
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
координат, то задание направления происходит при помощи чисел [[m, n, p]] , причём не обязательно, что 2 узла
З
адание
плоскостей:
Плоскость задаётся тремя точками, h, k, l – индексы Миллера.
(1.7)
(1.8)
Формула (1.8) – это уравнение плоскости.
Пусть
D=
,
тогда
(1.9)
(1.10)
Алгоритм отыскания индексов Миллера:
Выразить плоскость с помощью m, n, p в единицах постоянной решётки.
Найти обратные величины
Найти общий знаменатель.
Вычислить индексы Миллера, которые обратно пропорциональны числам
m, n, p.
Плоскости, характеризующиеся кратными индексами Миллера, называются эквивалентными и образуют систему плоскостей.
Свойства индексов Миллера:
Если плоскость параллельна какой-либо из кристаллографических осей, то соответствующий индекс равен 0.
Если плоскость параллельна двум кристаллографическим осям, то 2 индекса равны нулю.
Если плоскость отсекает отрицательный отрезок, то индекс Миллера отрицательный.
Если плоскость проходит через начало координат (m, n, p = 0), тогда плоскость нужно перенести параллельно самой себе на любую величину, найти индексы Миллера и найти систему плоскостей, (минимальное, целое, положительное - по алгоритму).
§1.9. Обратная решётка.
Обратная решётка нужна для рассмотрения вопросов, связанных с влиянием периодичности структуры на физические характеристики твёрдого тела. Все волновые процессы наиболее удобно анализировать с помощью обратного пространства.
Прямой решётке можно поставить в соответствие другую пространственную решётку (сопряжённая решётка). Обратная решётка не существует в реальном пространстве, но это удобная математическая абстракция (модель).
а1,а2,а3 – прямая решётка
b1,b2,b3 – обратная решётка
Связь:
(1.11)
В
знаменателе – объём
элементарной ячейки V0
,он постоянен.
Если в обратной решётке построить
параллелепипед на векторах
,
то получится элементарная
ячейка обратной решётки,
объём которой равен обратной величине
объёма элементарной ячейки прямой
решётки.
(1.12)
(1.13)
(1.14)
Замечание:
Векторы обратной решётки измеряются в обратных единицах длины 1/м, 1/см, 1/мм.
Симметрия прямой решётки совпадает с симметрией обратной решётки.
Любой вектор обратной решётки перпендикулярен векторам прямой решётки, имеющим индексы, отличные от индексов вектора обратной решётки. Это значит, что вектор обратной решётки перпендикулярен конкретной плоскости в прямой решётке.
4)Систему плоскостей{ h, k, l} можно представить точкой (узлом).
{h, k, l}→ [[h, k, l]]
5)
Систему плоскостей {h,
k,
l}
можно представить точкой [[h,
k,
l
]] через вектор
,чтобы
он был перпендикулярен плоскости
{h,k,l},
а его длина равна величине обратной
межатомному
расстоянию
– это расстояние между двумя плоскостями.
6)Чем более плотно упакованная решётка, тем индексы Миллера меньше.
(1.15)
Используя этот приём, получим множество точек с индексами h, k, l, которые образуют новую (обратную) решётку, где каждый узел соответствует определённому типу плоскости в прямой решётке .
Следствия:
Можно показать, что простые решётки Бравэ, входящие в 7 сингоний, тоже являются простыми и относятся к тем же кристаллографическим системам. (Симметрия совпадает.)
Можно показать, что обратная решётка прямых гранецентрированных решёток Бравэ (ромбическая, тетрагональная, кубическая) является объёмно-центрированной решёткой (ОЦР) той же сингонии и наоборот. (Свойство сопряжённости). Без разницы какую решётку считать прямой, какую обратной. Свойства сохраняются. (ОЦР ГКЦ).
Прямой решётке с центрированным базисом отвечает решётка также с центрированным базисом.