Документ № 85 Мнение академика ран е.П. Велихова о развитии полупроводниковой техники в ссср

1981 г.

"Примечательно, что изобретатели натолкнулись на возможность создания полупроводниковых приборов довольно давно: в частности, еще … нижегородский радиоинженер О. Лосев создал первые полупроводниковые усилители и генераторы. О его работах был широко оповещен мир, у крупнейших радиотехнических лабораторий появилась возможность развивать полупроводниковую технику. Однако процесс этот задержался почти на два десятилетия: еще не было в то время фундамента для становления полупроводниковой электроники. Она стала возможной лишь после того, как были детально изучены и глубоко поняты тонкие и сложные физические процессы в твердом теле".

Опубликовано: Наука и жизнь. 1981. № 11. С. 8.

Документ № 86 Оценка профессором ю.Р. Носовым открытий о.В. Лосева

2004 г.

"Мог ли Лосев стать изобретателем транзистора? Вопрос не праздный, ибо в какой-то степени касается общих проблем становления отечественной полупроводниковой электроники. Напомним, что первый патент на транзистор (приоритет 1948 г.) получили экспериментатор У. Браттейн совместно с теоретиком Дж. Бардином и У. Шокли - Нобелевскую премию за открытие транзисторного эффекта (1956 г.); все трое - американцы. Думается, фигура Лосева - одна из самых подходящих на эту роль не только у нас, но и в мире. В изобретательности и одержимости он не уступал Браттейну, в способности обстоятельно и планомерно проводить сотни однотипных рутинных опытов был подобен М. Фарадею, его интуиция удивляла всех. Рожденный радиотехникой и преданный ей навсегда, Лосев разглядел бы полезный для нее новый прибор, какими бы замысловатыми характеристиками тот не обладал (порукой тому - кристадин). …Наблюдение свечения, его воспроизводимое повторение, выявление основных свойств и физических представлений, наконец, достаточно полное опубликование результатов исследований и их признание научным сообществом - все это позволяет обоснованно утверждать приоритет О.В. Лосева в открытии электролюминесценции полупроводников (выделено Ю.Р. Носовым)".

Опубликовано: Носов Ю.Р. К истории открытия О.В. Лосевым электролюминесценции полупроводников. "Электронная промышленность". 2004. № 1. С. 75.

Полупроводниковые приборы - элементная база электроники и вычислительной техники (1940-1960-е гг.)

Создание транзистора

Документ № 87

Первый транзистор - полупроводниковый усилительный прибор

июнь 1948 г.

Опубликовано: Bell Labs Technical Journal (ISSN 1089-7089). Vol. 2. No 4. Auturm 1997. P. 5.

Документ № 88

Из заметки о создании нового полупроводникового прибора, помещенной в "New-York Tames"

1 июля 1948 г.

" …Вчера фирма Bell Telephone Laboratories (Уэст-стрит, 463) впервые продемонстрировала изобретенный ею прибор под названием "транзистор", который в некоторых случаях можно использовать в области радиотехники вместо электронных ламп. Прибор был продемонстрирован в схеме радиоприемника, расположенного на нижнем этаже. В каждом из этих случаев, транзистор использовался в качестве усилителя, хотя фирма заявляет, что он может использоваться в качестве генератора, способного создавать им передавать радиоволны.

Транзистор, имеющий форму маленького металлического цилиндра длиной около 13 мм, не содержит полости, из которой откачан воздух, сетки, анода или стеклянного корпуса, предохраняющего от попадания в прибор воздуха. Он начинает работу мгновенно, без задержки на разогрев, так как в отличие от радиолампы в нем нет накала.

Рабочие элементы прибора состоят всего лишь из двух тонких проволочек, подходящих к кусочку твердого полупроводникового материала величиной с булавочную головку, приплавленному к металлическому основанию. Вещество, помещенное на металлическом основании, усиливает ток, подводимый к нему по одной проволочке, а другая проволочка отводит усиленный ток".

Опубликовано: "Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Electronics Special Commemorative Issue. 1980, Vol. 53, No. 9(587) McGraw-Hill Inc. New-York. Пер. с англ. М.: Мир. 1980. С. 72.

Документ № 89

Создатели первого в СССР макета точечного германиевого транзистора А.В. Красилов и С.Г. Мадоян

1949 г.

Носов Ю.Р. Начало кремниевой цивилизации // В кн.: Электроника и мир. М., 2001. С. 42.

Документ № 90

Создатели транзистора, лауреаты Нобелевской премии по физике В. Шокли (сидит), Дж. Бардин (слева), У. Х. Браттейн.

1956 г.

Опубликовано: Bell Labs Technical Journal (ISSN 1089-7089). Vol. 2. No 4. Auturm 1997. P. 6.

Документ № 91

Из воспоминаний инженера НИИ-160 С. Мадоян о разработке первого советского германиевого транзистора

Без даты

"Чистого германия тогда у нас не было, мне дали филипсовский детектор и я аккуратно извлекла из него кристалл. Работа состояла в том, что я беспрерывно подшлифовывала кристалл кристалл на стеклышке с абразивным порошком, травила в пергидроле, помещала в манипулятор, пристраивала вольфрамовые зонды и проводила измерения. Транзисторный эффект обнаружился не сразу, я истерла чуть не весь кристалл, а заодно и кожу на пальце, боялась, как бы не зависнуть с дипломом, но обошлось".

Опубликовано: Носов Ю.Р. Электроника и мир. Начало кремниевой цивилизации. М., 2001. С.8.

Интегральные схемы

Документ № 92

Первая кремниевая гибридная интегральная схема со встроенными

меза-транзисторами

1958 г.

Опубликовано: Bell Labs Technical Journal (ISSN 1089-7089). Vol. 2. No 4. Auturm 1997. P. 21.

Документ № 93

Разработчики планарной технологии изготовления интегральных схем

Р. Нойс (в центре), Э. С. Гроув (слева), Г. Е. Мур

Без даты

О публиковано: Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Перевод с

английского под ред. члена-корреспондента Академии наук СССР

В.И. Сифорова. М.: Мир, 1980 (Electronics. Special

Commemorative Isse. 1980. Vol. 53, No. 9 (587) A McGraw-Hill

Publication, McGraw-Hill Inc. New York, USA). P. 93

Документ № 94

Из воспоминаний Р. Нойса о создании интегральных схем

Конец 1990-х гг.

"Интегральная схема - плод моей лени. Мы брали кремниевую пластину, на которой были аккуратно расположены транзисторы, разрезали ее на мелкие кусочки и затем отгружали их потребителям, которые должны были вновь собрать эти кусочки - транзисторы вместе. Я и подумал: нельзя ли выбросить все эти промежуточные шаги и соединить транзисторы друг с другом, пока они все находятся на одной кремниевой пластине. Мы так и поступили".

Опубликовано: Носов Ю.Р. Электроника и мир. Начало кремниевой цивилизации. М., 2001. С. 39.

Документ № 95

Первая монолитная ИС компании Fairchild

1961 г.

Опубликовано: Bell Labs Technical Journal (ISSN 1089-7089). Vol. 2. No 4. Auturm 1997. P. 21.

Развитие компьютеров

Документ № 96

Прообраз компьютера - сортировальное устройство и счетчик Г. Холлерита

Конец 1890 - х гг.

Опубликовано: Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Перевод с

английского под ред. члена-корреспондента Академии наук СССР

В.И. Сифорова. М.: Мир, 1980 (Electronics. Special

Commemorative Isse. 1980. Vol. 53, No. 9 (587) A McGraw-Hill

Publication, McGraw-Hill Inc. New York, USA). P. 25.

Д окумент № 97

Компьютер ЭНИАК-15, созданный для решения военных задач

1946 г.

Опубликовано: Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Перевод с

английского под ред. члена-корреспондента Академии наук СССР

В.И. Сифорова. М.: Мир, 1980 (Electronics. Special

Commemorative Isse. 1980. Vol. 53, No. 9 (587) A McGraw-Hill

Publication, McGraw-Hill Inc. New York, USA). P. 62.

Документ № 98

ЭВМ БЭСМ-6

1968 г.

Опубликовано: 50 лет ИТМиВТ им. С.А. Лебедева. Год за годом. М., 1998. С. 2.

Документ № 99

Из статьи П. Уолкотта и С. Гудмана о развитии вычислительной техники в Советском Союзе в 1960-1980-е гг.

1988 г.

"Академия наук СССР всегда играла важную роль в разработке высокопроизводительных ЭВМ. … Промышленные министерства в конце 60-х и в начале 70-х годов взяли на себя организацию широкомасштабной разработки машин, являющихся функциональными дублями удачных моделей западных мини- и универсальных ЭВМ. Поэтому создание высокопроизводительных ЭВМ является одним из тех направлений, работая в котором Академия наук может внести весомый вклад в общее дело и восстановить свой прежний статус.

В 1983 г. в рамках Академии наук было организовано Отделение информатики, вычислительной техники и автоматики, которое возглавил вице-президент Академии наук Е.П. Велихов. Одной из наиболее важных задач, которые были поставлены перед этим отделением, является создание супер-ЭВМ. Принимая во внимание наукоемкий характер разработки высокопроизводительных ЭВМ, нет ничего удивительного в том, что многие из проектов, предложенных Академией наук, отличаются большим техническим совершенством, чем разработки, реализуемые промышленными министерствами…

С.А. Лебедев, основоположник советских быстродействующих ЭВМ, начал работать в конце 40-х годов над первой советской цифровой вычислительной машиной с хранимой программой МЭСМ… В 1964 г. Лебедев разработал машину, которая стала венцом его научной деятельности - БЭСМ-6. Эта машина позволила Советскому Союзу достичь мирового уровня производительности и степени сложности машин второго поколения.… Эта ЭВМ второго поколения на основе транзисторной технологии оставалась вершиной советской вычислительной техники и в начале 80-х годов…

До конца 70-х годов в СССР не производились другие большие ЭВМ, о которых было объявлено. Ходили слухи, что существует несколько других проектов БЭСМ, включая проект, равносильный CDC-6600, но факт того, что преемник БЭСМ-6 был запущен в производство до смерти Лебедева в 1974 г., неизвестен… Записи Лебедева о дальнейших работах заслуживают внимания, у него были ценные идеи и опытный персонал. Почему же существовал такой перерыв в разработках? Ясного ответа на этот вопрос нет…

Следует отметить, что на БЭСМ-6 до сих пор производится значительная часть научных вычислений в Советском Союзе. Целый раздел конференции по вычислительной технике 1986 года в Киеве был посвящен вопросам сопряжения БЭСМ-6 с периферийными устройствами и другими ЭВМ".

Опубликовано: Компьютер. 1988. № 9. С. 32-41.