9. Что такое селективность ионно-плазменного травления?
Важным параметром ионно-плазменного травления (ИПТ) через маску является селективность травления, которая определяется выражением:
где Кс — коэффициент селективности (селективность);
Vтр.подл» Vтр.маск — соответственно скорость травления подложки и скорость травления маски.
Если материалом подложки служит Si02, а маски Si3N4, селективность КС=4 : 1, для маски из поли-Si Кс=8: 1, из Аl- КС = 8:1.
10. Какие факторы влияют на скорость ионно-плазменного
травления?
Эффективность, скорость и качество ионно-плазменного травления, особенно при травлении через маску, зависит от давления газа.
Скорость ионно-плазменного травления (массовая скорость распыления вещества катода), т.е. количество вещества в граммах, распыленное с 1 см катода за 1 с, определяется следующим выражением:
где К— постоянная зависящая от рода газа и материала катода, коэффициента ионного распыления;
U- напряжение в области ТКП;
J— плотность разрядного тока;
р — давление рабочего газа;
L — расстояние катод-подложка.
11. Что собой представляет триодная схема ипт?
Триодная схема ИПТ
1 - термокатод; 2 - подложкодержатель; 3- подложки; 4 — анод;5-вакуумная камера; 6- изолятор; 7-ионы; 8-плазма дугового разряда; 9-область ТКИ; 10 - распыленные частиц
Для поддержания достаточной концентрации ионов в плазме при более низком давлении (10-2- 10-1 Па) увеличивают плотность тока разряда за счет увеличения количества ионизирующих газ электронов, эмиттируемых с термокатода.
Образцы, подвергаемые травлению, помещают на дополнительном третьем электроде, который располагают вблизи области плазмы. При подаче на этот электрод отрицательного смещения 1 — 3 кВ из плазмы газового разряда вытягиваются ионы аргона, бомбардирующие очищаемую поверхность. Благодаря термоэмиссионному катоду можно независимо управлять концентрацией и энергией ионов в плазме, цепи газового разряда (анод-катод) и распыления (мишень-подложка) электрически развязаны друг от друга.
Концентрацию ионов можно менять, изменяя ток электронной эмиссии или ускоряющее напряжение между катодом и анодом, энергию ионов можно менять изменением потенциала мишени.
13. В чем состоит механизм плазмохимического травления?
ПХТ имеет химическую природу. Оно основано на использовании обладающих большой реакционной способностью химически активных частиц (ХАЧ), получаемых в плазме газового разряда.
Процесс ПХТ можно разделить на ряд этапов:
доставка плазмообразующего газа, пара или смеси в рабочую камеру;
образование химически активных частиц в газовом разряде; доставка их к обрабатываемой поверхности;
химические реакции с образованием легко летучих соединений;
десорбция и удаление образующихся летучих соединений через откачную систему вакуумной установки
15. Что такое реактивное ионное травление?
Реактивное Ионное Травление или РИТ, является разновидностью сухого травления, в которой существенной составляющей процесса является ионная бомбардировка поверхности материала.