- •1. Системы физическиз единиц сгс и си
- •2. Магнитное поле (суть явления, основные характеристики и способы генерации)
- •3. Формы записи и физический смысл законов Лоренца и Ампера
- •4.Формы записи и физический смысл законов Био-Савара-Лапласса, Гаусса
- •5. Закон электромагнитной индукции
- •6. Уравнения Максвелла. Интегральная и дифференциальная форма записей; физический смысл; система материальных уравнений Максвелла
- •7. Движение заряженных частиц в магнитном поле
- •8. Атомный магнетизм с точки зрения моделей атомов Резерфорда и Бора
- •9. Понятие «спина». Основные квантовые числа
- •10. Природа атомного магнетизма
- •11. Диамагнетизм
- •12. Парамагнетизм (природа происхождения)
- •13. Законы Кюри и Кюри-Вейсса
- •14. Ферромагнетизм
- •15. Свойства ферромагнетиков
- •16. Петли гистерезиса( классификация, основные характеристики)
- •17. Свойства магнитных материалов, используемых в цепях переменного тока
- •18. Антиферромагнетизм
- •19. Ферримагнетизм
- •20. Спиновые стекла; сперромагнетизм; асперромагнетизм; гелимагнетизм; сперимагнетизм; миктомагнетизм
- •21. Магнитотвёрдые материалы
- •22. Магнитомягкие материалы
- •23. Магнитострикционные материалы
- •24. Магнитооптические материалы
- •25. Термомагнитные материалы. Эффект Риги-Ледюка
- •26. Магнитные материалы с ппг
- •27. Эффект Холла
- •28. Эффект Гаусса
- •29. Физический и геометрический эффекты магнитосопротивления
- •30. Магниторезисторы ( определение, основные характеристики и способы реализации)
- •31. Диск Корбино ( определение, основные характеристики)
- •32. Вольтова чувствительность магниторезисторов
- •33. Шумы магниторезисторов
- •34. Тонкие магнитные пленки; магнитные эффекты в тонких магнитных пленках
- •35. Гигантский магниторезистивный эффект
- •36. Спин-зависимое туннелирование
- •37. Анизотропный магниторезистивный эффект
- •38. Мостовые схемы включения первичных магниторезистивных измерительных преобразователей
- •39. Структура магниторезистивного датчика. Утилитарные устройства магниторезистивных преобразователей и их основные параметры
- •40. Методика управления магниторезистивным преобразователем на основе амр-эффекта
- •41. Магнитное экранирование витка с током при частоте равной нулю
- •42. Зависимость экранирования витка с током от частоты
- •43. Эффективность экранирования элементарного магнитного диполя шаровым экраном
- •44.Расчет эффективности магнитного экранирования замкнутого излучателя реальным экраном
42. Зависимость экранирования витка с током от частоты
Магнитное экранирование (магнитная защита) – защита объекта от воздействия магнитных полей (как постоянных, так и переменных). Современные исследования в ряде областей науки (физика, геология, планетология, биомагнетизм) и техники (космические исследования, атомная энергетика, материаловедение) часто связаны с регистрацией сверхслабых магнитных полей ~10-14–10-12 Тл в широком частотном диапазоне.
Эффективность магнитного экранирования существенно зависит от характера источника поля. Очевидно, что разнообразие возможных источников бесконечно; однако любой реальный источник может быть с необходимой степенью точности представлен в виде более или менее сложной совокупности электрических диполей и витков с током (так называемых магнитных диполей).
Рассмотрим виток проводника с протекающим по нему переменным током, окруженный экраном из немагнитного материала. Переменное магнитное поле этого тока, пронизывая экран, индуцирует в нем, как в короткозамкнутом витке ЭДС и заставляет протекать ток, создающий вторичное магнитное поле. Вне экрана суммарное поле оказывается слабее первичного, т. е. эффективность экрана оказывается больше единицы. Чтобы оценить порядок этой эффективности и ее зависимость от частоты предлагается рассуждать следующим образом.
Допустим, что экран – это простой короткозамкнутый виток, имеющий индуктивность Lэ и активное сопротивление Rэ, а взаимная индукция между ним и экранируемым витком равна M. Тогда, приняв для тока İ в экранируемом витке и тока İэ в экране одинаковые положительные направления (оба по или оба против часовой стрелки), для тока в экране справедливо будет записать:
(7.3)
где Qэ = ω Lэ/Rэ – добротность экрана на данной частоте.
Из выражения (7.3) заключим, что при Qэ << 1
(7.4)
т. е. İэ находится практически в квадратуре с İ. Естественно, что на взаимную компенсацию, в данном случае, это никак не распространяется, так как эффективность экрана равна единице.
С повышением частоты добротность экрана прямопропорционально возрастает, и при Qэ >> 1 допустимо считать, что
(7.5)
т. е. токи оказываются почти противофазными и может иметь место взаимная компенсация их полей.
Допустим, что при Qэ = ∞, т. е. когда равенство (7.5) оказывается точным, действительно имеет место полная компенсация. Это означает, что поле тока İ экранируемого витка вне экрана такое же, как поле тока İM / Lэ, протекающего по экрану. Отсюда, в свою очередь, следует, что когда Qэ имеет конечное значение, и по экрану течет ток, определяемый выражением (7.3), поле вне экрана будет таким, как при отсутствии экранируемого витка, но при протекании по экрану тока [27]:
поэтому эффективность экрана определится как:
Таким образом, при Qэ << 1 имеем Э ≈ 1, а при Qэ >> 1 Э ≈ Qэ, т. е. эффективность экрана оказывается практически равной добротности его, как короткозамкнутого витка.
С повышением частоты эффективность растет сначала медленно (при Qэ < 1), а потом практически пропорционально частоте. Далее начинает играть существенную роль поверхностный эффект. Ток начинает все более сосредотачиваться у внутренней поверхности экрана. Это приводит к росту Rэ, а следовательно, к замедлению роста Qэ. Но плотность тока у наружной поверхности экрана быстро уменьшается, а с ней уменьшается и остаточное поле вне экрана. Этот эффект оказывается сильнее увеличения Rэ, так что в результате, с дальнейшим повышением частоты эффективность экрана растет гораздо быстрее, чем по закону прямой пропорциональности.
В случае экрана из материала с μ >> 1 сказанное сохраняет силу с той лишь разницей, что при стремлении частоты к нулю эффективность экрана стремится не к единице, а к некоторому значению Э0, определяемому выражением (7.1) или (7.2). Таким образом, в общем случае зависимость Э(f) при экранировании витка с током имеет характер, представленный на рис. 7.2.
Рис. 7.2. Характер зависимости эффективности экранирования витка с током от частоты
