18. Какие факторы и как влияют на глубину проникновения иона в вещество?
Глубина проникновения иона в мишень прямо пропорциональна энергии иона и обратно пропорциональна атомному весу иона. Когда направление движения иона совпадает с основными кристаллографическими направлениями <110>, <100>, <111>. Для этих направлений характерно явление каналирования, которое существенно влияет на глубину проникновения ионов Rx.
19. Что такое каналирование ионов?
эффекта каналирования - движение ионов через каналы, образованные атомными плоскостями.
20. Какие факторы влияют на проявление эффекта каналирования?
В кремнии эффект каналирования наблюдается в направлениях <110>, <100>,<111>. Максимальный угол Ψ, при котором исчезает направляющее действие атомов мишени, называется критическим углом каналирования ΨKp. Если ион будет двигаться к оси канала под углом Ψ > Ψкр, то такой ион будет уходить за пределы канала и рассеиваться как в аморфной мишени.
На эффект каналирования влияют температура мишени, доза облучения, ориентация поверхности. Повышение температуры мишени вызывает снижение эффекта каналирования (деканали-пование) вследствие усиления тепловых колебаний кристаллической решетки.
Увеличение дозы ионов (плотности ионного тока) приводит к возрастанию количества дефектов и, следовательно, к разрушению каналов
21. Какой вид имеет кривая распределения ионов примеси по глубине с учетом и без учета каналирования?
Схема распределения концентрации примесей при ионной имплантации: 1 —для неканалированных ионов; 2 — реальное распределение; 3-для идеально каналированных ионов;4-деканалированные ионы; 5 -остаток каналированного пучка
Значение критических углов для широкого класса пар ион-мишень составляет 3 — 6°.
22. Что такое радиационные дефекты и каков механизм их образования?
Образование кластеров радиационных дефектов
для тяжелых ионов (а) и для легких ионов (б):
1 — ион, 2 — поверхность кристалла; 3 — кластер
радиационных дефектов
23. Что такое кластеры радиационных дефектов?
Локальная область существования радиационного дефекта
24. Что такое аморфизация полупроводникового материала?
????Исчезновение четко определенной кристаллической структуры полупроводника
25. Как осуществляется устранение радиационных дефектов?
Дефекты отжигаются (пример – лазерный отжиг)
26. Что такое активирование примесей при отжиге?
27. В чем особенности лазерного отжига?
28. Что такое радиационно-стимулированная диффузия?
Представляет собой метод управляемого легирования полупроводников на основе комбинации процессов ионной имплантации и диффузии.
Радиационно-стимулированная диффузия.
Представляет собой метод управляемого легирования полупроводников на основе комбинации процессов ионной имплантации и диффузии. Данный метод характеризуется более низкой температурой и протекает в три этапа:
1) путем термодиффузии или ионной имплантации осуществляют легирование тонкого приповерхностного слоя;
2) облучают образец ионами легких газов с энергиями порядка 70 кэВ, обеспечивая образование радиационных дефектов на достаточно большую глубину ;
3) производят нагрев мишени (Т- 500-600 °С) и разгонку примеси, атомы которой, последовательно заполняя вакансии, проникают вглубь кристалла.
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК