
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
Строгое рассмотрение поведения электронов в кристалле требует решения уравнения Шредингера для системы большого числа частиц (ядер и электронов). В общем случае стационарное уравнение Шредингера имеет вид:
,
где (5.1.)
-
оператор Гамильтона,
- волновая функция, зависящая от координат всех частиц системы.
-
плотность вероятности распределения
электронов и ядер в пространстве,
,
где
ri – радиус-вектор i–го электрона,
Ri - радиус-вектор i–го ядра.
Уравнение Шредингера будет иметь решение при вполне определенных значениях Е. Совокупность разрешенных значений Е носит название энергетического спектра твердого тела. Т.к. число частиц, входящих в систему, велико, то уравнение Шредингера не имеет точного решения, а существуют лишь приближения:
Адиабатическое. Поскольку Мяд>>mэл, можем считать ядра не подвижными, а следовательно, их кинетическая энергия равна нулю, а потенциальная – постоянна. Таким образом, задается геометрия решетки.
Валентная аппроксимация. Уравнение записывается только для валентных электронов, которые движутся вокруг неподвижных атомных остовов (остов включает в себя ядро и электрон).
В случаях 1 и 2 задача упрощается, но не решается.
Одноэлектронное приближение (метод Харди - Фока). Многоэлектронная задача сводится к одноэлектронной. Для этого потенциальная энергия взаимодействия i-го электрона с остальными заменяется на энергию взаимодействия этого же электрона с неким эффективным полем, характеризующим электронное состояние: Ui=
. Многоэлектронное уравнение может быть сведено к системе одноэлектронных уравнений Шредингера
. Условия перехода для одноэлектронного приближения:
и
.
Эффективное поле – это полная энергия электрона, равная:
,
где (5.2.)
-
энергия, характеризующая электрон –
электронное взаимодействие;
-
энергия, описывающая взаимодействие
электрона с кристаллической решеткой.
Поскольку
гамильтониан
имеет смысл энергии электрона, а она в
свою очередь складывается из потенциальной
и кинетической энергий, можно записать:
.
(5.3.)
С учетом соотношения (5.3.) уравнение (5.1.) имеет вид:
,
(5.4.)
причем
потенциальная энергия
принимает следующие значения:
=0
для свободного электрона;
0
для электронов в кристалле. Решения
уравнения Шредингера ищут в виде:
1.
для свободного электрона (здесь А –
постоянная, не зависящая от координат
электрона).
2. Для электрона в кристалле решение уравнения будет иметь более сложный вид:
,
где
- функция
Блоха –
некая периодическая функция с периодом,
равным периоду решетки, и определяющая
вероятность нахождения электрона в той
или иной области кристалла. В пределах
каждой элементарной ячейке она зависит
от координаты электрона и повторяется
периодически при переходе от одной
ячейки к другой.
Рассмотрим
графически вид функции
на примере цепочки атомов (Рис.5.2.)
Из
рис.5.2. видно, что функция
для электрона в пределах элементарной
ячейки может быть близка к волновой
функции
если электрон находится глубоко в
потенциальной яме. В пределах одной
зоны
зависит
от волнового вектора (определяется его
модулем). При переходе из одной зоны в
другую
определяется
номером зоны n.
Следовательно, и функция
так же зависит от номера зоны и модуля
волнового вектора.
Теорема Блоха.
Волновые функции электрона в кристалле, являющиеся решениями уравнения Шредингера с периодическим потенциалом, представляют собой плоские волны, модулированные периодической функцией с периодичностью решетки кристалла:
(5.5.)
Комментарии.
1. - волновой вектор электрона, характеризующий квантовое состояние электрона в кристалле, [ ]=см-1.
2.
Физический смысл вектора
-
это число длин волн электронов в
кристалле, укладывающихся на отрезке
2:
.
3. От волнового вектора зависит энергия электрона в кристалле. Следовательно уравнение (5.1.) запишется в виде:
,
где (5.6.)
Е( ) – дисперсионная зависимость, определяющая все энергетические уровни электрона. Нахождение Е( ) является важнейшей задачей в физике твердого тела.
Заметим,
что потенциальная энергия V,
определяемая формулой
,
имеет два крайних значения:
1)
Если U0,
,
то имеет место только электрон –
электронное взаимодействие, т.е. электрон
является свободным. Такое взаимодействие
соответствует зоне проводимости, когда
электрон находится выше барьера
запрещенной зоны (см. Рис.5.2.). Этот случай
называют приближением слабой связи.
2)
Если
0,
,
то электрон находится в валентной зоне.
Такое состояние называют приближением
сильной связи.