special Commemorative Isse. 1980. Vol. 53, No. 9 (587) A McGraw-Hill

Publication, McGraw-Hill Inc. New York, USA). P. 154.

Документ № 108

Из воспоминаний академика РАН Ж.И. Алферова о разработке гетеролазера

2001 г.

"… Идеи использования гетероструктур возникли в начале 60-х годов у нас, в Физтехе, в моей группе. Мы показали, что для большинства сложных полупроводниковых приборов необходимо строить полупроводниковые кристаллы из сложных химических композиций, когда он остается единым монокристаллом, но основные его свойства меняются внутри кристалла на расстояниях, исчисляемых долями микрона, а часто и на нескольких постоянных кристаллической решетки. Подобные идеи поначалу казались некоторым ученым противоречащим физическим принципам или, во всяком случае, совершенно нереальными практически. Когда я об этом впервые рассказал в 1964 году на конференции в Париже, то один из крупнейших американских специалистов, … выходец их России Яков Панков сказал: "Это все бумажные патенты, Жорес, они никогда не будут реализованы". Однако в 1967 году мы все это реализовали, а в 1970 году был создан первый в мировой практике полупроводниковый лазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Именно такой сложный "сэндвич" из самых различных материалов, представляющий собой единый кристалл, стал сердцем волоконно-оптической связи, он передает световыми сигналами десятки миллионов телефонных разговоров".

Опубликовано: Алферов Ж.А. Физика ХХI века // В кн:."Физика и жизнь. М.-С. Петербург. 2001. С. 177.

Современная микроэлектроника и фотоника

(1980-2000 гг.)

Документ № 109

Современные транзисторные приборы - СБИС

компании Micron Technology (5000000 транзисторов на чипе размером 8 х 12 мм² )

2002 г.

Опубликовано: Photonics Spectra. 2003. Vol. 37. No 7. P. 58.

Документ № 110

Самая крупная фоточувствительная СБИС на ПЗС

(8х8 см²)

2004 г.

Опубликовано: Photonics Spectra. 2004. Vol. 38. No 2. P. 221.

Документ № 111

Типовая пластина с интегральными схемами, изготовленная по планарной технологии

Конец 1990-х гг.

Опубликовано: Bell Labs Technical Journal (ISSN 1089-7089). Vol. 2. No 4. Auturm 1997.

Документ № 112

Оптоэлектронные приборы: светодиоды (на переднем плане), лазеры (на втором плане), отрезки оптического волокна (на третьем плане)

Опубликовано: URO Photonics. 2003. No 12. P. 26.

Документ № 113

Микрокамера на ПЗС

2003 г.

Опубликовано: Communication from Optex. http: www. Optenxint.com

Волоконно-оптические линии связи

Документ № 114

Схема магистральной волоконно-оптической линии передачи данных ВОЛП

2001 г.

Опубликовано: Проект ВОЛС компании ТрансТелеком. М., 1999. С. 11.

Документ № 115

Из Проекта ВОЛС ЗАО "Компании ТрансТелеКом" (ТТК) о строительстве магистральной цифровой сети связи нового поколения

1999 г.

"… ТТК предусматривает создать в рамках проекта международную линию связи Находка - Хабаровск - Москва - Санкт-Петербург - Богусловская (государственная граница с Финляндией) с ответвлением от Москвы до Новороссийска, сопряженную с существующими международными оптоволоконными сетями на северо-западе через Санкт-Петербург в Финляндию и Данию, на востоке - через Хабаровск, Владивосток и Находку - в Китай, Японию и Корею, а на юге - через Новороссийск в Турцию и Италию.

Сеть будет состоять из магистральных волоконно-оптических линий связи общей протяженностью более 35 тыс. км и спутниковых линий связи, базирующихся на использовании ресурсов КА "LМI 1". Спутниковая сеть связи будет построена по полносвязной схеме, а пропускная способность земных станций составит от 64 кБит/с (абонентские) до 2048 кБит/с (узловые).

Создаваемая сеть соединит по кратчайшему пути Европу с Америкой и Азией высокоскоростными линиями связи. За счет использования для строительства чети уже готовой инфраструктуры федерального железнодорожного транспорта (земельная полоса отвода, контактная сеть, устройства электроснабжения, технические здания и сооружения) значительно сокращаются сроки и стоимость строительства сети, что в конечном счете обеспечит возможность предоставления конкурентоспособных услуг местной, междугородной и международной связи".

Опубликовано: Проект ВОЛС ЗАО "Компании ТрансТелеКом". М,. 1999. С. .7.