
- •Раздел 1. Строение кристалла в геометрии кристаллической решётки.
- •§1.1.Классификация состояний твёрдого тела.
- •1.Кристаллические
- •§ 1.2. Кристаллическая решётка. Её свойства.
- •Б) кристаллическая структура (физическая реальность)
- •Вектор трансляции
- •§1.3.1. Элементарная ячейка.
- •2) Сложная ячейка
- •§1.3.2.Наиболее распространённые типы кристаллических структур.
- •§1.4. Симметрия кристалла.
- •§1.4.1.Виды симметрии.
- •§1.4.2. Элементы симметрии.
- •§1.5. Точечные и пространственные группы.
- •§1.6.Решётки Бравэ.
- •§1.7.Решётка Вигнера-Зейца.
- •§1.8. Задание узлов направлениями плоскостей в кристалле. Индексы Миллера.
- •Направления задаются двумя точками, но так как одна из них находится в начале
- •§1.9. Обратная решётка.
- •§1.10.Зона Бриллюэна.
- •§1.11. Определение атомной структуры кристалла.
- •§1.11.1.Особенности использования рентгеновского излучения для анализа кристаллической структуры.
- •§1.11.2.Особенности электронного излучения.
- •§1.11.3. Нейтронография.
- •§1.12.Основы геометрической теории дифракции.
- •Раздел II. Основные типы связи в твердых телах.
- •§2.1 Классификация твердых тел. Тип связи.
- •§2.2 Энергия связи.
- •§2.3 Молекулярные кристаллы.
- •§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
- •§2.4 Ионные кристаллы.
- •§2.4.1 Механизм образования ионной связи в кристаллах.
- •§2.5. Ковалентные кристаллы.
- •§2.5.1 Механизм образования ковалентной связи.
- •§2.6 Металлы.
- •§2.6.1 Механизм образования металлической связи.
- •§2.7 Водородная связь.
- •§2.8 Сопоставление различных видов связи.
- •Раздел III. Дефекты в твердом теле.
- •§3.1. Классификация дефектов.
- •В зависимости от типа исследований различают статические и динамические дефекты.
- •По происхождению дефекта различают дефекты, возникающие в процессе роста и обработки кристалла, под влиянием радиации.
- •§3.2. Равновесная концентрация дефектов по Шоттки.
- •§3.3. Равновесная концентрация дефектов по Френкелю.
- •§3.4. Влияние колебательной энтропии на концентрацию дефектов.
- •§3.5. Вакансионные комплексы.
- •§3.6. Неравновесные дефекты.
- •§3.7. Миграция дефектов.
- •Раздел IV: динамика кристаллической решетки
- •§ 4.1. Гармоническое и адиабатическое приближение. Нормальные колебания.
- •§ 4.2. Колебания однородной струны.
- •§ 4.3. Колебания цепочки с одноатомным базисом.
- •§ 4.4. Колебания линейной цепочки с двухатомным базисом.
- •§ 4.5. Колебания в трёхмерной решетке.
- •§ 4.6. Энергия нормальных колебаний. Понятие о фононах.
- •§ 4.7. Тепловые свойства твердых тел.
- •Теплоемкость.
- •Тепловое расширение.
- •Основные выводы по разделу IV.
- •Раздел V: основы электронной теории.
- •§ 5.1. Классификация твердых тел по электропроводности.
- •§ 5.2. Уравнение Шредингера для кристалла.
- •§ 5.3. Свойства волнового вектора электронов в кристалле
- •1. Свободный электрон.
- •2. Электрон в кристалле.
- •§ 5.4. Закон дисперсии для электронов в кристалле.
- •§ 5.5. Заполнение энергетических зон электронами.
- •§ 5.6. Динамические свойства электрона в кристалле.
- •§ 5.7. Приближение эффективной массы.
- •1. Центр зоны Бриллюэна (энергетическое дно):
- •2. Область вблизи точки а:
- •3. Область вблизи границ зоны Бриллюэна (верх энергетической зоны):
- •§ 5.8. Распределение электронных состояний внутри энергетической зоны.
- •§ 5.9. Распределение электронов по энергиям. Энергия Ферми.
- •§ 5.10. Экспериментальные методы исследования электронной структуры кристалла.
§2.3 Молекулярные кристаллы.
К
молекулярным кристаллам относятся
твердые тела, в узлах кристаллической
решетки которых располагаются либо
одинаковые молекулы с насыщенными
связями (
),
либо атомы инертных газов(
).
Одной из характерных особенностей молекулярных кристаллов является то, что частицы (атомы, молекулы) удерживаются вместе очень слабыми силами Ван-дер-Ваальса.
Энергия сцепления молекулярных кристаллов очень мала и составляет 0,02-0,15 эВ. Такие небольшие энергии сцепления обуславливают очень низкие температуры плавления.
Нейтральный изотропный атом (нейтральная молекула) может поляризоваться под влиянием электрического поля, причем даже два нейтральных изотропных атома индуцируют друг в друге малые дипольные электрические моменты.
§2.3.1 Происхождение сил Ван-дер-Ваальса.
Происхождение
сил Ван-дер-Ваальса объясняется тем,
что в атомах инертных газов внешние
электроны образуют очень прочные
устойчивые группировки из восьми
электронов в состояниях
,
вследствие чего на движение электронов
слабо влияет присутствие соседних
атомов .
В среднем распределение заряда в изолированном атоме имеет сферическую симметрию, положительный заряд ядра равен отрицательному заряду всех электронов, окружающих ядро, атом является электрически нейтральным, и центры зарядов лежат в центре ядра.
Если два таких атома находятся относительно далеко друг от друга, то они не взаимодействуют между собой. При сближении атомов подвижный отрицательный заряд одного из атомов в какой-то момент времени может оказаться смещенным, так что центры положительных и отрицательных зарядов уже не будут совпадать, в результате возникнет мгновенный дипольный электрический момент. Такое разделение зарядов (флуктуация) может возникнуть из-за увеличения энергии атома, например, в результате столкновения с другой частицей. Таким образом, в каждый отдельный момент времени атом может обладать отличным от нуля дипольным электрическим моментом, хотя в среднем по времени этот момент равен нулю.
Мгновенный дипольный момент атома создает в центре другого атома электрическое поле, которое наводит в нем также мгновенный дипольный момент, т.е. и в этом атоме происходит разделение зарядов. Таким образом, по мере приближения двух атомов друг к другу их стабильная конфигурация становится эквивалентной двум электрическим диполям
Так как притяжение более близких друг другу противоположных зарядов увеличивается при сближении сильнее, чем отталкивание более далеких одноименных зарядов, то результатом будет притяжение атомов друг к другу.
Было получено, что полная энергия двух взаимодействующих осцилляторов уменьшается из-за взаимодействия на величину, обратно пропорциональную шестой степени расстояния между ними:
,
(2.13)
где
собственная
частота простого гармонического
осциллятора;
-
постоянная Планка;
поляризуемость
осциллятора;
-
дипольный момент;
-
напряженность электрического поля; a-
постоянная.
Можно сделать выводы:
1) Уменьшение энергии (2.13) соответствует возникновению силы притяжения между осцилляторами.
2) Поляризуемость определяет оптические свойства кристаллов, в частности дисперсию света (изменение скорости в зависимости от частоты), поэтому молекулярные силы иногда называют дисперсионными.
3)С уменьшением
энергии, при сближении атомов возможно
при упорядочении в расположении дипольных
моментов. Это проявляется в согласованном
движении электронов в соседних атомах.
При взаимодействии атомов инертных
газов также имеет место обмен валентными
электронами. (Так, в кристаллической
решетке аргона на этот обмен приходится
энергии связи).
Молекулярные силы действуют не только между атомами инертных газов, но и между любыми другими атомами, когда они находятся достаточно близко друг к другу, т. е так, что движение электронов в других атомах испытывают радикального изменения, а только испытывает слабое возмущение.
При дальнейшем уменьшении расстояния между атомами электронные оболочки начинают перекрываться и между атомами возникают значительные силы отталкивания. Отталкивание в случае инертных газов, главным образом, появляется в результате действия принципа Паули. При перекрывании электронных оболочек электроны первого атома стремятся частично занять состояние второго. Поскольку атомы инертных газов имеют стабильные электронные оболочки, в которых все энергетические состояния уже заняты, то при перекрытии оболочек электроны должны переходить в свободные квантовые состояния с более высокой энергией, так как, согласно принципу Паули, электроны не могут занимать одну и ту же область пространства без увеличения их кинетической энергии. Увеличение кинетической энергии приводит к увеличению полной энергии системы двух взаимодействующих атомов, а значит, и к появлению сил отталкивания.
Для того чтобы суммарный потенциал имел минимум, необходимо, чтобы на малых расстояниях потенциал сил отталкивания был больше потенциала сил притяжения.
Полную потенциальную
энергию взаимодействия между двумя
атомами, находящимися на расстоянии
друг
от друга, можно записать в виде:
,
( 2.14)
где a и b- положительные постоянные.
Обычно вместо (2.14) для описания взаимодействия электрически нейтральных атомов и электрически нейтральных и неполярных молекул используют потенциал Леннарда-Джонса:
.
(2.15)
Потенциал (2.15)
зависит от двух параметров:
и
.
Параметр
соответствует межатомному расстоянию,
при котором полная потенциальная энергия
равна нулю, а параметр
имеет размерность энергии и равен
минимуму потенциальной энергии при
.
Расстояние
равно радиусу сферы непроницаемости
взаимодействующих атомов, а
характеризует радиус действия межатомных
сил. Параметры
и
получают из экспериментальных измерений
термодинамических величин.
Если
(2.15)
выразить в единицах расстояние r
между ближайшими соседями (
)
и затем (2.15) подставить в (2.16), то для
полной
потенциальной энергии решетки кристалла,
содержащего
N
атомов, получим выражение
,
где (2.16)
;
- структурные
суммы,
зависящие только от типа кристаллической
структуры.
Пример 1:
по данным Джонсона и Ингхама, для
ГЦК-решетки
при m=12
и
при m=6.
Отсюда очевидно, что, когда показатели
степени m
и n
большие, то вклад в структурную сумму
при вычислении энергии взаимодействия
i-го
атома со всеми остальными атомами
решетки вносят только ближайшие соседние
атомы.
Для нахождения
энергии сцепления кристалла необходимо
знать равновесное состояние
,
которое определяют из минимума энергии
(2.16):
(2.17)
Подставляя значение в формулу (2.16), получим для энергии сцепления молекулярного кристалла выражение
(2.18)
Замечание:
Чем выше масса атома (атомный номер), тем больше энергия сцепления и температура плавления молекулярных кристаллов. Это связанно с тем обстоятельством, что с повышением атомного номера элемента число электронов возрастает, электронная оболочка становится более рыхлой и легко деформируемой при взаимодействии атомов друг с другом, а это означает, что дипольный моменты увеличиваются, что и приводит к возрастании энергии сцепления. При одной и той же температуре и давлении разные вещества с различными атомными номерами в силу указанного обстоятельства могут находиться в различных агрегатных состояниях.
Итак, силы Ван-дер-Ваальса являются основными силами притяжения в случае кристаллов химически неактивных атомов и между молекулами с насыщенными связями в молекулярных кристаллах.
Строго говоря, силы Ван-дер-Ваальса не являются чисто парными силами, как это предполагается при вычислении энергии сцепления с использованием потенциала Леннарда-Джонса.
Ясно, что при взаимодействии двух атомов присутствие рядом третьего вызывает перераспределение положительных и отрицательных зарядов в атомах, а, следовательно, и изменение энергии взаимодействия между ними. В нейтральных атомах эти силы могут рассматриваться парными для больших расстояний, когда выполняются степенные законы:
и
.
В приближении парных взаимодействий силы Ван-дер-Ваальса, кроме того, являются центральными и коротко действующими, так как в выражение для силы притяжения входит расстояние в минус седьмой степени.