- •10. Что такое профильно-технологическая схема?
- •11. Перечислить основные технологические процессы, связанные с изготовлением имс.
- •1.Что называется полупроводником?
- •12. В чем особенности примесных точечных дефектов?
- •13. Назвать основные виды примесных дефектов.
- •14. Как наличие дефектов влияет на проводимость полупроводников?
- •15. Что такое линейные дислокации?
- •16. Как себя проявляют поверхностные и объемные дефекты?
- •2. Как температура влияет на поверхностное натяжение?
- •3. Почему при измельчении материалов изменяются их физико-химические свойства?
- •4. Что такое смачивание?
- •5. Что является критерием смачивания?
- •6. Что такое адсорбция?
- •7. Назвать виды адсорбции и чем они обусловлены.
- •8. Дать определение силам Ван-дер-Ваальса.
- •9. Как адсорбция зависит от температуры?
- •10. Какой вид имеет изотерма адсорбции?
- •13. Что такое поверхностно-активные вещества и как они влияют на поверхностное натяжение растворов?
- •14. Что такое адгезия?
- •15. Назвать виды адгезии и факторы, оказывающие на нее влияние.
- •1. Что такое легирование материалов?
- •2. Назвать основные методы легирования.
- •3. Что такое диффузионное легирование?
- •8. В чем физический смысл коэффициента диффузии?
- •9. Какие факторы влияют на коэффициент диффузии?
- •10. В чем суть двухстадийного процесса термодиффузии?
- •11. Каковы недостатки термодиффузии?
- •12. В чем сущность метода ионной имплантации?
- •13. Назвать достоинства и недостатки ионной имплантации.
- •14. Перечислить основные процессы, возникающие при взаимодействии ионов с веществом.
- •15. Каковы основные механизмы потерь энергии иона при его взаимодействии с веществом?
- •16. Как потери энергии иона зависят от его энергии?
- •17. Как, зная энергию и атомный вес иона, определить вид потерь его энергии?
- •18. Какие факторы и как влияют на глубину проникновения иона в вещество?
- •19. Что такое каналирование ионов?
- •20. Какие факторы влияют на проявление эффекта каналирования?
- •1. Назвать основные виды загрязнений.
- •2. Назвать основные методы жидкостной и сухой очистки.
- •3. Что собой представляют методы физического обезжиривания?
- •4. Каков механизм химического обезжиривания?
- •5. Как получают особо чистую деионизованную воду?
- •6. Каков механизм физического обезжиривания?
- •7. Какова роль поверхностно-активных веществ в процессе очистки?
- •8. В чем состоит механизм ультразвуковой очистки?
- •10. Что такое селективность травления?
- •11. Каковы условия для полирующего химического травления?
- •12. Что такое анизотропность травления?
- •13. Как обеспечивается газовое травление?
- •14. Каков механизм очистки путем термообработки?
- •1. Каков механизм ионного травления?
- •2. Что такое пороговая энергия распыления?
- •3. Что такое коэффициент ионного распыления?
- •4. Какие факторы и как влияют на коэффициент ионного распыления?
- •5. Как распыляемые частицы при ионной бомбардировке распределяются по углам вылета?
- •6. Что собой представляет диодная схема катодного распыления?
- •7. Как обеспечивается самостоятельная форма разряда в диодной схеме катодного распыления?
- •8. Каковы условии для анизотропность ионно-плазменного травления?
- •9. Что такое селективность ионно-плазменного травления?
- •10. Какие факторы влияют на скорость ионно-плазменного
- •11. Что собой представляет триодная схема ипт?
- •13. В чем состоит механизм плазмохимического травления?
- •15. Что такое реактивное ионное травление?
- •16. В чем особенности механизма реактивного ионно-лучевого травления?
- •12. В чем особенности ионно-лучевого травления?
- •14. В чем особенности плазмохимических реакций?
- •1. В чем сущность механизма зарождения и роста пленок (теория Гиббса—Фальмера)?
- •2. Каков вид зависимости свободной энергии образования зародыша от радиуса зародыша?
- •3. Какие условия определяют устойчивость сферического зародыша?
- •4. В чем отличие моделей гетерогенного и гомогенного образования зародышей?
- •5. Какие факторы влияют на скорость образования зародыша?
- •7. В чем состоят особенности роста пленок после получения первичного слои?
- •Физико-химические процессы формирования диэлектрических покрытий
- •1. Какие требования предъявляются к защитным диэлектрическим пленкам?
- •2. Какие исходные материалы могут быть использованы в качестве защитных пленок?
- •3. В чем сущность механизма термического окисления кремния?
- •8. В чем сущность химического метода осаждения диэлектрических пленок?
- •9. Каковы механизм и особенности пиролитического осаждения оксидных пленок?
- •10. Каков механизм химического осаждения пленок нитрида кремния?
6. Каков механизм физического обезжиривания?
Энергетическая диаграмма для физически адсорбированных молекул загрязнения 1 на поверхности тела (а) и то же (б) при наличии молекул растворителя 2, уменьшающих глубину потенциальной ямы для молекул загрязнения на величину ΔUф
7. Какова роль поверхностно-активных веществ в процессе очистки?
С целью улучшения смачивания и повышения эффективности очистки в моющую жидкость (воду) нередко добавляют поверхностно активные вещества (ПАВ), относящиеся к классу высокомолекулярных органических соединений (соли высших жирных кислот и спиртов типа мыла)
8. В чем состоит механизм ультразвуковой очистки?
Для интенсификации пpoцессов очистки и промывки, в дистиллированной и деионизованной воде, используют ультразвук. При ультразвуковой отмывке поверхности в растворителе под действием акустических волн создаются переменные сжимающие и растягиющие напряжения. При растягивающих напряжениях в жидкости образуются кавитационные пузырьки, т.е. полости в которых возникает некоторое разряжение.
9. Какова сущность процесса химического травления?
????химическое удаление загрязнителя вместе с частью подложки
При химическом травлении решаются различные технологические задачи: очистка от загрязнений с растворением и удалением поверхностного споя полупроводниковой подложки, контролируемое удале- ние материала с целью локальною профилирования поверхности, селективное травление с целью выявления неоднородностей структуры и дефектов кристалла.
Для травления кремния используют два вида травителей – кислотный(смеси азотной и плавиковой кислот) и щелочной.
10. Что такое селективность травления?
Селективность травления проявляется в преимущественном вытравливании дефектных мест на поверхности в форме ямок травления (например, в районе выхода дислокаций). В районе этих мест атомы находятся в возбужденном состоянии, что увеличивает локальную скорость травления.
11. Каковы условия для полирующего химического травления?
????Скорость процесса определяется диффузией реагентов, т.е. диффузия – самая медленная реакция в системе.
12. Что такое анизотропность травления?
Анизотропность травления – зависимость скорости травления от ориентации травимого вещества - связана с различной скоростью травления разных кристаллографических граней, характеризуемых разными индексами Миллера. Обычно (например, для кремния Si и арсенида галлия GaAs) выполняются неравенства v(100) > v(110)>v(111). В результате этого даже на бездефектных поверхностях, ориентированных по плоскостям {100} или {110}, при локальном травлении через специальное окно в защитной маске можно получить профилированные углубления, ограниченные плоскостями, которые характеризуются малыми скоростями травления.
13. Как обеспечивается газовое травление?
Сущность процесса в химическом взаимодействии обрабатываемого материала с газообразным веществом и образовании при этом легко удаляемых летучих соединений.
Загрязнения при газовом травлении удаляются вместе с поверхностным слоем пластин или подложек.
В качестве газов-реагентов для травления кремниевых пластин применяют смеси водорода и гелия с галогенами (фтор, хлор, бром), галогеноводородами (HBr, HCl), сероводородом и др.
Молярные соединения этих веществ в водороде или гелии могут изменяться от десятых долей % до нескольких %. Очистку производят при температурах 800 1300°С.