Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
шпора2.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
2.03 Mб
Скачать

39. Выходные характеристики

Э то зависимость

Р ис.3.13

Характеристики начинаются не с нуля. Напряжение Uk0 - несколько десятых долей вольта. Физический смысл Uk0: его величина такова, что ток инжекции эмитттера равен току инжекции коллектора. Они направлены в разные стороны и их сумма равна нулю

40. Температурный дрейф характеристик транзистора.

Схема с общей базой.

Выходные характеристики незначительно зависят от температуры

И зменение тока коллектора при постоянном токе эмиттера

О

(3.69)

тносительное изменение тока коллектора

α незначительно зависит от температуры.

Т

%/0C

емпературный коэффициент

В рабочем диапазоне температур это составляет 3-5% из-за небольшого увеличения диффузионной длины Lp при увеличении температуры.

В

имеет порядок 10-3 - 10-6 ,

торое слагаемое в выражении (3.69), мало т. к.

Т

(3.70)

емпературный дрейф входных характеристик имеет значительную величину

В рабочем диапазоне , поэтому показатель экспоненты отрицательный и с повышением температуры входной ток увеличивается и входные напряжения смещаются влево на величину 1-2 мВ на градус Цельсия (0С)

Схема с общим эмиттером.

В схеме с общим эмиттером выходные характеристики более существенно зависят от температуры.

Р ис 3.15

д ля схемы с общим эмиттером. При постоянном токе базы

О

(3.71)

тсюда видно, что при изменении из-за изменения температуры, например, на 3% при β=99 дрейф выходных характеристик в схеме с общим эмиттером составит 300% (β+1)≈100

Таким образом, при IБ=const, выходные характеристики существенно зависят от температуры.

При UБэ=const выходные характеристики имеют значительно меньший дрейф, т.к. это больше соответствует Iэ=const.

В схеме с общим эмиттером более целесообразным является работа транзистора при постоянном напряжении базы, а сопротивление в цепи базы должно быть возможно меньшим.

В ходные характеристики также зависят от температуры: при повышении температуры увеличиваются прямой и обратный токи базы, что связано с экспоненциальной зависимостью токов I11 и I12, определяющих входную характеристику

IБ

500

200

0

100 UБэ мВ

41. Нелинейная модель биполярного транзистора.

Если речь идет о радиопередающих аппаратах.

Анализ работы транзистора в режиме большого сигнала, когда имеют значение его нелинейные свойства, проводят по эквивалентной схеме Эберса-Молла

Рис.3.17

Схема состоит из двух диодов эмиттерного и коллекторного, включенных встречно, и двух источников тока, отображающих взаимодействие этих двух диодов. Токи эмиттера и коллектора определяются уравнениями:

Iэ=I1I2 (3.72)

Ik=αI1I2 (3.73)

α – коэффициент передачи тока эмиттера при обычном включении транзистора.

αi - при инверсном.

Токи диодов определяются уравнениями:

I1=I11 (expxUэБ – 1) (3.74)

I2=I22(expxUkБ – 1) (3.75)

Ток I11 и I22 измерены при UэБ=0 и UkБ соответственно.

О

(3.76)

бычно эти токи выражают через токи экстракции Iэ0 и Ik0, измеренные при Ik=0 и Iэ=0 соответственно.