
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
§2.4 Ионные кристаллы.
Ионные кристаллы представляют собой соединения с преобладающим ионным характером химической связи, в основе которой лежит электростатическое взаимодействие между заряженными ионами. Типичными представителями ионных кристаллов являются галогениды щелочных металлов, например, со структурой типа NaCl и CsCl.
§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
При образовании кристаллов типа каменной соли (NaCl) атомы галогенов (F,Cl,Br,I), обладающие большим сродством к электрону захватывают валентные электроны щелочных металлов (Li, Na, K, Rb, Cs ), имеющих низкие ионизационные потенциалы, при этом образуются положительные и отрицательные ионы, электронные оболочки которых подобны сферически симметричным заполненным s2p6 – оболочкам ближайших инертных газов ( на пример, оболочка Na+ оболочке Ne, а оболочка Cl- оболочке Ar). В результате кулоновского притяжения анионов и катионов происходит перекрытие шести внешних p-орбиталей и образуется решетка типа NaCl, симметрия которой и координационное число, равное 6, отвечают шести валентным связям каждого атома со своими соседями. Существенным является то, что при перекрывании p-орбиталей имеет место понижение номинальных зарядов (+1 для Na и –1 для Cl) на ионах до небольших реальных значений вследствие сдвига электронной плотности в шести связях от аниона к катиону, так что реальный заряд атомов в соединении оказывается, например, для Na равным +0.92е, а для Cl – отрицательный заряд становится также меньше –1е.
По написанному механизму образуются не только галогениды щелочных металлов, но также нитриды, карбиды многоковалентных переходных металлов, большинство которых имеют структуру NaCl.
В силу того, что ионная связь ненаправленна и ненасыщенна, для ионных кристаллов характерны большие координационные числа.
Основные особенности ионных кристаллов хорошо описываются с помощью принципа плотнейших упаковок из шаров определенного радиуса:
Если атомы или ионы представить очень малыми несжимаемыми твердыми шарами, между которыми действуют силы взаимного притяжения и отталкивания, то особенности строения большинства кристаллических структур можно понять условно, рассматривая их как пространственную упаковку таких шаров. Такая упаковка должна обладать симметрией и компактностью.)
Так, в структуре NaCl крупные анионы Cl кубическую плотнейшую упаковку. Таковы структуры KCl и RbCl, и многих других соединений. Координационные числа катионов, размеры которых всегда меньше, чем размеры анионов, зависят от отношения радиусов анионов и катионов.
В ионных кристаллах притяжение, главным образом, обусловлено, кулоновским взаимодействием между заряженными ионами. Кроме притяжения между разноименно заряженными ионами существует также отталкивание, обусловленное, с одной стороны, отталкиванием одноименных зарядов, с другой стороны принципа запрета Паули, поскольку каждый ион обладает устойчивыми электронными конфигурациями инертных газов с заполненными электронными оболочками.
В условиях, когда одновременно существуют силы притяжения и силы отталкивания, устойчивость ионных кристаллов определяется тем, что расстояние между разноименными зарядами меньше, чем между одноименными. Поэтому силы притяжения преобладают над силами отталкивания.
При расчете энергии сцепления ионных кристаллов исходят из классических представлений, считая, что ионы находятся в узлах кристаллической решетки, их кинетическая энергия пренебрежимо мала и силы, действующие между ионами, являются центральными.
Выражение
для энергии взаимодействия между двумя
ионами i
и j,находящимися
на расстоянии
,
друг от друга, в кристалле, образованном
из ионов с зарядами
e
и
e,
содержит два члена:
,
(2.19)
где первый член соответствует потенциалу сил притяжения при кулоновском взаимодействии, а второй - потенциалу сил отталкивания.
Полагая
,
где
-расстояние
между ближайшими соседними ионами, и
суммируя по всем ионам при
,
найдем
энергию взаимодействия i-го
иона со всеми другими ионами:
(2.20)
Здесь
,
(2.21)
структурные суммы. Структурная сумма А получила название постоянной Маделунга, она зависит от координационного числа и типа кристаллической структуры. Знаки плюс и минус, если
-й ион заряжен отрицательно, относятся соответственно к положительным и отрицательным ионам.
Замечания по формуле (2.21):
При расчетах постоянной Маделунга надо быть предельно внимательным, поскольку A представляет собой условно сходящийся ряд, и его сумма зависит от порядка суммирования.
Пример 2: В качестве примера рассмотрим расчет постоянной Маделунга для структуры NaCl . Выберем отрицательный ион Сl за исходный. Обозначим r ближайшее расстояние между ионами С1- и Na+. Тогда
.
(2.22)
Числа
+6,
-12,-8,-6,+24
и т. д. появляются из-за того, что на
расстоянии
ион|С1-
окружен
6 ионами
Na+,
на расстоянии
ионами
С1-,
следующая группа состоит из
8 ионов Na+
на расстоянии
,
затем располагаются 6 ионов Cl-
на расстоянии
,
потом
24 иона Na+
на расстоянии
и т. д.
Чтобы обеспечить сходимость ряда (2.22), необходимо члены ряда располагать так, чтобы его положительная и отрицательная части почти компенсировали друг друга. В нашем примере такая процедура приводит для NaCI к A= 1,748.
Используя выражение (2.20), запишем полную энергию решетки кристалла , содержащего 2N ионов, в виде:
.
(2.23)
Обычно энергию сцепления ионных кристаллов рассчитывают не на один, а на пару ионов, поэтому мы взяли кристалл, который содержит 2N ионов, следовательно, в (2.23) N означает число ионных пар.
В равновесном состоянии ( ) энергия минимальна.
Отсюда, учитывая условия минимума, энергия сцепления ионного кристалла в расчете на ионную пару составит:
(2.24)
(формула Борна—Ланде).
Если
считать, что известны заряды ионов и
структура кристалла (откуда можно
определить постоянную
Маделунга
и
), то для вычисления энергии сцепления
нужно знать еще n-
показатель
степени в потенциале сил отталкивания.
Показатель обычно определяют из
сжимаемости
кристалла
.
По определению,
,
(2.25)
где V-объем кристалла; р-давление. При OK dU=-pdV.
Замечания:
Формула (2.25) для энергии сцепления ионного кристалла, полученная в теории Борна—Ланде, не является чисто теоретической, так как величины п, расхождение расчетных данных с экспериментальными, как правило, необходимые для расчетов, определяются экспериментально. При этом не превышает 3%.
Согласие между экспериментом и теорией можно улучшить, если в формуле (2.23) для энергии вместо борновского степенного потенциала сил отталкивания использовать более реальный экспоненциальный потенциал
. В этом случае энергию кристалла запишем в виде:
.
(2.26)
Найдем
экстремум функции при
.Тогда
формула для энергии
сцепления
кристалла примет вид
(2.27)
(Формула Борна-Майера)
Выводы:
Существенным преимуществом формулы (2.27) для энергий сцепления является то, что она теоретически более обоснована, а самое главное-величина
изменяется несравненно меньше, чем п. Максимальное отклонение от среднего значения р=0,345 не превышает 6%.
В общем случае при расчете энергии сцепления ионных кристаллов необходимо также учитывать нулевые колебания решетки и молекулярные силы взаимодействия. При таком учете формула Борна—Майера для энергии сцепления ионного кристалла, приходящейся на одну ионную пару, имеет вид
,
(2.28)
где
-энергия
Ван-дер-Ваальса;
-энергия
нулевых колебаний.
Указанные уточнения не сказываются на основном выводе о том, что около 90% энергии сцепления обусловлено кулоновскими силами притяжения. Радиус действия этих сил достаточно велик, так как потенциал, который обратно пропорционален расстоянию, меняется довольно медленно.