4.1. Схемы включения транзистора

Существует три схемы включения транзистора.

1. Включение транзистора с общей базой (ОБ) (рис. 4.2). При таком включении транзистор обеспечивает усиление по напряжению.

Рис.4.2. Включение транзистора с общей базой (ОБ)

Коэффициент передачи по току при такой схеме включения равен:

,

(4.3)

так как из (4.1) следует, что ( ).

Коэффициент передачи по напряжению при такой схеме включения равен:

,

(4.4)

так как из (4.2) следует, что ( ).

2. Включение транзистора с общим коллектором (ОК) (рис. 4.3). При таком включении транзистор обеспечивает усиление по току.

Рис.4.3. Включение транзистора с общим коллектором (ОК)

Коэффициент передачи по току при такой схеме включения равен:

,

(4.5)

так как из (4.1) следует, что ( ).

Коэффициент передачи по напряжению при такой схеме включения равен:

,

(4.6)

так как из (4.2) следует, что ( ).

3. Включение транзистора с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 4.4). При таком включении транзистор обеспечивает усиление по мощности.

Рис.4.4. Включение транзистора с общим эмиттером (ОЭ)

Коэффициент передачи по току при такой схеме включения равен:

,

(4.7)

так как из (4.1) следует, что ( ).

Коэффициент передачи по напряжению при такой схеме включения равен:

,

(4.8)

так как из (4.2) следует, что ( ).

4.2. Статические характеристики транзистора

Работу транзистора в усилительном каскаде можно представить как процесс управления протеканием выходного тока с помощью изменения входного сигнала ( или ). Этот процесс можно проанализировать по статическим характеристикам транзистора. На рис. 4.5 приведены семейства входных и выходных характеристик для биполярного транзистора, включенного по схеме общий эмиттер: входные характеристики – это зависимость входного тока ( ) от входного напряжения ( ) при изменении потенциала на выходе ( ), выходные характеристики – это зависимость выходного тока ( ) от выходного напряжения ( ) при изменении входного тока ( ).

Рис.4.5. Статические характеристики биполярного транзистора

4.3. Определение нч y-параметров по статическим характеристикам

Низкочастотные Y-параметры могут быть определены по входным и выходным характеристикам транзистора. Y-параметры определяют в рабочей точке транзистора при отсутствии сигнального воздействия на входе, т.е. в режиме покоя (токи и напряжения в рабочей точке отмечают дополнительным индексом «0»).

Рис.4.6. Использование статических характеристик биполярного транзистора для определения Y-параметров: и

Входная проводимость определяется по входной характеристике (рис. 4.6).

.

(4.9)

Чем меньше берется приращение при построении и расчете, тем точнее получается значение . Для повышения точности расчета берут среднеарифметическое приращение вверх и вниз.

Выходная проводимость определяется по выходной характеристике (рис. 4.6).

,

(4.10)

где изменение берут в пределах всего линейного участка.

Рис.4.7. Использование статических характеристик биполярного транзистора для определения Y-параметров: и

Проводимость обратной связи определяется по входной характеристике при изменении параметра (рис. 4.7).

.

(4.11)

Крутизна определяется по входной и выходной характеристикам (рис. 4.7).

,

(4.12)

где – определяется по выходной характеристике при . Изменению параметра от значения до соответствует изменение напряжения база-эмиттер при .