Правила выполнения структурных электрических схем.
1.1. На структурной схеме изображают все основные функциональные части изделия (элементы, устройства и функциональные группы) и основные взаимосвязи между ними.
1.2. Функциональные части на схеме изображают в виде прямоугольника или условных графических обозначений.
1.3. Графическое построение схемы должно давать наиболее наглядное представление о последовательности взаимодействия функциональных частей в изделии.
На линиях взаимосвязей рекомендуется стрелками обозначать направление хода процессов, происходящих в изделии.
1.4. На схеме должны быть указаны наименования каждой функциональной части изделия, если для ее обозначения применен прямоугольник.
На схеме допускается указывать тип элемента (устройства) и (или) обозначение документа (основной конструкторский документ, государственный стандарт, технические условия), на основании которого этот элемент (устройство) применен.
При изображении функциональных частей в виде прямоугольников наименования, типы и обозначения рекомендуется вписывать внутрь прямоугольников.
1.5. При большом количестве функциональных частей допускается взамен наименований, типов и обозначений проставлять порядковые номера справа от изображения или над ним, как правило, сверху вниз в направлении слева направо. В этом случае наименования, типы и обозначения указывают в таблице, помещаемой на поле схемы.
1.6. Допускается помещать на схеме поясняющие надписи, диаграммы или таблицы, определяющие последовательность процессов во времени, а также указывать параметры в характерных точках (величины токов, напряжений, формы и величины импульсов, математические зависимости и т. п.).
Информационные данные о соответствии кодов типов электрических схем по ГОСТ 2.701-84 СГ СЭВ 527-77
Наименование типов схем |
Код типа схемы |
|
|
по ГОСТ 2.701-84 |
по СТ СЭВ S27-77 |
Структурные |
1 |
101 |
Функциональные |
2 |
102 |
Принципиальные (полные) |
3 |
201 |
Эквивалентные |
— |
202 |
Соединений (монтажные) |
4 |
301 |
Подключения |
5 |
303 |
Общие |
6 |
302 |
Расположения |
7 |
401 |
Электрооборудования и проводки на планах |
|
402 |
Электроснабжения и связи |
|
403 |
Объединенные |
0 |
— |
Изменение № 1 ГОСТ 2.701—84 Единая система конструкторский документации. Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению
Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29.03.89 № 825
Классификация транзисторов по типам и группам.
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений. Система обозначений современных типов транзисторов установлена
отраслевым стандартом ОСТ 11336.919—81 и базируется на ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного
материала используются следующие символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов в качестве исходного материала пока не применяются). Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П — для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры. Для транзисторов малой
мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц;
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт):
4 — с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц. Для транзисторов большей мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт
7 — страничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов. Для обозначения порядкового номера используют двузначные числа от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единичной технологии. В качестве классификационной литеры применяют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков при необходимости отметить отдельные существенные
конструктивно-технологические особенности приборов. .В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:
цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзисторов, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров; буква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки); цифра, написанная через дефис,— для
бескорпусных транзисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного исполнения:
1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки)
2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке)
3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки)
4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке)
5 – с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (кристалл);
б – с контактными площадками' на кристаллодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора.
Примеры обозначений некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, высокочастотный, номер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 20, группа А;
КТ937А—2 кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе;
2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий Портал, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе не отличается от описанной. Однако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до
настоящего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты:
от 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 201 до 299 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213А — германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А;
П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02, группа А.
Классификация транзисторов по функциональному назначению.
В настоящем разделе наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классификацией
приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (fгр. < 30 МГц);
высокочастотные (30 МГц < /гр < 300 МГц); сверхвысокочастотные (fгр > 300 МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на следующие группы:
усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысокочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями); переключательные высоковольтные и импульсные высоковольтные).
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные, генераторные и переключательные.
