
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
§3.5. Вакансионные комплексы.
При ненулевой температуре минимум энергии обеспечивается созданием дефектов. Если температура достаточно высока, то процесс образования дефектов осложняется, так как увеличивается их концентрация. Вместо одиночных дефектов образуются уже комплексы дефектов. Комплексы из точечных дефектов называются кластерами.
При
образовании кластеров при высокой
температуре происходит объединение
вакансий, вследствие чего образуются
пустоты, имеющие изменение координат.
Суммарная энергия, которая нужна для
образования дивакансии, при этом может
быть меньше энергии, необходимой для
объединения двух моновакансии, то есть
<2
(где
-
энергия образования дивакансии и
- энергия образования моновакансии).
Это объясняется тем, что для дивакансий
число разрываемых связей меньше, чем
для моновакансий. Большое значение в
этом вопросе имеет и ориентация вакансий
в пространстве.
Зная
энергию связи дивакансии
и
энергию образования моновакансии, можно
найти энергию образования дивакансии:
,
(3.19)
зная которую можно определить равновесную концентрацию дивакансий.
Введем следующие обозначения:
-
число равновесных дивакансий;
N - число атомов в решетке;
Z – координационное число атомов в решетке;
– число соседних
пар узлов в решетке, по которым
распределяются
существующие дивакансии.
Термодинамическая вероятность в данном случае:
.
(3.20)
Найдем приращение конфигурационной энтропии за счет образования дивакансий:
.
(3.21)
Тогда
.
(3.22)
Для определения равновесной концентрации дефектов минимизируем :
,
откуда
.
(3.23)
Найдем относительную концентрацию дивакансий:
(3.24)
где
- относительная концентрация дивакансий,
а
– относительная концентрация моновакансий.
То есть
-
(3.25)
Замечания:
1)Важнейший параметр формулы (3.25), определяющий равновесную концентрацию дивакансий, - энергия связи. Она постоянна для данного кристалла.
Для металлов она лежит в пределах от 0,05эВ до 0,5эВ.
2)Концентрация дивакансий растет с увеличением энергией связи, несмотря на то, что она достаточно мала.
3)Энергия образования моновакансий больше, чем энергия связи дивакансий. Это приводит к тому, что с увеличением температуры концентрация дивакансий возрастает, но остается меньше концентрации моновакансий.
При
комнатной температуре
,
то есть при данных условиях ею можно
пренебречь.
Аналогично можно определить и равновесную концентрацию тривакансий:
,
где (3.26)
-
комбинаторный множитель, учитывающий
число независимых
ориентаций тривакансий;
-
дополнительный множитель, определяющий
энергию связи
дивакансии;
-
дополнительный множитель, определяющий
энергию связи
тривакансий.
И, наконец, выражение для определения равновесной концентрации n – вакансионного комплекса, - энергия связи вакансий примесных атомов.
(3.27)
Замечания:
1)Из формулы (3.27) видно, что с увеличением температуры равновесная концентрация также увеличивается.
2)Энергия комплекса “примесь – вакансия” состоит из энергии взаимодействия между примесью и вакансией и энергии деформации. Это обеспечивает дополнительный энергетический выигрыш: примесный атом раздвигает решетку, но рядом находится вакансия, благодаря чему энергия компенсируется.
3)Теоретически рассчитать энергию связи комплекса “примесь – вакансия” очень сложно. Но экспериментально установлено, что она близка к энергии связи дивакансии и находится в интервале от 0,01эВ до 0,3эВ.