39. Выходные характеристики

Э то зависимость

Р ис.3.13

Характеристики начинаются не с нуля. Напряжение U_k0 - несколько десятых долей вольта. Физический смысл U_k0: его величина такова, что ток инжекции эмитттера равен току инжекции коллектора. Они направлены в разные стороны и их сумма равна нулю

40. Температурный дрейф характеристик транзистора.

Схема с общей базой.

Выходные характеристики незначительно зависят от температуры

И зменение тока коллектора при постоянном токе эмиттера

О

(3.69)

тносительное изменение тока коллектора

α – незначительно зависит от температуры.

Т

%/⁰C

емпературный коэффициент

В рабочем диапазоне температур это составляет 3-5% из-за небольшого увеличения диффузионной длины L_p при увеличении температуры.

В

имеет порядок 10^-3 - 10^-6 ,

торое слагаемое в выражении (3.69), мало т. к.

Т

(3.70)

емпературный дрейф входных характеристик имеет значительную величину

В рабочем диапазоне , поэтому показатель экспоненты отрицательный и с повышением температуры входной ток увеличивается и входные напряжения смещаются влево на величину 1-2 мВ на градус Цельсия (⁰С)

Схема с общим эмиттером.

В схеме с общим эмиттером выходные характеристики более существенно зависят от температуры.

Р ис 3.15

д ля схемы с общим эмиттером. При постоянном токе базы

О

(3.71)

тсюда видно, что при изменении из-за изменения температуры, например, на 3% при β=99 дрейф выходных характеристик в схеме с общим эмиттером составит 300% (β+1)≈100

Таким образом, при I_Б=const, выходные характеристики существенно зависят от температуры.

При U_Бэ=const выходные характеристики имеют значительно меньший дрейф, т.к. это больше соответствует I_э=const.

В схеме с общим эмиттером более целесообразным является работа транзистора при постоянном напряжении базы, а сопротивление в цепи базы должно быть возможно меньшим.

В ходные характеристики также зависят от температуры: при повышении температуры увеличиваются прямой и обратный токи базы, что связано с экспоненциальной зависимостью токов I₁₁ и I₁₂, определяющих входную характеристику

I_Б

50⁰

20⁰

0

100 U_Бэ мВ

41. Нелинейная модель биполярного транзистора.

Если речь идет о радиопередающих аппаратах.

Анализ работы транзистора в режиме большого сигнала, когда имеют значение его нелинейные свойства, проводят по эквивалентной схеме Эберса-Молла

Рис.3.17

Схема состоит из двух диодов эмиттерного и коллекторного, включенных встречно, и двух источников тока, отображающих взаимодействие этих двух диодов. Токи эмиттера и коллектора определяются уравнениями:

I_э=I₁ – I₂ (3.72)

I_k=αI₁ – I₂ (3.73)

α – коэффициент передачи тока эмиттера при обычном включении транзистора.

α_i - при инверсном.

Токи диодов определяются уравнениями:

I₁=I₁₁ (expxU_эБ – 1) (3.74)

I₂=I₂₂(expxU_kБ – 1) (3.75)

Ток I₁₁ и I₂₂ измерены при U_эБ=0 и U_kБ соответственно.

О

(3.76)

бычно эти токи выражают через токи экстракции I_э0 и I_k0, измеренные при I_k=0 и I_э=0 соответственно.