
- •Билет № 1
- •1. Критерий устойчивости Найквиста
- •Механические измерительные преобразователи.
- •Оптоэлектронный переключатель. Принцип действия, область применения.
- •Билет 2
- •Классификация су по принципу управления (управление по возмущению, по отклонению, комбинированные системы).
- •Иерархический и декомпозиционный принципы проектирования.
- •Государственная система приборов и средств автоматизации. Характеристика ветвей гсп.
- •. Триодные и диодные тиристоры. Назначение, принцип действия.
- •. Технологические процессы как объекты автоматического управления. Возмущения, управляющие воздействия, входы и выходы. Обобщенная структурная схема.
- •Схемы взаимодействия компьютеров с периферийными устройствами.
- •1.2.1. Связь компьютера с периферийными устройствами
- •Электромагнитные измерительные преобразователи.
- •Назначение и схемы ацп.
- •Линейные и нелинейные сау. Методы линеаризации статических характеристик нелинейных объектов.
- •Классификация плк. Моноблочные контроллеры. Модульные контроллеры. Pc-base контроллеры.
- •Емкостные измерительные преобразователи. Емкостные электромеханические преобразователи
- •Назначение и схемы цап.
- •Билет 5
- •Статические и астатические объекты управления.
- •Состав математического и программного обеспечения асу тп.
- •Пьезоэлектрические измерительные преобразователи. Принцип действия, область применения.
- •Пьезоэффект
- •Функциональные возможности и особенности работы транзисторов.
- •Билет 6
- •Устойчивость сау. Алгебраические критерии устойчивости.
- •Модули дискретного ввода-вывода.
- •Классификация измерительных преобразователей температуры.
- •Вольт-амперные характеристики биполярных, моп- и кмоп- интегральных транзисторов.
- •Билет 7
- •Астатические объекты управления. Динамические характеристики.
- •Функциональные схемы автоматизации: изображения средств управления.
- •Расходомеры постоянного перепада давления. Принцип действия, область применения.
- •Триггеры. Особенности работы, назначение.
- •Билет 8
- •Структурная схема сау с обратной связью. Назначение элементов.
- •Человеко-машинный интерфейс как элемент системы управления.
- •Емкостные измерительные преобразователи. Емкостные электромеханические преобразователи
- •Тиристоры. Вольт-амперные характеристики тиристоров.
- •Билет 9
- •Устойчивость систем управления. Теорема Ляпунова для линейных систем.
- •Проектирование щитов и стоек.
- •Волновые, акустические и радиоизотопные измерительные преобразователи уровня.
- •Оптроны. Назначение и принципы действия.
- •Обобщенная структурная схема
- •Билет 10
- •Классификация принципов регулирования. Регулирование по отклонению.
- •Интегрированные системы управления.
- •Чувствительность, точность и погрешности измерительных преобразователей.
- •Сглаживающие фильтры. Стабилизаторы напряжения.
- •Билет 11
- •Комбинированный (замкнуто-разомкнутый) принцип регулирования.
- •1.Разомкнутые,замкнутые и комбинированные системы управления.
- •Автоматизированное рабочее место оператора-технолога.
- •Системы автоматического контроля.
- •Оптоэлектронные полупроводниковые и интегральные приборы и устройства.
- •Билет 12
- •Динамические характеристики систем управления с пид-регулятором.
- •Внешние электрические и трубные проводки.
- •Внешние электрические и трубные проводки.
- •14.1 Общие положения
- •14.2 Выбор способа выполнения электропроводок
- •14.3 Выбор проводов и кабелей
- •15.1 Общие положения
- •15.2 Требования к трубным проводкам
- •Основные принципы и теоретическая база стандартизации.
- •Логические цифровые устройства на интегральных схемах.
- •Логические цифровые устройства на интегральных схемах.
- •Билет 13
- •Критерий устойчивости Михайлова.
- •Назначение концентратов и сетевых адаптеров в локальных сетях.
- •Принципиальная схема симметричного триггера на биполярных транзисторах.
- •Билет 14
- •Классификация алгоритмов (законов) управления.
- •Методика выбора плк. Требования к эвм, используемых в асутп.
- •Тензорезисторные преобразователи. Принцип действия, назначение.
- •Принцип действия и назначение оптоэлектронной пары.
- •Билет 15
- •Динамические характеристики объектов с самовыравниванием.
- •Схемы взаимодействия компьютера с периферийными устройствами.
- •Методы измерений: непосредственной оценки, сравнения, дифференциальный.
- •Классификация электромеханических реле.
- •Билет 16
- •Типовые законы регулирования.
- •Классификация, функции и характеристики сетевых адаптеров.
- •Методы измерений влажности воздуха и газов.
- •Принцип действия и назначения диодных, резисторных, транзисторных и тиристорных оптоэлектронных пар.
- •Билет 17
- •Динамические характеристики астатических объектов.
- •Характеристики кабелей, применяемых в компьютерных сетях.
- •Компенсационные измерительные схемы.
- •Классификация исполнительных механизмов.
- •Билет 18
- •Устойчивость сау. Амплитудно-фазовой критерий Найквиста.
- •Сравнительная оценка локальных и глобальных вычислительных сетей.
- •Индукционные расходомеры. Принцип действия, область применения.
- •Электродвигательные им.
- •Билет 19
- •Правила преобразования структурных схем управления.
- •Методы организации доступа к линиям связи
- •2. Метод Ethernet
- •3. Метод Archnet
- •Многостанционный доступ частота коммутация
- •4. Метод Token Ring
- •Акустические уровнемеры. Принцип действия, область применения.
- •Электромагнитные исполнительные механизмы.
- •Билет 20
- •Передаточная функция и частотные характеристики усилительного звена.
- •Топология промышленных сетей. Физическая реализация каналов передачи данных. Определение
- •Структура "звезда"
- •Электрические измерительные преобразователи.
- •Гидравлические исполнительные механизмы.
- •Билет 21
- •Передаточная функция и частотные характеристики апериодического звена 1-го порядка.
- •Принципы проектирования схем автоматизации.
- •Методы измерения плотности веществ.
- •Пневматические им.
- •Билет 22
- •Чистое запаздывание. Передаточная функция звена чистого запаздывания.
- •Пример системы с транспортным запаздыванием
- •Передаточная функция имеет вид .
- •Звено чистого запаздывания
- •Принципы построения принципиальных электрических схем.
- •Проводниковые и полупроводниковые термометры сопротивления. Принцип действия и конструктивные формы. Полупроводниковые термометры (терморезисторы, термисторы)
- •Шаговые им.
- •Билет 23
- •Элементарные звенья. Передаточная функция, частотные характеристики интегрирующего звена.
- •3.1. Виды элементарных динамических звеньев
- •Лингвистическое, методическое и организационное обеспечение асу тп.
- •Методы измерения влажности твердых и сыпучих материалов.
- •Релейные исполнительные механизмы.
- •Билет 24
- •Элементарные звенья. Передаточная функция, частотные характеристики дифференцирующего звена.
- •3.1. Виды элементарных динамических звеньев
- •Состав информационного обеспечения асу тп.
- •Методы и средства измерения давления. Деформационные измерительные преобразователи.
- •1.1.4 Деформационные измерительные преобразователи давления, основанные на методе прямого преобразования
- •1.1.4.1 Индуктивные измерительные преобразователи давления.
- •Дифференциально-трансформаторные измерительные преобразователи давления.
- •1.1.4.3 Емкостные измерительные преобразователи давления.
- •Тензорезисторные измерительные преобразователи давления.
- •1.1.4.5 Пьезоэлектрические измерительные преобразователи давления.
- •Логические цифровые устройства на интегральных микросхемах.
- •Билет 25
- •Качество сау. Запас устойчивости.
- •1 Понятие запаса устойчивости
- •Состав аппаратного обеспечения асутп.
- •Аппаратное обеспечение
- •Принцип действия и назначение импульсных трансформаторов.
- •Описание
- •Виды импульсных трансформаторов
- •Билет 26
- •Показатели качества переходных процессов.
- •Математическое и программное обеспечение асутп.
- •Термоэлектрические преобразователи температуры.
- •Тиристоры. Вольт-амперные характеристики тиристоров.
- •Билет 27
- •Классификация принципов регулирования. Принцип регулирования по возмущению.
- •Разомкнутые системы:
- •Замкнутые системы:
- •Структурная схема асутп. Локальные системы управления.
- •Измерительные преобразователи для измерения количества жидкостей, газа, пара и единиц продукции.
- •Тиристорный электропривод двигателей постоянного тока.
- •Билет 28
- •Классификация систем управления по виду управляющих воздействий.
- •Организация проектирования локальных систем управления.
- •Правила выполнения структурных электрических схем.
- •Классификация транзисторов по типам и группам.
- •Билет 29
- •Виды запаздываний объектов управления. Звено чистого запаздывания.
- •Звено чистого запаздывания
- •Техническое задание на проектирование.
- •Электрические методы измерения уровня жидких и сыпучих сред.
- •Классификация регулирующих органов по принципу действия. Дозаторы.
- •Билет 30
- •Моделирование технологических процессов. Виды моделей.
- •Изображение технологического оборудования и коммуникаций на схемах автоматизации.
- •Измерения. Виды и методы измерений.
- •4.1Виды измерений
- •Классификация и основные характеристики электромагнитных муфт.
Правила выполнения структурных электрических схем.
1.1. На структурной схеме изображают все основные функциональные части изделия (элементы, устройства и функциональные группы) и основные взаимосвязи между ними.
1.2. Функциональные части на схеме изображают в виде прямоугольника или условных графических обозначений.
1.3. Графическое построение схемы должно давать наиболее наглядное представление о последовательности взаимодействия функциональных частей в изделии.
На линиях взаимосвязей рекомендуется стрелками обозначать направление хода процессов, происходящих в изделии.
1.4. На схеме должны быть указаны наименования каждой функциональной части изделия, если для ее обозначения применен прямоугольник.
На схеме допускается указывать тип элемента (устройства) и (или) обозначение документа (основной конструкторский документ, государственный стандарт, технические условия), на основании которого этот элемент (устройство) применен.
При изображении функциональных частей в виде прямоугольников наименования, типы и обозначения рекомендуется вписывать внутрь прямоугольников.
1.5. При большом количестве функциональных частей допускается взамен наименований, типов и обозначений проставлять порядковые номера справа от изображения или над ним, как правило, сверху вниз в направлении слева направо. В этом случае наименования, типы и обозначения указывают в таблице, помещаемой на поле схемы.
1.6. Допускается помещать на схеме поясняющие надписи, диаграммы или таблицы, определяющие последовательность процессов во времени, а также указывать параметры в характерных точках (величины токов, напряжений, формы и величины импульсов, математические зависимости и т. п.).
Информационные данные о соответствии кодов типов электрических схем по ГОСТ 2.701-84 СГ СЭВ 527-77
Наименование типов схем |
Код типа схемы |
|
|
по ГОСТ 2.701-84 |
по СТ СЭВ S27-77 |
Структурные |
1 |
101 |
Функциональные |
2 |
102 |
Принципиальные (полные) |
3 |
201 |
Эквивалентные |
— |
202 |
Соединений (монтажные) |
4 |
301 |
Подключения |
5 |
303 |
Общие |
6 |
302 |
Расположения |
7 |
401 |
Электрооборудования и проводки на планах |
|
402 |
Электроснабжения и связи |
|
403 |
Объединенные |
0 |
— |
Изменение № 1 ГОСТ 2.701—84 Единая система конструкторский документации. Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению
Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29.03.89 № 825
Классификация транзисторов по типам и группам.
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений. Система обозначений современных типов транзисторов установлена
отраслевым стандартом ОСТ 11336.919—81 и базируется на ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного
материала используются следующие символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов в качестве исходного материала пока не применяются). Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П — для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры. Для транзисторов малой
мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц;
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт):
4 — с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц. Для транзисторов большей мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт
7 — страничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов. Для обозначения порядкового номера используют двузначные числа от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единичной технологии. В качестве классификационной литеры применяют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков при необходимости отметить отдельные существенные
конструктивно-технологические особенности приборов. .В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:
цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзисторов, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров; буква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки); цифра, написанная через дефис,— для
бескорпусных транзисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного исполнения:
1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки)
2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке)
3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки)
4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке)
5 – с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (кристалл);
б – с контактными площадками' на кристаллодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора.
Примеры обозначений некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, высокочастотный, номер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 20, группа А;
КТ937А—2 кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе;
2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий Портал, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе не отличается от описанной. Однако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до
настоящего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты:
от 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 201 до 299 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213А — германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А;
П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02, группа А.
Классификация транзисторов по функциональному назначению.
В настоящем разделе наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классификацией
приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (fгр. < 30 МГц);
высокочастотные (30 МГц < /гр < 300 МГц); сверхвысокочастотные (fгр > 300 МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на следующие группы:
усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысокочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями); переключательные высоковольтные и импульсные высоковольтные).
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные, генераторные и переключательные.