
- •29. Технологические типы биполярных транзисторов Диффузионный метод.
- •30. Распределение потенциала, концентрация зарядов и токи в биполярном транзисторе.
- •31. Концентрация неосновных носителей зарядов.
- •32. Концентрация основных носителей зарядов в базе (p-n-p).
- •33. Особенности транзисторов с переменной концентрацией примесей в базе (дрейфовые транзисторы) Электрическое поле в базе.
- •Неравновесный заряд базы.
- •34. Ток эмиттера. Уравнение тока эмиттера.
- •Коэффициент инжекции.
- •35. Управляемый ток коллектора
- •36. Собственный ток коллекторного перехода.
- •Уравнение тока коллектора.
- •Ток базы.
- •37. Статические характеристики биполярного транзистора.
- •Входные характеристики.
- •Выходные характеристики.
- •38. Входные характеристики
- •39. Выходные характеристики
- •40. Температурный дрейф характеристик транзистора.
- •41. Нелинейная модель биполярного транзистора.
- •Предельные режимы работы биполярного транзистора. Рабочий диапазон температур.
- •Максимально допустимая рассеивымая мощность.
- •42. Тепловой пробой
- •Электрический пробой.
- •43. Влияние сопротивления в цепи базы.
- •45. Определение h- параметров по характеристикам
- •46. Система y-параметров
- •4 7. Система z – параметров.
- •48. Динамические свойства транзисторов.
- •Коэффициент передачи тока базы на вч (схема с общим эмиттером).
- •50. Частотная зависимость y – параметров.
- •53. Динамические модели биполярного транзистора.
- •Биполярный транзистор в режиме усиления.
- •56. Обобщённая модель усилителя.
- •57. Схема с общей базой.
- •5 8. Схема с общим эмиттером.
- •59. Схема с общим коллектором.
- •60. Частотный диапазон работы усилителя.
- •61. Полевые транзисторы. Транзисторы с p-n затвором. Общие сведения.
- •Теория транзистора с p-n затвором.
- •62. Влияние напряжения затвора на сопротивлении канала.
- •63. Влияние напряжения стока на процессы в канале.
- •64. Теоретическая вах.
- •Вах транзистора с p-n затвором.
- •65. Входные характеристики.
- •Передаточные (стоко-затворные) характеристики.
- •Входные характиристики.
- •66. Дифференциальные параметры транзистора с p-n затвором.
- •Коэффициент усиления по напряжению
- •67. Зависимость дифференциальных параметров от частоты.
- •68. Шумы усилительных транзисторов.
- •69. Шумовые параметры транзисторов.
- •71. Тиристоры.
- •72. Тиристорное включение транзисторов.
39. Выходные характеристики
Э
то
зависимость
Р
ис.3.13
Характеристики начинаются не с нуля. Напряжение Uk0 - несколько десятых долей вольта. Физический смысл Uk0: его величина такова, что ток инжекции эмитттера равен току инжекции коллектора. Они направлены в разные стороны и их сумма равна нулю
40. Температурный дрейф характеристик транзистора.
Схема с общей базой.
Выходные характеристики незначительно зависят от температуры
И
зменение
тока коллектора при постоянном токе
эмиттера
О
(3.69)
α – незначительно зависит от температуры.
Т
%/0C
В рабочем диапазоне температур это составляет 3-5% из-за небольшого увеличения диффузионной длины Lp при увеличении температуры.
В
имеет порядок 10-3 - 10-6 ,
Т
(3.70)
В
рабочем диапазоне
,
поэтому показатель экспоненты
отрицательный и с повышением температуры
входной ток увеличивается и входные
напряжения смещаются влево на величину
1-2 мВ на градус Цельсия (0С)
Схема с общим эмиттером.
В схеме с общим эмиттером выходные характеристики более существенно зависят от температуры.
Р
ис
3.15
д
ля
схемы с общим эмиттером. При постоянном
токе базы
О
(3.71)
Таким образом, при IБ=const, выходные характеристики существенно зависят от температуры.
При UБэ=const выходные характеристики имеют значительно меньший дрейф, т.к. это больше соответствует Iэ=const.
В схеме с общим эмиттером более целесообразным является работа транзистора при постоянном напряжении базы, а сопротивление в цепи базы должно быть возможно меньшим.
В
ходные
характеристики также зависят от
температуры: при повышении температуры
увеличиваются прямой и обратный токи
базы, что связано с экспоненциальной
зависимостью токов I11
и I12,
определяющих входную характеристику
IБ
500
200
0
100 UБэ мВ
41. Нелинейная модель биполярного транзистора.
Если речь идет о радиопередающих аппаратах.
Анализ работы транзистора в режиме большого сигнала, когда имеют значение его нелинейные свойства, проводят по эквивалентной схеме Эберса-Молла
Рис.3.17
Схема состоит из двух диодов эмиттерного и коллекторного, включенных встречно, и двух источников тока, отображающих взаимодействие этих двух диодов. Токи эмиттера и коллектора определяются уравнениями:
Iэ=I1 – I2 (3.72)
Ik=αI1 – I2 (3.73)
α – коэффициент передачи тока эмиттера при обычном включении транзистора.
αi - при инверсном.
Токи диодов определяются уравнениями:
I1=I11 (expxUэБ – 1) (3.74)
I2=I22(expxUkБ – 1) (3.75)
Ток I11 и I22 измерены при UэБ=0 и UkБ соответственно.
О
(3.76)