
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
К узлу пространственной кристаллической решётки можно привязать атом или группу атомов, тогда это кристаллическая структура (решётка – это лишь алгоритм).
Кристаллическая решётка подчёркивает периодичность. С каждой точкой решётки связана некоторая группа атомов – базис, который периодически повторяются в пространстве и образует реальную кристаллическую структуру.
Кристаллическая структура = Кристаллическая решётка + Базис
Свойства кристаллической решётки:
Все точки кристаллической решётки эквивалентны, причём принцип эквивалентности носит общий характер и в физическом, и в геометрическом смысле.
В геометрическом смысле нет разницы между двумя точками, в физическом смысле – это одинаковые базисы с одинаковой ориентацией.
Решётка обладает свойством трансляции – это параллельное перемещение.
Вектор трансляции
(1.4)
где a, b, c наименьшие основные вектора трансляции; m, n, p индексы, причём их целочисленность – совмещение точки самой с собой.
Н
действует не на одну точку, а на решётку
в целом. Зная индексы m,
n,
p
узла, можно определить положение узла
в пространстве. Вектор
всегда кратен векторам
.
Можно записать выражение, определяющее
базис кристаллической
решётки:
(1.5)
-
коэффициенты, которые характеризуют
доли основных векторов.
,
j
– номер атома в базисе, j=1,2,3…
Базис – это набор векторов, которые определяют местоположение центров атомов базиса относительно точки пространственной решётки (узла).
Пространственная решётка – это совокупность векторов трансляции.
Координаты узла задаются как [[m n p]] .
Период решётки (трансляции) – модули .
§1.3.1. Элементарная ячейка.
Элементарная ячейка включает всю информацию о свойствах решётки и кристалла в целом. Это минимальная часть кристаллической структуры, которая обладает всеми свойствами макро- кристалла.
Типы элементарных ячеек:
1)Примитивная
элементарная решётка
– это основной элементарный параллелепипед
(возможно косоугольный – смотри рис.1.4),
который можно транслировать и который
характеризуется шестью параметрами a,
b,
c,
,
где модули a,
b,
c
– постоянные решётки). Косоугольная
система координат выбирается так: начало
координат – узел кристаллической
решётки.
Свойства примитивной элементарной ячейки:
Минимальный объём вычисляется через смешанное произведение векторов
(1.6)
В объёме примитивной элементарной ячейки содержится всего 1 узел решётки (свойство примитивности).
Способов выбора примитивной элементарной ячейки (бесконечной пространственной ячейки) бесконечно много.
Обозначение: P – примитивная ячейка.
Примитивная элементарная решётка используется для решения частных случаев, так как не всегда даёт полную информацию о свойствах кристалла. Поэтому вводят сложную ячейку.
2) Сложная ячейка
По характеру и значению её параметров можно выделить 7 типов:
Триклинная
Моноклинная
Ромбическая
Гексагональная
Ромбоэдрическая
Тетрагональная
Кубическая
Сложная ячейка одержит максимальное число прямых углов по возможности с минимальным объёмом. Число узлов больше 1 , совокупность координат узлов, приходящихся на сложную элементарную ячейку, называют базисом ячейки.
Таблица 1.
Тип ячейки |
Базис |
Рисунок |
Свойства |
J ячейка объёмно-центрированая |
А[[0;0;0]] B[[1/2;1/2;1/2]] |
|
Рещётка обратима, то есть её можно класть на бок, меняя выбор начала координат. |
C ячейка базоцентрированая |
A[[0;0;0]] B[[1/2;1/2;1/2]] |
|
---------------------- |
F ячейка гране-центрированая |
A[[0;0;0]] B[[0;1/2;1/2]] C[[1/2;01/2]] D[[1/2;1/2;0]]
|
|
Частным случаем этой решётки является гране-центрированая кубическая. |
Примечание: координаты базиса даются в долях периода a,b,c.