15 Lentelė. Dinaminės operatyviosios atminties kr565 ru5b/V/g/d būsenos

			Būsena
0	0	0	Rašymas, DO Z būsena
0	0	1	Skaitymas
0	1	x	Regeneracija, DO Z būsena
1	0	x	Z būsena
1	1	x	Z būsena

Žymėjimai 15 lentelėje: x – bet koks loginis lygis (0 arba 1); Z – aukštaomė DO išvado būsena.

64K atminties ląstelėms adresuoti reikalingas 16 skilčių (2 baitų) adresas, todėl adreso įrašymas vyksta taip:

• adresų įvaduose nustatomas eilutės adresas ir strobu įrašomas į eilutės adreso registrą;

• adresų įvaduose nustatomas stulpelio adresas ir strobu įrašomas į stulpelio adreso registrą;

Duomenims rašyti naudojamas = 0, o skaityti – = 1 signalas. Rašant duomenų bitą, DO išvadas išjungiamas. Duomenų regeneracija vykdoma, išrenkant tik eilutes ( = 0, = 1), o DO išvadas išjungiamas. Regeneracija atliekama nuolat, nerečiau, kaip (1… 2)ms, panaudojant specialią loginę schemą bei keičiant visus eilučių adresus nuo 00H iki FFH.

Dinaminė OA turi šiuos pagrindinius privalumus:

• didelė atminties talpa, nes bitui saugoti naudojami 1 … 3 lauko tranzistoriai, kurių skaičius kristale gali būti didelis;

• mažas elektros energijos suvartojimas (mažiau 50 mW);

• didelis ekonomiškumas, nes santykinė kaina (kaina tenkanti duomenų bitui saugoti) mažesnė negu statinių OA DIG.

Pagrindiniai trūkumai:

• būtinos papildomos grandinės, vykdančios regeneraciją;

• regeneracijos ciklo metu negalima duomenų skaityti ir rašyti;

• dažnai būtinos kelios maitinimo įtampos.

Mažose MPS šį atmintis retai naudojama.

Pastoviosios atminties pavyzdys gali būti DIG K573 RF5, į kurį duomenys įrašom elektriškai, o išvalomi, švitinant ultravioletiniais spinduliais.

Sutartinis grafinis ženklas parodytas 64 pav.

64 Pav. Pastoviosios atminties dig k573 rf5 sutartinis grafinis ženklas

Atminties DIG talpa yra 2Kx8. Bendrasis išrinkimo laikas 450 ns. Perprogramavimų skaičius nemažiau 25.

PA išvadų paskirtis:

• A0 ... A10 – adreso linijos, į kurias paduodamas iš AB magistralės baito adresas;

• – kristalo išrinkimo įėjimas;

• – duomenų išėjimų valdymo įėjimas;

• DIO0 ... DIO7 – duomenų baito įrašymo ir skaitymo įėjimai bei išėjimai;

• U_PR – programavimo įtampos įėjimas.

PA DIG veikimą apibūdina būsenų lantelė (žr. 16 lentelė).

16 Lentelė. Pastoviosios atminties kr573 rf5 būsenos

		UPR	Būsena
0	0	+ 5V	Skaitymas
1	X	+ 5V	Z būsena, duomenų saugojimas
0	0	+ 25V	Kontrolė, pabaigus programavimą
0	1	+ 25V	Z būsena, programavimo draudimas
Imp	1	+ 25V	Programavimas

Žymėjimai 16 lentelėje: X – bet koks loginis lygis (0 arba 1); Z – aukštaomė DIO išvadų būsena; Imp – impulsas.

Galima išskirti šiuos režimus:

• darbo, kuriame duomenys skaitomi arba saugojami;

• programavimo, kai duomenys įrašomi ir kontroliuojamas jų įrašymas.

Darbo režime įtampa U_PR = + 5V. Skaitymas vyksta taip:

• iš AB magistralės baito adresas paduodamas į A0 ... A10 linijas;

• išrenkamas kristalas = 0;

• paduodamas išėjimų prijungimo signalas = 0.

Duomenys saugojami, kai = 1 ir išėjimai yra išjungti.

Programavimo režime nustatoma U_PR = + 25V. Programavimas vykdomas šia tvarka:

• į A0 ... A10 linijas paduodamas įrašomo baito adresas;

• įrašomo baito kodas paduodamas į DIO0 ... DIO7 įvadus;

• išjungiami išėjimai, = 1;

• į įėjimą paduodamas 1 loginio lygio 50 ms trūkmės impulsas.

Pabaigus vieno baito arba viso duomenų masyvo programavimą, atliekama įrašytų duomenų kontrolė, skaitant įrašytų baitų kodus ir juos palyginant su įrašomų duomenų masyvo atitinkamų baitų kodais. Kontrolės metu vykdomi šie veiksmai:

• į A0 ... A10 linijas paduodamas kontroliuojamo baito adresas;

• į įėjimą paduodamas 0 lygio signalas (nėra programavimo);

• prijungiami išėjimai, = 0;

• duomenų baito kodas atsiradęs išėjime lyginamas su masyvo baito kodu.

Įrašytus duomenis galima pakeisti tik visiškai ištrynus visą atmintį ir įrašius naujus duomenis. Atmintis trinama, švitinant jos kristalą nustatyto intensyvumo ultravioletiniais spinduliais per kvarco stiklo langelį apie 30 min.