
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
Рассеяние рентгеновских лучей происходит от атомов, которые мы мысленно располагаем на плоскостях. Это наиболее удобная модель. Разные атомы рассеиваются по-разному. Структурный фактор учитывает особенности атомов.
Определяют:
Ось элементарной ячейки и тип её симметрии.
Параметры элементарной ячейки
Сингонии.
Тип решётки Бравэ.
Пространственную группу симметрии (Фёдоровскую группу).
Интенсивность дифракционного максимума.
Расширяют дифракционную картину и строят карту распространения дифракционной (ядерной) плотности.
В 1912 году Вульф и Брэгг сформулировали теорию, которая объясняла интерференцию рентгеновских лучей.
Интерференция рентгеновских лучей в кристалле может быть представлена таким образом, считая, что эти лучи зеркально отражаются от атомных плоскостей. Однако это не полный аналог зеркального отображения в оптике. Так как кристалл частично прозрачен, и рентгеновские лучи всё-таки проникают вглубь кристалла и многократно отражаются от разных плоскостей, и, если фазы совпадают, то происходит усиление, если фазы не совпадают, то угасание.
DC - фронт волны рассеянных лучей - перпендикулярен направлению луча.
Для усиления необходимо, чтобы разность хода равнялась целому числу длин волн (фазы колебаний совпадают):
(1.32)
Условие
для усиления амплитуды волн -
(1.33)
Это(1.33)
и есть условие Вульфа-Брэгга. Если
разность хода не равна целому числу
волн, то интерференционного максимума
не наблюдается. Дифракция волн возникает,
если
.
Зная угол падения, всегда можно определить межплоскостное расстояние d, а это характеристика определённого типа плоскостей, по нему можно определить индексы Миллера h, k, l.
Д
опустим,
необходимо расшифровать структуру,
зная направление рассеянных лучей (
).
Дифракция при упругом рассеянии – изменение направления волны происходит без изменения длины волны.
Общее решение позволяет по-иному записать условие Вульфа – Брэгга.
волновой
вектор
вектор
рассеянного излучения
вектор
обратной решётки
Если
выполняется условие Вульфа – Брэгга,
то при упругом рассеянии
(1.34)
(1.34) - векторная формулировка условия Вульфа – Брэгга.
Вектор
-
образует множество точек, а совокупность
векторов это обратная решётка.
Используется волновой подход для анализа электронограмм. Каждый вектор характеризует определённую точку обратного пространства, а она в свою очередь отвечает определённому типу плоскости в прямом пространстве.
(1.35)
Возводя
выражение (1.35) в квадрат и учитывая, что
,
вычитая из каждой части квадрат модуля
.
(1.36)
– условие Вульфа – Брэгга в векторной
форме для зонной теории электронов.
По
формуле (1.34) , с учётом того, что
,
получим три выражения, которые связывают
параметры прямой решётки, индексы
Миллера (параметры обратной решётки) и
разность векторов, падающего и рассеянного
излучения.
(1.37)
Соотношение Лауэ (1.37) – позволяет определить направление интерференционных лучей при рассеянии первичного излучения на узлах кристаллической решётки. Эти уравнения полезны при описании симметрии и реальной структуры кристалла.
Используя (1.36) можно показать, что оно эквивалентно обычной форме записи условия Вульфа – Брэгга.
где
n
–порядок интерференции (порядок
отражения).
Используя интерференционное соотношение в векторной форме, путём геометрического построения обратной решётки и сферы отражения, можно определить направление отражения рассеянных лучей.
Впервые этот приём предложил Эвальд:
Условие упругого отражения .
Оба вектора начинаются и заканчиваются на узлах обратной решётки.
С
учётом условий 1),2), строим сферу
Эвальда, у которой
(сфера в обратном пространстве). Если
повернуть вектор на угол
,
сфера попадает в точку обратной решётки.
Сфера Эвальда позволяет определить
возможные направления рассеянных лучей,
это геометрическая интерпретация
условия Вульфа –Брэгга в векторной
форме.
Итог:
Возможные направления рассеянных лучей отвечают точкам пересечения сферы Эвальда с узлами обратной решётки.
Дифракционный максимум наблюдался в направлении, образующем угол в направлении вектора .
это вектор рассеяния при дифракции и он совпадает с вектором
обратной решётки.
Зная , можно определить индексы плоскостей прямой решётки.
Для определения распространения электронной плотности
в пространстве, нужно знать структурную амплитуду
(из интенсивности структурных рефлексов).