- •Введение.
- •§1. Исторические этапы развития физики полупроводников.
- •§2. Микроэлектроника. Современный этап развития твердотельной электроники.
- •§3. Содержание спецкурса.
- •Глава I. Структура полупроводниковых кристаллов (прямая и обратная решетки кристаллов).
- •§1. Решетки Бравэ кристаллов. Простая и сложные кристаллические решетки.
- •§2. Элементы симметрии кристаллов.
- •§2.1. Оси симметрии.
- •§2.3. Зеркально – поворотные оси симметрии.
- •§2.2. Плоскости симметрии.
- •§3. Типы простых кристаллических решеток.
- •§4. Кристаллографические индексы Миллера.
- •§5. Обратная решетка кристалла и ее ячейка Вигнерра – Зейтца. Зоны Бриллюэна кристалла.
- •§6. Связь между структурами прямой и обратной решеткой кристалла.
- •§7. Построение зон Бриллюэна для каждой из некоторых типов кристаллических решеток.
- •§8. Структура основных типов полупроводниковых кристаллов.
- •§9. Неупорядоченные (некристаллические полупроводники).
- •§10. Типы и структура жидких кристаллов.
- •§11.Жидко кристаллические приборы для отображения информации.
Введение.
§1. Исторические этапы развития физики полупроводников.
Физика полупроводников является основой твердотельной и микроэлектроники, является базовой дисциплиной для большинства других специальностей электронно-технического профиля. Она изучает процессы явления и эффекты, протекающие в полупроводниках и определяющие принципы работы полупроводниковых приборов. Физики полупроводников будет содержать научные знания, которые необходимы для понимания других специальных курсов.
Эпоха насчитывает более 100 лет. Еще в первой половине 19 века Фарадей обнаружил, что электропроводность некоторых тел растет по экспоненциальному закону с ростом температуры. Электропроводность большинства проводников уменьшается с ростом температуры по линейному закону. Спустя несколько лет Беккерель обнаружил что электропроводность “плохих” проводников, которых изучал Фарадей, увеличивается при их освещении, в них появляется ЭДС. В 1906 Браун обнаружил явление выпрямления переменного электрического тока на контакте свинца и феррита (FeS2). Эти плохие проводники, имеющие к тому времени загадочные свойства назвали полупроводниками. В 1879 г. Холл открыл явление электрического поля в проводнике с током помещенным в поперечное магнитное поле (эффект Холла).
Исследование полупроводников активизировались в начале 20 века после создания квантовой механики. Квантовая механика позволила создать зонную теорию твердых тел. Квантовая теория объясняет поведение электронов в твердых телах. Согласно этой теории электроны в кристаллах не могут иметь любую энергию. Разрешенные значения энергии образуют определенные интервалы, которые получили названия разрешенных зон. Разрешенные зоны отделены промежутками запрещенных значений энергии.
З
онная
теория твердых тел указала строгий
критерий их разделения на металлы,
диэлектрики и полупроводники. Если
самая верхняя зона, содержащая электроны
при Т = 00
K
заполнена
не полностью, а частично то такое твердое
тело обладает высокими проводящими
свойствами. Если самая верхняя зон
содержащая электроны при Т = 00
K
полностью
заполнена,
а следующая
за ней зона полностью пуста и разделена
небольшим промежутком запрещенных
энергий ΔЕg,
то такое твердое тело относят к
полупроводникам, а если ΔЕg
велико, то
это диэлектрик. (ΔЕg
≥ 2 эВ).
Сама верхняя зона называется валентной
(V –
зона), а следующая за ней пустая зона
называется зоной проводимости (С - зона).
При возбуждении полупроводника электроны из V – зоны могут переходить в С – зону и в ней они будут участвовать в переносе электрического тока. В этом случае в V – зоне остается свободное место (дырки). Эта вакансия будет также участвовать в переносе электрического тока, она будет положительной. Выяснилось, что можно создать полупроводники, у которых носителями заряда будут являться только электроны, такие полупроводники называются электронного типа или n – типа. Также можно создать полупроводники, у которых основными носителями будут являться дырки p – тип.
Зонная теория твердых тел позволила раскрыть к концу 30-х годов 20 века природу явлений на контакте полупроводника n и p типа, т.е. физическую теорию выпрямления. В связи с этим были созданы p-n переходы – важнейшие приборы твердотельной электроники. В 1948 г. были созданы транзисторы n-p-n и p-n-p переходов. Сегодня полупроводники определяют прогресс в целом ряде отраслей народного хозяйства развитых стран.
