57. Схема с общей базой.

Нагрузка R включена в коллекторную цепь последовательно с источником E_к. В цепь эмиттера включено усиливаемое напряжение U_вх и напряжение смещения E_э (эмиттера).

Схема с общей базой усиливает напряжение.

При каскадном включении усилителей с общей базой, нагрузкой первого каскада будет являться входное h_11Б следующего каскада. Поэтому K_U такого соединения будет примерно равно 1 (единице). Для каскадного включения усилителей с общей базой необходимы согласующие устройства (трансформаторы).

5 8. Схема с общим эмиттером.

Порядок K_U при одном и том же сопротивлении нагрузки R примерно такое же как и в схеме с общей базой

Усилитель с общим эмиттером имеет наибольший коэффициент усиления мощности по сравнению со всеми остальными схемами включения.

Входные и выходные сопротивления ближе по порядку, чем другие виды включения, поэтому эта схема применяется чаще чем другие виды схем включения.

59. Схема с общим коллектором.

Коллектор общий для входа и выхода.

Эта схема по фазе и по амплитуде повторяет напряжение эмиттера.

У этой схемы наибольшее входное и наименьшее выходное сопротивление

П о фазе и по амплитуде (K_U ≈ 1) входное и выходное напряжение совпадают. Эмиттерный повторитель.

60. Частотный диапазон работы усилителя.

Используется система Y-параметров на высокой частоте (ВЧ).

(4.58)

(4.59)

(В 4.58 откинули второе слагаемое, т.к. взаимная обратная проводимость мала)

Для обеспечения максимального усиления реактивного, составляющие входной и выходной проводимости должны быть скомпенсированы, а проводимость нагрузки должна быть равна входной активной проводимости транзистора G₂₂ .

Тогда коэффициент усиления по току

(4.60)

Для предельно высоких частот

; ;

(4.61)

При f = f_P, K_P = 1 поэтому

(4.62)

(4.63)

Частотный диапазон биполярных транзисторов ограничивается распределённым сопротивлением и ёмкостью C_кБ.

61. Полевые транзисторы. Транзисторы с p-n затвором. Общие сведения.

Полевым транзистором (ПТ) называют п. п приборы у которых для управления током используется зависимость сопротивления токопроводящего слоя от напряжённости поперечного электрического поля. Слой полупроводника, в котором регулируется поток носителей зарядов, называют каналом. Поле, воздействующее на сопротивление канала создаётся электродом, расположенным над каналом – это затвор. Затвор должен быть электрически изолирован от канала. В зависимости от способа изоляции различают транзистор: с управляющим p-n переходом ( с p-n затвором ), и изоляция затвора от канала осуществляется обеднённым слоем p-n перехода.

Транзисторы с металло-полупроводниковым затвором ( с затвором Шотки ). Изоляция затвора от канала осуществляется обеднённым слоем m-p или m-n перехода ( металл-p, металл-n ).

Т ранзисторы, у которых затвор изолирован канала диэлектриком. МДП-транзистор - металл-диэлектрик-проводник, МОП-транзистор – металл-окисел-проводник.

На подложке из p-кремния создаётся тонкий слой полупроводника n-типа, выполняющий функцию канала, сопротивление канала регулируется электрическим полем, канал изолирован p-n переходом, как от подложки, так и от затвора, на концах канала находится сильнолегированная область n⁺, выполняющая функцию истока, стока.

Длину канала l делают очень малой (единицы микрометров, а ширину канала w – в сотни, тысячи раз больше длины). Аналогично выполняются транзисторы с каналом р-типа. Отличаются они только полярностью питающего напряжения. Если измерить обратное напряжение на затворе U_зU, можно регулировать ширину верхнего p-n перехода. При этом p-n переход, проникая на большую или меньшую глубину изменяет толщину канала 2y, а следовательно его проводимость. В результате будет изменяться ток стока I_с в выходной цепи транзистора. Нижний p-n переход: канал-подложка служит для изоляции канала от подложки и установки начальной толщины канала. Подложка может служить вторым управляющим электродом, либо подключаться к затвору.