
- •1. Системы физическиз единиц сгс и си
- •2. Магнитное поле (суть явления, основные характеристики и способы генерации)
- •3. Формы записи и физический смысл законов Лоренца и Ампера
- •4.Формы записи и физический смысл законов Био-Савара-Лапласса, Гаусса
- •5. Закон электромагнитной индукции
- •6. Уравнения Максвелла. Интегральная и дифференциальная форма записей; физический смысл; система материальных уравнений Максвелла
- •7. Движение заряженных частиц в магнитном поле
- •8. Атомный магнетизм с точки зрения моделей атомов Резерфорда и Бора
- •9. Понятие «спина». Основные квантовые числа
- •10. Природа атомного магнетизма
- •11. Диамагнетизм
- •12. Парамагнетизм (природа происхождения)
- •13. Законы Кюри и Кюри-Вейсса
- •14. Ферромагнетизм
- •15. Свойства ферромагнетиков
- •16. Петли гистерезиса( классификация, основные характеристики)
- •17. Свойства магнитных материалов, используемых в цепях переменного тока
- •18. Антиферромагнетизм
- •19. Ферримагнетизм
- •20. Спиновые стекла; сперромагнетизм; асперромагнетизм; гелимагнетизм; сперимагнетизм; миктомагнетизм
- •21. Магнитотвёрдые материалы
- •22. Магнитомягкие материалы
- •23. Магнитострикционные материалы
- •24. Магнитооптические материалы
- •25. Термомагнитные материалы. Эффект Риги-Ледюка
- •26. Магнитные материалы с ппг
- •27. Эффект Холла
- •28. Эффект Гаусса
- •29. Физический и геометрический эффекты магнитосопротивления
- •30. Магниторезисторы ( определение, основные характеристики и способы реализации)
- •31. Диск Корбино ( определение, основные характеристики)
- •32. Вольтова чувствительность магниторезисторов
- •33. Шумы магниторезисторов
- •34. Тонкие магнитные пленки; магнитные эффекты в тонких магнитных пленках
- •35. Гигантский магниторезистивный эффект
- •36. Спин-зависимое туннелирование
- •37. Анизотропный магниторезистивный эффект
- •38. Мостовые схемы включения первичных магниторезистивных измерительных преобразователей
- •39. Структура магниторезистивного датчика. Утилитарные устройства магниторезистивных преобразователей и их основные параметры
- •40. Методика управления магниторезистивным преобразователем на основе амр-эффекта
- •41. Магнитное экранирование витка с током при частоте равной нулю
- •42. Зависимость экранирования витка с током от частоты
- •43. Эффективность экранирования элементарного магнитного диполя шаровым экраном
- •44.Расчет эффективности магнитного экранирования замкнутого излучателя реальным экраном
26. Магнитные материалы с ппг
Магнитные материалы с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ) находят широкое применение в устройствах автоматики, вычислительной техники, запоминающих устройствах, многоканальных импульсных системах радиосвязи и т. п.
Степень прямоугольности петли гистерезиса характеризуется коэффициентом прямоугольности (3.15).
(3.15)
где Br – остаточная магнитная индукция, соответствующая максимальному значению индукции Bmax (чаще всего Bmax определяют для намагниченного поля с напряженностью Hmax=5Hc, что близко к предельным характеристикам).
В идеальном случае α=1, на практике же коэффициент прямоугольности зависит от многих параметров, и хотя в некоторых случаях приближается к единице (α ≈ 0.96), все же ей не равен. Вследствие этого, установлен норматив, по которому петлю гистерезиса допустимо считать прямоугольной (α ≥ 0.85).
Сердечник из материала с ППГ имеет два устойчивых магнитных состояния, соответствующих положительному и отрицательному значениям остаточной магнитной индукции, в связи с чем, широко применяется, как магнитный элемент обработки и хранения и двоичной информации.
Переключение сердечников с ППГ из одного состояния в другое возможно осуществлять двумя способами: путем перемагничивания импульсами тока, создающими поля, значительно превосходящие коэрцитивную силу, или совпадающими по времени несколькими токовыми импульсами, каждый из которых не может заметно изменить состояние сердечника, а их суммарное поле превосходит коэрцитивную силу (рис. 3.6, a).
Первый способ переключения сердечников используется главным образом в устройствах переработки и передачи информации, второй – в устройствах хранения дискретной информации (запоминающих устройствах). Причем системы хранения информации, реализованные на базе магнитных элементов с ППГ, по надежности и долговечности значительно превосходят большинство известных полупроводниковых или ламповых устройств.
Материалы с ППГ можно подразделить на три основные группы: ферриты; текстурированные ферромагнитные сплавы, применяемые в виде лент толщиной от 0.5 мм до единиц микрометров и тонкие ферромагнитные пленки.
Благодаря наличию спонтанной прямоугольной петли гистерезиса у ферритов, данный класс материалов является наиболее распространенным. Технологический процесс производства ферритовых сердечников значительно проще, чем процесс изготовления сердечников ленточного типа из сплава тонкого и сверхтонкого проката. Однако, последние выгодно отличаются от ферритовых сердечников температурной стабильностью и лучшими магнитными свойствами.
Для определения требований, предъявляемых к материалам с ППГ, рассмотрим процессы изменения магнитного состояния кольцевого сердечника, на который намотаны три обмотки, как показано на рис. 3.6, а.
Рис. 3.6. К пояснению свойств магнитных материалов с ППГ
Пусть состояние, при котором B = +Br соответствует состоянию логической единицы, а при котором B = -Br – состоянию логического нуля. За исходное примем состояние логической единицы.
Если на одну из обмоток, например на W1, подать положительный импульс тока, то магнитное состояние изменится от +Br до +Bmax. Для материала с α < 1 этот процесс будет сопровождаться возникновением ЭДС в других обмотках. Так в обмотке W3 возникнет ЭДС:
где ∆Ф1 – изменение магнитного потока, ∆t1 – время изменения магнитного потока.
ЭДС ℰ1 технически представляет собой помеху, так как в случае петли гистерезиса с идеальной прямоугольностью (α = 1) она равна нулю. Следовательно, для материалов с ППГ желательно иметь коэффициент прямоугольности максимально близкий к единице.
Если на одну из обмоток, например W2, подать отрицательный импульс тока, то сердечник перемагнитится из состояния «1» в состояние «0» и в обмотке W3 возникает полезный сигнал считывания единицы в виде ЭДС:
где τ – время перемагничивания, т. е. время необходимое для переключения сердечника из одного состояния остаточной индукции в противоположное (τ должно быть малым).
Уменьшение τ помимо пропорционального увеличения быстродействия устройства, вызывает так же возрастание выходного сигнала, снимаемого с элемента (обычно, в устройствах автоматики и вычислительной техники τ представляет собой значение от единиц, до долей микросекунд).
Для обеспечения быстродействия сердечников с ППГ, они должны иметь малое значение коэффициента переключения Sw, под которым понимают приведенный действующий заряд (импульс магнитного поля), необходимый для полного переключения сердечника, т. е. для перемагничивания из состояния остаточной индукции в противоположное состояние максимальной индукции за время τ.
Коэффициент переключения Sw зависит только от свойств материала сердечника и его геометрии и в определенных пределах не зависит от характера переключения. Коэффициент переключения выражают обычно в единицах [А·с/м] или [А·мкс/м]. К примеру, для ферритов различных марок коэффициент Sw принимает значения 28–54 А·мкс/м.
При работе сердечника с ППГ в режиме совпадения двух или нескольких токовых импульсов важным параметром является квадратность петли гистерезиса. Обычно для характеристики данного параметра используют отношение поля трогания HТ к коэрцитивной силе (3.16), причем за HТ принимают значение поля, приводящее к уменьшению остаточной индукции Br на 10 % (рис. 3.6, б).
(3.16)
где HТ – поле трогания.