
- •1) Стоковые( выходные ) хар-ки nMдп-транзисторов с встроенным и индуцированным каналами.
- •2 ) Базовый элемент ттл ис к531 серии. Схема и принцип работы.
- •3) Для какой цели используются выходные эмиттерные повторители в базовом элементе эсл ис
- •1. Какие функции при отрицательной логике реализуется на выходах базового элемента эсл ис серии к500?
- •2 . Апериодический усилитель на биполярном транзисторе. Схема и принцип работы.
- •1. Стоко-затворные характеристики nМдп транзистора с встроенным и индуцированным каналом.
- •2. Биполярные транзисторы. Классификация. Устройство и принцип действия n-p-n транзистора.
- •3. Для какой цели используются выходные эмиттерные повторители в базовом элементе эсл ис?
- •1.Стоко-затворные характеристика nМдп-транзисторов встроенным и индуцированным каналами.
- •2. Эсл ис к500 серии. Схема и принцип работы.
- •3.Для какой цели используется корректирующая цепь (r1, r2 и t4) в ттл ис серии к531.
- •Для какой цели в ттл ис серии к531 используются транзисторы Шоттки?
- •Схемы не и и-не на nМдп-транзисторах и принципы их работы.
- •Приведите схему базового элемента эсл ис серии к500, перечислите ее составные части и их назначение.
- •1.Входные и выходные и передаточные характеристики биполярного транзистора с общим эммитером.
- •1.Какие функции при отрицательной логике реализуется на выходах базового элемента эсл ис серии к500?
- •2. Приведите кмдп схему или-не (для положительной логики) и объясните принцип ее работы
- •3. Приведите стоковые(выходные) хар-ки nМдп-транзисторов с встроенным и индуцированным каналами и объясните их особенности
- •1.Стоко-затворные характеристика nМдп-транзисторов встроенным и индуцированным каналами.
- •3 Какими пар-ми хар схема вкл транзистора с ок
3. Для какой цели используются выходные эмиттерные повторители в базовом элементе эсл ис?
Эмиттерные
повторители на выходах ЭСЛ-элемента
(транзисторы VT4
и VT5)
обеспечивают усиление выходного сигнала
по мощности и согласование уровней
входных и выходных сигналов, снижая
уровни сигналов на выходах ЭСЛ-элемента
на
(ниже, чем потенциалы коллекторов
транзисторов VT1
и VT2).
№ 19.
1.ТТЛиС К531 серии. Составные части и их назначение.
Два логических элемента 4И-НЕ, транзисторы Шотки, комплекс из двух резисторов и диода для повышения помехоустойчивости.
ТТЛ – транзисторно-транзисторная логика (серии интегральных цифровых микросхем 133; 155; 130; 131; 134; 158; 530; 531; 533;
555; 1531; 1533).ТТЛиС к531 применяются в широком классе электронных цифровых устройств (например, периферийные устройства для ЭВМ).
Преимущества – достаточно высокое быстродействие, самая высокая среди цифровых серий интегральных микросхем функциональная насыщенность.
Недостатки – невысокая помехозащищённость, высокая чувствительность к изменению напряжения питания, достаточно высокая
потребляемая мощность.
2) Стоковые характеристики nМДП тназисторов с встроенным и индуцированным каналами.
Существуют нМДП транзисторы с встроенным(прим-ся в схемах линейных и опериодических усилков, аналоговых ус-в) и индуцированным(в цифровых интегральных схемах) каналами.
Отличие nМДП с встроенным каналом: имеют начальную проводимость. т.е. когда на его затворе U=0 канал и сам транзистор открыты. Далее состояние транзистора зависит от велчичины и полярности U подаваемого на завтвор.
Отличие nМДП с индуцированным каналом: не имеет начальной проводимости. U на затворе = 0. Транзистор закрыт. Транзистор открывается, когда на завтор подается напряжение большее или равное пороговому.
Основу nМДП транзистора составляет высокоомная подложка р типа проводимости с удельным сопротивлением от 1 до 10 ОМ на куб. см.
3)Классы усиления и их особенности
При расчете их энергопотребления и тепловыделения) вводится понятие класса усиления. Различают пять основных классов усиления, которые обозначаются прописными латинскими буквами: A, B, AB, C, D.
Класс усиления A. При работе в данном классе усиления транзистор все время находится в активном режиме. Колебания переменного сигнала на его входе никогда не должны выводить транзистор в режим насыщения или отсечки, т.е. их амплитуда ограничена некоторой областью, определяемой электрическими характеристиками конкретного транзистора, напряжением питания и начальным постоянным смещением на входе каскада. Постоянное протекание значительных токов через транзистор приводит, во-первых, к большому энергопотреблению, а во-вторых, к разогреву полупроводниковой структуры (итоговый КПД каскада усиления в классе A теоретически не может превышать 50%, а реальные его значения и того ниже). Это является неизбежной платой за высокую линейность усиления, достижимую в классе A
Класс усиления B. Предполагает, что транзистор находится в активном режиме, т.е. усиливает входной сигнал только половину периода его действия. Вторую половину периода изменения напряжения входного гармонического сигнала транзистор находится в режиме отсечки. Основными достоинствами класса B являются: высокий КПД (до 70%) и малая мощность тепловых потерь, рассеиваемых в транзисторе, что крайне важно для усилителей большой и средней мощности. Однако у усилителей в классе B есть и существенный недостаток — большой уровень нелинейных искажений, что вызвано повышенной нелинейностью усиления транзистора, когда он находится вблизи режима отсечки.
Класс усиления AB. Данный класс усиления является промежуточным между классами A и B. В этом случае транзистор также переключается между режимом отсечки и активным режимом, но преобладающим является все-таки именно активный режим. Незначительное понижение КПД усилительного каскада в классе AB компенсируется существенным уменьшением нелинейных искажений при усилении одного из полупериодов входного сигнала. Схемы усилителей мощности строятся так, что участок со значительными нелинейностями, когда транзистор переходит из режима отсечки в активный режим и наоборот, просто не оказывает влияния на выходной сигнал.
Класс усиления C. В классе усиления C транзистор большую часть периода изменения напряжения входного сигнала находится в режиме отсечки, а в активном режиме — меньшую часть. Этот класс часто используется в выходных каскадах мощных резонансных усилителей (например, в радиопередатчиках).
Класс усиления D. Предназначен для обозначения ключевого режима работы, при котором биполярный транзистор может находиться только в двух устойчивых состояниях: или полностью открытом (режим насыщения), или полностью закрытом (режим отсечки).
№ 20