
- •29. Технологические типы биполярных транзисторов Диффузионный метод.
- •30. Распределение потенциала, концентрация зарядов и токи в биполярном транзисторе.
- •31. Концентрация неосновных носителей зарядов.
- •32. Концентрация основных носителей зарядов в базе (p-n-p).
- •33. Особенности транзисторов с переменной концентрацией примесей в базе (дрейфовые транзисторы) Электрическое поле в базе.
- •Неравновесный заряд базы.
- •34. Ток эмиттера. Уравнение тока эмиттера.
- •Коэффициент инжекции.
- •35. Управляемый ток коллектора
- •36. Собственный ток коллекторного перехода.
- •Уравнение тока коллектора.
- •Ток базы.
- •37. Статические характеристики биполярного транзистора.
- •Входные характеристики.
- •Выходные характеристики.
- •38. Входные характеристики
- •39. Выходные характеристики
- •40. Температурный дрейф характеристик транзистора.
- •41. Нелинейная модель биполярного транзистора.
- •Предельные режимы работы биполярного транзистора. Рабочий диапазон температур.
- •Максимально допустимая рассеивымая мощность.
- •42. Тепловой пробой
- •Электрический пробой.
- •43. Влияние сопротивления в цепи базы.
- •45. Определение h- параметров по характеристикам
- •46. Система y-параметров
- •4 7. Система z – параметров.
- •48. Динамические свойства транзисторов.
- •Коэффициент передачи тока базы на вч (схема с общим эмиттером).
- •50. Частотная зависимость y – параметров.
- •53. Динамические модели биполярного транзистора.
- •Биполярный транзистор в режиме усиления.
- •56. Обобщённая модель усилителя.
- •57. Схема с общей базой.
- •5 8. Схема с общим эмиттером.
- •59. Схема с общим коллектором.
- •60. Частотный диапазон работы усилителя.
- •61. Полевые транзисторы. Транзисторы с p-n затвором. Общие сведения.
- •Теория транзистора с p-n затвором.
- •62. Влияние напряжения затвора на сопротивлении канала.
- •63. Влияние напряжения стока на процессы в канале.
- •64. Теоретическая вах.
- •Вах транзистора с p-n затвором.
- •65. Входные характеристики.
- •Передаточные (стоко-затворные) характеристики.
- •Входные характиристики.
- •66. Дифференциальные параметры транзистора с p-n затвором.
- •Коэффициент усиления по напряжению
- •67. Зависимость дифференциальных параметров от частоты.
- •68. Шумы усилительных транзисторов.
- •69. Шумовые параметры транзисторов.
- •71. Тиристоры.
- •72. Тиристорное включение транзисторов.
71. Тиристоры.
Т
иристор
– это полупроводниковый прибор, основой
которого является
4-х слойная p-n-p-n структура.
Существуют три разновидности тиристоров:
Диодный тиристор, базы не имеют выводов.
Триодный тиристор (вывод p-базы имеет управляющий электрод)
Тетродный тиристор (у каждой базы есть управляющий вывод) (управляется током).
1 – область: на аноде положительное напряжение ( до 1000В в зависимости от типа) ток очень мал (единицы мкА). Тиристор – закрыт.
2 – область: тиристор обладает отрицательным сопротивлением.
3 – область: напряжение анода 1-2 вольта, а ток максимален.
4 – область: напряжение анода отрицательно (ток очень маленький). Тиристор закрыт.
Тиристоры из-за их инерционности применяют в основном в схемах автоматики.
72. Тиристорное включение транзисторов.
П
оложительная
обратная связь