
- •1) Структура мр многополюсников, физ смысл коэф мр
- •2) Уравнения, связывающие амп входящих и выходящих волн портов мп.
- •3) Мр отрезка лп у-сочленения.
- •4) Понятие унитарности мр многополюсников без потерь.
- •8) Определение мр моста Уилкинсона.
- •9) Определение мр шлейфного моста.
- •12) Коэффициент передачи фвч как эквивалента отрезка лп длиной ¾ лямбда
- •13) Структура моста Уилкинсона на сосредоточенных элементах.
- •14) Структура шлейфного моста на сосредоточенных элементах.
- •17. Направленный ответвитель на основе связанных лп
- •19) Поле коаксиального резонатора.
- •20) Поле прямоугольного резонатора
- •21) Поля в диэлектрическом резонаторе на оспове прямоугольного полокового волновода
- •22) Возбуждение резонаторов.
- •23) Эквивалентные параметры отрезков линий передачи, используемых в качестве резонаторов.
- •24) Свч фильтры нижних частот.
- •26. Конструкции свч ппф
- •27) Коэффициент передачи линейного усилителя свч.
- •28) Аттенюаторы свч
- •29) Простейшие согласующие цепи.(устройства)
- •30) Свч ключи на основе pin диодов
- •31) Свч переключатели на основе pin диодов
- •32) Примеры применения свч диодных ключей
- •33) Идеальный ключевой преобразователь частоты.
- •35) Свободные колебания вектора намагничивания электрона.
- •36) Вынужденные колебания вектора намагничения электрона, тензор магнитной проницаемости.
- •37) Фазовые шумы аг.
- •38) Ферритовые устройства свч на основе круглого волновода.
- •39) Ферритовые устройства свч на основе прямоугольного волновода.
- •40) Ферритовые устройства свч на основе лп с т- волнами.
- •41) Понятие о ферритовых резонаторах.
- •46) Решение диф ур для аг с положительной ос, условия самовозбуждения и стационарного режима.
- •47) Решение диф ур для негатронного аг.
- •48) Расчет стационарного режима аг.
- •49) Об использовании отрезков лп в качестве индуктивностей в гун.
- •50) Конструкции аг свч.
- •51) Мощные аг свч.
- •52) Лампа бегущей волны.
- •53) Алгоритм расчета трехэлементной согласующей цепи.
- •54) Понятие о методе моментов, используемом для моделирования двумерных эл маг полей.
- •55) Понятие о методе гармонического баланса, используемого для моделирования нелинейных устройств.
- •56. Понятия о частотных ограничениях для коакс. Кабелей и соед. Свч
- •50) Диодные преобразователи частоты
- •51) Свч диодные преобразователи частоты
- •54. Распространение плоской электромагнитной волны в неограниченной ферритовой среде, намагниченной вдоль направления движения волны
26. Конструкции свч ппф
ППФ СВЧ реализуются
как структуры из резонаторов в виде
отрезков ЛП, замещающих параллельные
и последовательные контуры в прототипном
ППФ. При расчете последнего определяются
значения индуктивностей и емкостей,
входящих в ППФ. Замещающие резонаторы
должны иметь параметры, обеспечивающие
эти значения. Частотные зависимости
реактивных сопротивлений резонаторов
и контуров должны совпадать, по крайней
мере, в области полосы пропускания ППФ
и около нее. Для сосредоточенных элементов
эти зависимости пропорциональны частоте,
для резонаторов они нелинейно зависят
от частоты. В качестве критерия совпадения
характеристик примем равенство углов
их наклона вблизи резонансных частот
контура и резонатора (см. раздел 6. 4).
Реактивности связи (емкости) могут быть
выполнены в виде чиповых элементов или
в виде встречно-штыревых структур (рис
1). Здесь TL1,
TL2,
TL3
‒ четвертьволновые резонаторы, MICAP
‒ емкости связи в виде встречно-штыревых
структур. Часто такие ППФ используют
не сосредоточенные элементы связи и
отдельные резонаторы, а отрезки связанных
ЛП. Ниже приведены конструкции подобных
фильтров.
На рис. 2 изображен ППФ на связанных МПЛ. Здесь использованы полуволновые резонаторы, разомкнутые на концах, так что связь между ними осуществляется за счет электрического поля.
На рисунке 3 изображен
похожий ППФ, но со связью за счет емкостей
между концами МПЛ. Так как добротность
МПЛ невелика, ППФ часто делают в виде
закрытой металлической коробки, внутри
которой располагаются четвертьволновые
резонаторы (рис. 4).
Эти резонаторы связаны друг с другом
за счет пространственного поля,
конструкция этого ППФ носит название
«встречно-штыревая». Добротность
резонаторов (штырей) значительно выше,
чем у МПЛ, потерь меньше и появляется
возможность создания более узкополосных
фильтров.
На рис. 5 показана структура волноводного ППФ. Здесь в качестве резонаторов используются отрезки волновода, ограниченные соседними диафрагмами, а сами индуктивные диафрагмы являются элементами связи между резонаторами. Схема прототипного фильтра приведена на рис. 6
26. СВЧ ППФ
Основой
для создания ППФ на сосредоточенных
элементах является ФНЧ, АЧХ и ФЧХ которого
смещаются из точки
в точки
,
где
‒ центральная частота полосы пропускания
ППФ. Для ФНЧ с идеальными (без потерь)
компонентами на частоте
для
получения единичного коэффициента
передачи сопротивления параллельных
элементов должны быть равными
бесконечности, а для последовательных
– нулю. На частоте среза
модули сопротивлений параллельных
элементов должны быть равными
,
а для последовательных ‒
.
Для обеспечения идентичности вида АЧХ
и ФЧХ ППФ характеристикам «прототипного»
ФНЧ необходимо, чтобы на частоте
для элементов ППФ выполнялись те же
требования, что для элементов ФНЧ на
частоте
,
а на частотах
‒ те же требования, что для элементов
ФНЧ на частоте
.
Из
первого условия следует, что параллельные
элементы ППФ есть параллельные резонансные
контуры с частотой резонанса
,
а последовательные элементы –
последовательные резонансные контуры
с такой же резонансной частотой.
Второе условие позволяет
определить
значения индуктивностей и емкостей
контуров. Обозначим эквивалентные
параметры параллельных резонаторов
индексами p,
а последовательных – индексами s,
и на основании обоих условий получим
выражения для определения всех
реактивностей ППФ:
Имея
в виду, что
,
где В
– полоса пропускания ППФ, последние 2
выражения примут вид:,
На
рис. 1 приведена схема прототипного ППФ
фильтра третьего порядка (порядок
определяется числом резонаторов). Часто
последовательные контуры практически
нереализуемы ввиду чрезмерно малых
или чрезмерно больших
.
В этом случае переходят к
ППФ на основе параллельных резонаторов,
связанных сосредоточенными реактивностями,
чаще всего емкостями.
.Т