- •Учебное пособие
- •1. Основные параметры и характеристики усилителей
- •1.1. Понятие усилительного устройства
- •1.2. Основные характеристики уу
- •1.3. Классификация усилителей
- •1.4. Обобщенная структурная схема уу
- •Контрольные вопросы
- •2. Усилитель как линейный четырёхполюсник
- •3. Обратные связи в усилителях
- •3.1. Классификация обратных связей
- •3.2. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и характеристики усилителя
- •Контрольные вопросы
- •4. Работа транзистора в усилительных каскадах
- •4.1. Схемы включения транзистора
- •4.2. Статические характеристики транзистора
- •4.3. Определение нч y-параметров по статическим характеристикам
- •4.4. Нагрузочные характеристики и оптимизация выбора рабочей точки по постоянному току
- •Контрольные вопросы
- •5. Классы работы усилительных каскадов
- •5.1. Усилитель класса a
- •5.2. Усилитель класса в.
- •5.3. Усилитель класса ав.
- •5.4. Усилитель класса с.
- •5.5. Усилитель класса d.
- •Контрольные вопросы
- •6. Работа полевого транзистора в усилительных каскадах
- •6.1. Особенности работы полевого транзистора
- •6.2. Зависимость характеристик пт от температуры
- •6.3. Составные транзисторы
- •Контрольные вопросы
- •7. Работа усилительного каскада по постоянному току
- •7.1. Обеспечение работы активного элемента по постоянному току
- •7.2. Методы термостабилизации положения рабочей точки транзистора
- •Метод термостабилизации положения рабочей точки транзистора с использованием оос основан на введении оос на постоянном токе.
- •7.3. Методика инженерного расчёта элементов эмиттерной термостабилизации
- •7.4. Строгий расчёт температурной нестабильности тока коллектора
- •7.5. Особенности задания рабочей точки и термостабилизации пт
- •Контрольные вопросы
- •8. Каскады предварительного усиления
- •8.1. Особенности работы каскадов предварительного усиления
- •8.2. Анализ работы каскада в области сч
- •8.3. Анализ работы каскада в области вч
- •8.4. Анализ работы каскада в области нч
- •Контрольные вопросы
- •9. Особенности расчёта резистивного каскада на биполярном транзисторе
- •Анализ работы каскада в области сч.
- •Анализ работы каскада в области нч.
- •Анализ работы каскада в области вч.
- •Контрольные вопросы
- •10. Усилительные каскады с коррекцией
- •10.1. Методика расчёта оптимальных параметров корректирующих элементов
- •10.2. Индуктивная вч коррекция На рис. 10.1 представлена схема вч коррекции с добавочной индуктивностью в каскаде на полевом транзисторе
- •Особенности расчёта схемы индуктивной вч коррекции в каскаде на биполярном транзисторе (рис.10.5)
- •10.3. Вч коррекция с использованием частотно-зависимой оос
- •Особенности работы схемы вч коррекции с использованием частотно-зависимой оос при высокоомной нагрузке
- •Особенности расчёта схемы вч коррекции с использованием частотно-зависимой оос в каскадах на биполярном транзисторе
- •10.4. Нч коррекция
- •Порядок расчёта элементов нч коррекции
- •Контрольные вопросы
- •11. Элементы регулировки в усилительных устройствах
- •11.1. Регулировка усиления
- •Потенциометрическая регулировка
- •Регулировка усиления за счёт оос
- •Регулировка усиления за счёт изменения положения рабочей точки транзистора
- •10.2. Регулировка частотной характеристики усилителя
- •Регулировка с использованием частотно-зависимых делителей
- •Регулировка с использованием частотно-зависимой оос
- •Эквалайзеры
- •Контрольные вопросы
- •12. Шумы многокаскадного усилителя
- •12.1. Оптимальный выбор транзистора
- •12.2. Оптимальный выбор рабочей точки
- •12.3. Оптимальное согласование по шумам
- •Контрольные вопросы
- •13. Усилители, охваченные 100% оос
- •13.1. Истоковый повторитель
- •13.2. Эмиттерный повторитель
- •Особенности работы эмиттерного повторителя напряжения на емкостную нагрузку
- •Контрольные вопросы
- •14. Оконечные каскады и усилители мощности
- •Энергетические параметры усилителей мощности.
- •Информационные параметры усилителей мощности
- •Классификация усилителей мощности.
- •14.1 Однотактные усилители мощности класса а
- •Графоаналитический метод определения коэффициента гармоник однотактного усилительного каскада.
- •14.2. Двухтактные усилители мощности
- •Особенности работы двухтактного усилителя мощности класса а
- •14.3. Двухтактные усилители мощности класса b
- •14.4. Двухтактные каскады в режиме ab
- •Двухтактные усилители на транзисторах противоположного типа проводимостей
- •Двухтактные усилители на транзисторах одного типа проводимости.
- •Недостатки аналоговых усилителей мощности.
- •14.5 Ключевые усилители мощности.
- •Ключевой усилитель мощности с широтно-импульсной модуляцией (кум с шим).
- •Рекомендуемая последовательность действий при расчете схемы кум с шим.
- •Ключевой усилитель мощности с импульсно-кодовой модуляцией (кум с икм).
- •Спектрально-ключевые усилители мощности.
- •Дискретно-аналоговые усилители мощности
- •Контрольные вопросы
- •15. Усилители постоянного тока
- •Основные параметры и характеристики упт.
- •Классификация усилителей постоянного тока
- •15.1. Упт с гальванической связью между каскадами
- •15.2. Дифференциальные усилители постоянного тока
- •15.3. Усилитель постоянного тока типа модулятор-демодулятор
- •15.4. Усилители с автоматической коррекцией нуля.
- •Контрольные вопросы
- •16. Операционные усилители и их применение
- •Свойства идеального оу:
- •16.1. Основные схемы включения операционных усилителей. Инвертирующее включение оу.
- •Неинвертирующие включение оу.
- •Дифференциальное включение оу.
- •Сумматоры на оу.
- •Дифференциаторы на оу.
- •И нтеграторы на оу.
- •Особенности построения усилителей переменного тока на оу.
- •Контрольные вопросы
7. Работа усилительного каскада по постоянному току
7.1. Обеспечение работы активного элемента по постоянному току
В отличие от лампы р.т. у транзистора задается током. Причинами изменения р.т. являются:
изменение температуры;
не стабильное питание;
деградация и старение элементов.
Далее будем рассматривать основную проблему ухода рабочей точки из заданного положения – температурную нестабильность. Такая нестабильность может быть вызвана изменением температуры окружающей среды и температуры самого транзистора в результате его работы (потери энергии на паразитных сопротивлениях). При изменении температуры окружающей среды одинаково изменяются все параметры транзистора.
На практике принято оценивать температурный уход параметров транзистора по изменению тока коллектора, поскольку в линейной области все Y-параметры транзистора пропорциональны току коллектора. Поэтому, зная изменение тока коллектора можно оценить изменение всех параметров транзистора. Для БТ, включенного по схеме ОБ, можно записать:
, |
(7.1) |
где – коэффициент передачи по току в схеме с ОБ ( ); – обратный ток коллектора.
Причины изменения коллекторного тока вытекают из уравнения (7.1):
температурные изменения коэффициента передачи по току в схеме с ОБ ;
температурные изменения тока эмиттера ;
температурные изменения обратного тока коллектора .
Исходя из указанных причин, изменение коллекторного тока определяется из уравнения:
, |
(7.2) |
где – изменение обратного тока коллектора под воздействием температуры; – значение обратного тока коллектора при нормальной температуре (обычно при 200С, но бывает и при 00С); – параметр, зависящий от типа транзистора (для кремниевых транзисторов – , для германиевых – ); – разброс температур, при которых должен работать усилитель.
На практике удвоение тока у кремниевых транзисторов происходит при повышении температуры на каждые 5…7о, а у германиевых – на каждые 9…12о.
Изменение коэффициента передачи по току в схеме с ОБ можно поставить в соответствие с изменением коэффициента передачи по току в схеме с ОЭ :
. |
(7.3) |
Пусть произошло изменение температуры с начальной Т1 до конечной Т2 и при этом коллекторный ток изменился с до (рис. 7.1 а).
|
|
а) |
б) |
Рис.7.1. а) Зависимость коэффициента передачи по току в схеме с ОБ от температуры, б) входная статическая характеристика при разных значениях температуры
Если измениться температура, то ток эмиттера измениться на . При увеличении токов коллектора и эмиттера р.т. перейдёт на статическую характеристику, соответствующую току – р.т.’.
Такое же изменение тока эмиттера произошло бы при увеличении напряжения база-эмиттер с до . При этом изменение напряжения база-эмиттер составит , где – напряжение отсечки (0,3…0,4 для кремниевых транзисторов, 0,6…0,7 для германиевых транзисторов).
Можно построить эквивалентную схему транзистора, учитывающую его температурную нестабильность (рис. 7.2).
Рис.7.2. Эквивалентная схема транзистора, учитывающая его температурную нестабильность
Данная эквивалентная схема (рис. 7.2) позволяет рассчитать температурную нестабильность для любой схемы включения транзистора.