
- •Классификация технических средств информатизации.
- •Принципы работы эвм
- •Центральный процессор эвм
- •Vliw-процессоры:
- •Процесс изготовления цпу
- •Системная плата персонального компьютера
- •Оптико-механические устройства
- •Накопители на магнитных дисках
- •Оперативная память
- •Память ddr sdram
- •Память ddr2 sdram
- •Память ddr3 sdram
- •Оптические накопители данных
- •Записываемые форматы cd
- •Альтернативные и перспективные накопители.
Накопители на магнитных дисках
В НМД в качестве носителей данных, используется пакет магнитных дисков закрепленных на одном стержне, вокруг которого они вращаются с постоянной скоростью. Поверхность магнитного диска покрыта ферро-магнитным слоем.
В НЖМД внутри накопителя устанавливается несколько пластин дисков (плоттеров), они имеют диаметр 5.25 или 3.5.Механизм герметически запечатан в корпус с частичным вакуумом внутри. Двигатель, вращающий диск с постоянной скоростью, измеряемой в оборотах в минуту, включается при подаче питания на диск и остаётся включённым до снятия питания. Головка удалена от пластины до 0.07 мм. При снижении оборотов вращения воздушный поток ослабевает. Когда диск форматирует на физическом уровне, он разделяется на секторы и дорожки. Физически дорожки расположены друг над другом и образуют цилиндры.
25.09.12
Оперативная память
Память с произвольным доступом - функциональная часть цифровой вычислительной машины, предназначенная для временного хранения, записи и выдачи цифровой информации. По принципам действия RAM делится на статическую и динамическую. Различия между ними заключается в конструктивных особенностях элементарных ячеек для хранения отдельных битов. В статической памяти ячейки построены на различных вариантах триггеров с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в такую ячейку она может там храниться сколь угодно долго при наличии питания.
Ее достоинства:
Высокое быстродействие
Недостатки:
Высокое энергопотребление и низкая удельная плотность данных, поскольку одна триггерная ячейка состоит из нескольких транзисторов и занимает немало места на кристалле.
В динамической памяти элементарная ячейка представляет собой конденсатор, выполненный по CMOS технологии. Такой конденсатор способен в течение малого промежутка времени сохранять электрический заряд наличие, которого является логической единицей. При считывании данных конденсатор разряжается через схему считывания и поэтому требует подзарядки, на это отводится дополнительное время.
Достоинства:
Высокая удельная плотность данных
Низкое энергопотребление
Низкое быстродействие по сравнению со статической памятью
Память ddr sdram
Синхронная динамическая память с произвольным доступом.
DDR - удвоенная скорость передачи данных.
Изначально SDRAM передача данных осуществлялась из ядра памяти (массив запоминающих ячеек) в буфер обмена синхронно с одинаковой тактовой частотой по одинарным линиям передачи.
В DDR между ядром и буфером две независимые линии передачи, по которым поступают одновременно 2 бита по переднему фронту тактового импульса.
Передача из буфера на шину данных осуществляется по одинарной линии, но 2 бита за один тактовый импульс, один по фронту другой по спаду.
Микросхемы DDR SDRAM работают с частотой 100, 133, 166, 200, 216, 250, 266 МГц
Чтобы рассчитать пропускную способность DDR памяти надо её тактовую частоту умножить на 2 и умножить на 8 байт
Например:
DDR200 200*8=1600Мб
Память ddr2 sdram
В стандарте DDR2 при пакетном режиме доступа, данные передаются 4 раза за один такт. Для организации данного режима работы памяти, необходимо чтобы буфер ввода/вывода работал на учетверенной частоте по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов и с приходом каждого такого положительного фронта по 4 независимым линиям передаёт в буфер обмена 4 бита информации. Сам буфер ввода/вывода тактируется на удвоенной частоте ядра памяти и синхронизируется по обоим фронтам. Передача информации на шину данных из буфера происходит в мультиплексором режиме, это позволяет за каждый такт работы ядра передавать 4 бита на шину данных, т.е. в 4 раза повысить пропускную способность памяти. Это позволяет либо уменьшит энергозатраты за счёт уменьшения тактовой частоты, либо повысить быстродействие за счёт увеличения пропускной способности памяти.