
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
Для определения неизвестной кристаллической структуры используют дифракционные методы.
Дифракция – это огибание волнами препятствий, изменение направлений волн, падающих на кристаллическую решётку.
Методы подразделяются по виду воздействующих волн:
Рентгенография (электромагнитное излучение)
Электронография (поток электронов)
Нейтронография
Кристаллическое вещество- это дифракционная решётка, параметры которой – межплоскостные расстояния. Необходимое условие получения дифракционной картины: соизмеримость длины волны излучения с межатомным (межплоскостным) расстоянием.
§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
Рентгеновское
излучение имеет длину волны
метра.
(Взаимодействует с электронными
оболочками атомов.)
Плотность распространения электронов в пространстве: ρ=ρ(x, y, z), причём максимум электронной плотности совпадает с центром какого-нибудь атома.
(1.25)
(1.26).
Е=10-100кэВ – энергия рентгеновского излучения.
Излучение может быть:
Сплошное (ускоренные частицы тормозятся).
Характеристическое (узкие линии).
§1.11.2.Особенности электронного излучения.
Электронное
излучение имеет длину волны:
(1.27)
(1.28)
Е- энергия частицы , m-масса электрона
Электрон взаимодействует с электростатическим потенциалом, но по волновым законам.
φ =φ (x,y,z).
В электронографии используется 2 вида электронов:
ДМЭ: Так как электроны имеют заряд, они сильно взаимодействуют с материалом. Глубина проникновения частиц с зарядом меньше , чем у частицы без заряда. Этот вид дифракции используют, когда нужно исследовать структуру тонких плёнок и поверхностных слоёв. Дифракция медленных электронов (Е=1-150 эВ)
ДБЭ: Используют для исследования более глубоких слоёв. Обычно для регулирования глубины исследуемого слоя электроны направляют под углом. В зависимости от глубины, параметры различны, так как во внешних слоях существуют различные дефекты. Дифракция быстрых электронов (Е= 10-30 кэВ)
Замечание:
так как электроны взаимодействуют с
электростатическим потенциалом, то
интенсивность электронной дифракции
по отношению к рентгеновской в миллион
раз выше (взаимодействие электрон-ядро
и рентген-квант – электрон по силе и
интенсивности дифракции отличаются в
раз).
§1.11.3. Нейтронография.
Нейтронография - это взаимодействие с дельтообразным потенциалом ядерных сил (нейтроны взаимодействуют с ядрами). Нейтронография применяется в случае необходимости анализа решёток, состоящих из лёгких атомов, у которых заряд ядра и электронная оболочка малы (кристаллический водород).
,
(1.29)
(1.30)
Если взять энергию нейтрона Е= 0,08эВ, (медленные или тепловые нейтроны), то ей будет соответствовать длина волны λ=1 Ǻ.
Несмотря на технические сложности (интенсивный монохроматический пучок нейтронов), нейтронография даёт наиболее полную информацию (пронизывает весь объект исследования)
Потоки медленных нейтронов несут информацию о тепловых колебаниях решётки, так как энергия этих колебаний близка к энергии тепловых электронов. С помощью нейтронографии можно получить фононный спектр.
Нейтроны имеют магнитный момент, наличие которого позволяет использовать их в изучении магнитных кристаллов.
Вне магнитных кристаллов нейтроны взаимодействуют с ядрами. Это в 100 раз ниже по интенсивности, чем рентгеновское излучение.
Нейтронография позволяет изучать распространение изотопов в кристаллической решётке.
§1.11.4.Дополнительные неволновые методы исследования структуры кристалла. Ионография и протонография (пучок ускоренных протонов – ядер водорода).
Данные методы исследования структуры являются более показательными, хотя менее точными, чем предыдущие, описанные ранее.
Определение
атомной структуры – это, в первую
очередь, определение функций
.
Максимум этих функций соответствует
равновесному положению атомов в
кристалле, а методы основаны на общих
принципах дифракции (так как волновая
природа процессов).
периодическая
функция, поэтому её можно представить
в виде:
(1.31)
структурная
амплитуда (или структурный фактор),
которая зависит от геометрии решётки
(от её симметрии) – это некая функция,
определяющая интенсивность дифракционных
рефлексов на рентгенограмме.
индексы
интерференции (индексы Миллера).
-
фазовый множитель – это фаза отражённой
волны. В центросимметричном кристалле,
который обладает центром симметрии
.
Чтобы
расшифровать кристаллическую структуру,
нужно найти
,
определить индексы Миллера для каждого
рефлекса на рентгенограмме.
Набор
рефлексов даёт дифракционную картину
из плоскостей. Для определения индексов
Миллера нужно знать угол падения пучка
(зависимость интенсивности от угла
).