
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
Основные выводы по разделу IV.
Существует определенная связь между геометрией кристалла и характером тепловых колебаний, на основе которой можно классифицировать колебательные состояния по волновым векторам, значения которых лежат в первой зоне Брилюэна обратного пространства.
Любой точке k-пространства соответствуют определенные физическое и колебательное состояния решетки.
Энергия колебаний решетки квантована. Квантом является фонон – квазичастица, имеющая квазиимпульс р и энергию
.
Закономерности колебательного движения атомов в кристалле можно рассматривать в адиабатическом приближении, игнорируя движение электронов.
гармоническое приближение дает возможность рассматривать колебательную систему, состоящую из множества взаимодействующих частиц, как систему невзаимодействующих; кристалл в рамках приближения - выглядит как совокупность невзаимодействующих осцилляторов. Но существует ряд свойств (тепловое расширение, теплопроводность), которые описываются с учетом эффектов ангармоничности, т.е. взаимодействия осцилляторов между собой.
Можно игнорировать движение ядер, учитывая лишь изменение потенциальной энергии электронов в поле ядер, поскольку ядра движутся гораздо медленнее, чем электроны (адиабатическое приближение).
Раздел V: основы электронной теории.
§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
В основе данной классификации лежат электрические свойства веществ. Удельная электропроводность для разных типов твердых тел принимает значения:
металлы: м=104106 Ом-1см-1;
диэлектрики: д=10-1010-14 Ом-1см-1;
полупроводники: п/п=10410-10 Ом-1см-1;
сверхпроводники: с/п (Т0).
Заметно, что электропроводность меняется в очень широком диапазоне, причем при переходе из одной группы твердых тел в другую значения могут перекрываться (для Si =10-5103 Ом-1см-1,а для CdS =10-12103 Ом-1см-1). Следовательно, классификация твердых тел по электропроводности не является однозначной.
Рассмотрим зависимость электропроводности от температуры:
Если
, то данное твердое тело обладает активационным типом проводимости (здесь Е – потенциальный энергетический барьер). Таким типом проводимости обладают, например, диэлектрики и полупроводники.
При достаточно высоких температурах (Т>D)
, а в области низких температур (Т<D) обратная зависимость (Т) усиливается:
.
У
некоторых металлов при низких температурах
проявляется критическое (сверхпроводящее)
состояние, соответствующее температуре
Тс
(Рис.5.1.)
Для сверхпроводимости металлов существуют теории Лоренца, Друдде. Поскольку эти теории не учитывают квантовый характер электронного газа, была разработана еще одна теория Зоммерфельдом. Однако, все эти теории не дают четкого представления о том, почему диапазон изменения электропроводности настолько широк, т.к. при формировании этих теорий не учитывались взаимодействие между электронами и влияние кристаллической решетки на движение электронов.
Немецкий физик Феликс Блох учел это взаимодействие электронами и кристаллической решеткой, что привело к созданию зонной теории твердых тел.