
- •1. Системы физическиз единиц сгс и си
- •2. Магнитное поле (суть явления, основные характеристики и способы генерации)
- •3. Формы записи и физический смысл законов Лоренца и Ампера
- •4.Формы записи и физический смысл законов Био-Савара-Лапласса, Гаусса
- •5. Закон электромагнитной индукции
- •6. Уравнения Максвелла. Интегральная и дифференциальная форма записей; физический смысл; система материальных уравнений Максвелла
- •7. Движение заряженных частиц в магнитном поле
- •8. Атомный магнетизм с точки зрения моделей атомов Резерфорда и Бора
- •9. Понятие «спина». Основные квантовые числа
- •10. Природа атомного магнетизма
- •11. Диамагнетизм
- •12. Парамагнетизм (природа происхождения)
- •13. Законы Кюри и Кюри-Вейсса
- •14. Ферромагнетизм
- •15. Свойства ферромагнетиков
- •16. Петли гистерезиса( классификация, основные характеристики)
- •17. Свойства магнитных материалов, используемых в цепях переменного тока
- •18. Антиферромагнетизм
- •19. Ферримагнетизм
- •20. Спиновые стекла; сперромагнетизм; асперромагнетизм; гелимагнетизм; сперимагнетизм; миктомагнетизм
- •21. Магнитотвёрдые материалы
- •22. Магнитомягкие материалы
- •23. Магнитострикционные материалы
- •24. Магнитооптические материалы
- •25. Термомагнитные материалы. Эффект Риги-Ледюка
- •26. Магнитные материалы с ппг
- •27. Эффект Холла
- •28. Эффект Гаусса
- •29. Физический и геометрический эффекты магнитосопротивления
- •30. Магниторезисторы ( определение, основные характеристики и способы реализации)
- •31. Диск Корбино ( определение, основные характеристики)
- •32. Вольтова чувствительность магниторезисторов
- •33. Шумы магниторезисторов
- •34. Тонкие магнитные пленки; магнитные эффекты в тонких магнитных пленках
- •35. Гигантский магниторезистивный эффект
- •36. Спин-зависимое туннелирование
- •37. Анизотропный магниторезистивный эффект
- •38. Мостовые схемы включения первичных магниторезистивных измерительных преобразователей
- •39. Структура магниторезистивного датчика. Утилитарные устройства магниторезистивных преобразователей и их основные параметры
- •40. Методика управления магниторезистивным преобразователем на основе амр-эффекта
- •41. Магнитное экранирование витка с током при частоте равной нулю
- •42. Зависимость экранирования витка с током от частоты
- •43. Эффективность экранирования элементарного магнитного диполя шаровым экраном
- •44.Расчет эффективности магнитного экранирования замкнутого излучателя реальным экраном
24. Магнитооптические материалы
К магнитооптическим материалам относятся материалы, в которых наблюдается ряд установленных магнитооптических эффектов, при взаимодействии их с электромагнитной волной оптического диапазона.
Особый интерес представляют эффекты в магнитоупорядоченных кристаллах при прохождении через них или отражении от их поверхности оптического излучения. К таким эффектам относятся:
эффект Фарадея, проявляющийся в повороте плоскости поляризации и появлении эллиптичности световой волны при прохождении через немагнитную среду первоначально поляризованного света;
эффект Керра, заключающийся в изменении состояния поляризации отраженного от поверхности намагниченного вещества первоначально линейно поляризованного света вследствие влияния намагниченности. Причем эффект Керра проявляется только в магнитоупорядоченных кристаллах, кроме того необходимое условие его проявления состоит в наличии поглощения света веществом.
Магнитооптические материалы широко используются для создания магнитометрической аппаратуры, обладающей исключительно высокой чувствительностью и большой разрешающей способностью. Системы, в основе действия которых лежат магнитооптические эффекты позволяют определить практически все виды магнитных характеристик материалов.
В целом, пригодность материалов, для создания на их основе магнитооптических устройств зависит от совокупности ряда магнитооптических свойств, которые оценивают по магнитооптической активности в диапазоне оптических волн с учетом возможной их анизотропии.
Магнитооптическую активность материала характеризуют с помощью угла удельного фарадеевского вращения и коэффициента поглощения, оцениваемых согласно (3.10) и (3.11) соответственно.
(3.10)
(3.11)
где d – толщина образца; I0, I1 – интенсивности падающего и прошедшего кристалл света соответственно.
Также для оценки магнитооптической активности материала иногда используется понятие коэффициента оптической добротности:
Анизотропия оптических свойств, проявляется в наличии двойного лучепреломления с коэффициентом ν и в различии скоростей распространения света вдоль различных кристаллографических осей. В оптически-изотропных магнитных материалах двулучепреломление отсутствует, и угол фарадеевского вращения определяется как:
φF=θFd.
Для анизотропных материалов справедливо выражение (3.12).
(3.12)
В анизотропных материалах существуют направления, называемые оптическими осями, вдоль которых световая волна распространяется без двулучепреломления. В этом случае:
φF = θF·d·cos (æ),
где æ – угол между оптической осью кристалла и вектором намагниченности.
Магнитооптические свойства материала наиболее полно оценивают по магнитооптическим спектрам, т. е. по зависимости любого параметра магнитооптических эффектов от длины волны падающего света λ.
В любом случае, при проектировании магнитооптических устройств, следует выбирать материалы, обладающие высоким удельным фарадеевским вращением θF, малым коэффициентом оптического поглощения α и с отсутствием двойного лучепреломления, или с малым его значением v << θF.