12. В чем особенности примесных точечных дефектов?
Точечные дефекты представляют собой нарушения структуры, локализованные в отдельных точках кристаллической решетки. Они бывают структурными и примесными.Структурные точечные дефекты обусловлены тепловым движением атомов кристаллической решетки. Вследствие колебаний некоторые атомы, обладающие большей энергией, могут преодолеть потенциальный барьер, образованный силами притяжения соседних атомов, и перейти в новое положение равновесия- междоузлия, в результате появляются –вакансии.
дефекты по Френкелю: 1- вакансии;2- атом в междоузлии
дефекты по Шоттки: 1-вакансии; 3- испаренный
атом; 4- перемещение атомов , заполняющих вакансии
13. Назвать основные виды примесных дефектов.
Структуры замещения, структуры внедрения
Примесные точечные дефекты обусловлены наличием атомов примесей в веществе.
Примесные атомы являются наиболее важными дефектами кристаллической решетки. Кристаллические вещества с примесными атомами называются твердыми растворами. Различают твердые растворы замещения, в которых примесные атомы располагаются в узлах кристаллической решеткии твердые растворы внедрения, в которых примесные атомы располагаются в междоузлиях.
Примесные атомы существенно изменяют электрическую проводимость кристалла. Они действуют как доноры, обеспечивая электронный тип проводимости (n-тип), если их валентность больше валентности замещаемого атома, и как акцепторы, обеспечивая дырочный тип проводимости (р-тип) — в противном случае.
Примесные дефекты
Схемы размещения примесных атомов:а- в структурах замещения; б- в структурах внедрения;1- примесный атом замещения;2- примесный атом внедрения.
14. Как наличие дефектов влияет на проводимость полупроводников?
Возникновение n и p – полупроводников (для примесей внедрения и замещения). Остальные примеси – ухудшают проводимость.
15. Что такое линейные дислокации?
Смещение каким-либо образом одного слоя атомов относительно других слоев
16. Как себя проявляют поверхностные и объемные дефекты?
Поверхностные дефекты:
границы зерен монокристаллов;
двойниковые границы;- изменение ориентации кристалла вдоль некоторой плоскости
возникают в результате взаимодействия атома с окружающей средой (слой адсорбированных атомов, окисные пленки, дефекты упаковки атомов на поверхности)
Внутренние (объемные) дефекты:
появляются в местах изменения пространственной ориентации кристаллической решетки (пустоты, поры, включение инородной фазы и т.д.)
17. Производство монокристаллического кремния(технология процесса)?
18. Кристаллизационные методы глубокой очистки вещества?
19. Коэффициент распределения(сегрегации) примеси?
20. Метод очистки вещества направленной кристаллизацией и его математическая модель?
21. Метод очистки вещества зонной плавкой и его математическая модель?
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ
1. Что такое поверхностное натяжение?
Термодинамическая характеристика поверхности раздела двух находящихся в равновесии фаз, определяемая работой обратимого изотермокинетического образования единицы площади этой поверхности раздела при условии, что температура, объем системы и химические потенциалы всех компонентов в обеих фазах остаются постоянными.
Сила поверхностного натяжения направлена по касательной к поверхности жидкости, перпендикулярно к участку контура, на который она действует. Сила поверхностного натяжения пропорциональна длине того участка контура, на который она действует. Коэффициент пропорциональности ? — сила, приходящаяся на единицу длины контура — называется коэффициентом поверхностного натяжения. Он измеряется в ньютонах на метр. Но более правильно дать определение поверхностному натяжению, как энергии (Дж) на разрыв единицы поверхности (м^(2)). В этом случае появляется физический смысл и связь понятия поверхностного натяжения с внутренней энергией, что было доказано теоретически.
Поверхностное натяжение может быть на границе газообразных, жидких и твёрдых тел. Обычно имеется в виду поверхностное натяжение жидких тел на границе «жидкость — газ». В случае жидкой поверхности раздела поверхностное натяжение правомерно также рассматривать как силу, действующую на единицу длины контура поверхности и стремящуюся сократить поверхность до минимума при заданных объёмах фаз.