- •Физика конденсированного состояния вещества
- •Вводная глава
- •§1. Понятие пространства и времени.
- •§2.Масса, энергия, относительность
- •§3.Симметрия и асимметрия в неживой природе.
- •Глава I. Абстрактные группы
- •§1.Группа
- •§2.Сдвиг по группе
- •§3.Подгруппа
- •§4.Сопряжённые элементы и класс
- •§5.Инвариантная подгруппа
- •§6.Фактор – группа
- •§7. Изоморфизм и гомоморфизм групп
- •§8. Представления групп
- •§9. Характеры представлений
- •§10.Регулярное представление
- •§11. Примеры групп имеющих, приложение в физике
- •§12.Теория групп и квантовая механика
- •Глава II.Описание структуры кристаллов
- •§1.Общие свойства макроскопических тел
- •§2. Точечные группы.
- •§3. Симметрия кристаллов
- •§4.Сингонии.
- •§5.Неприводимые представления группы трансляций
- •§5.Конкретные примеры прямой и обратной решёток
- •1) Прямые решётки.
- •§6.Обозначения узлов, направлений и плоскостей в кристалле
- •§7.Определение структуры кристаллов.
- •§8. Атомный и геометрический структурный факторы
- •Глава III Движение электрона в периодическом поле
- •§1. Адиабатическое приближение
- •§2. Уравнения Хартри
- •§3 Уравнения Хартри-Фока
- •§4.Обменное взаимодействие
- •§5. Кристаллический потенциал и свойства симметрии гамильтониана
- •§6. Теорема Блоха
- •§7. Одноэлектронное уравнение Шрёдингера
- •§8. Приближение свободных электронов
- •§9. Плотность состояний
- •§10. Эффективная масса электронов
- •§11.Приближение почти свободных электронов
- •§12.Метод сильной связи
- •§13. Поверхность Ферми
- •§14. Химический потенциал и физическая статистика
- •Глава IV. Силы связи в кристаллах
- •§1. Силы Ван - дер – Ваальса
- •§2. Ионные кристаллы
- •§3.Ковалентная связь
- •§4. Металлическая связь
- •§5.Водородная связь.
- •Глава V. Динамика решётки.
- •§1. Силы упругости в кристаллах.
- •§2.Колебания и волны в одномерной атомной цепочке.
- •§3. Колебания и волны в двухатомной одномерной цепочке
- •§ 4.Нормальные колебания в трёхмерных кристаллах
- •§5. Понятие о фононах
- •§6.Спектр нормальных колебаний решётки.
- •§7.Теплоёмкость твёрдого тела
- •§8.Теплоёмкость электронного газа
- •Глава VI. Физика полупроводников
- •§1.Собственные полупроводники
- •§2. Примесные полупроводники
- •§3.Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •§4.Положение уровня Ферми и концентрация носителей в собственных полупроводниках
- •§5. Положение уровня Ферми и концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •Глава VII Кинетические свойства твёрдых тел
- •§1. Электропроводность
- •§2. Вычисление времени релаксации
- •§3. Кинетическое уравнение Больцмана
- •§4.Статическая проводимость
- •§5. Классическая теория электропроводности в магнитном поле
- •Глава VIII Растворы и химические соединения Введение
- •§1. Фазовая диаграмма.
- •§2. Упорядоченные растворы.
- •§3.Фазовые превращения.
- •§4. Типы фазовых диаграмм.
- •§5. Системы с образованием химических соединений
- •§6. Сплавы типа растворов внедрения.
- •§7. Упорядочение в сплавах
- •§8. Электронное строение сплавов и неупорядоченных систем
- •§9. Ближний порядок в сплавах
- •§10. Статистическая теория ближнего порядка
- •§11. Факторы, обусловливающие ближний порядок
- •Глава IX.Строение жидкостей и аморфных тел
- •§1. Особенности твёрдого, жидкого и газообразного состояний вещества
- •§2. Радиальные функции распределения межатомных расстояний и атомной плотности
- •§3. Функции распределения в статистической физике
- •§4.Уравнение для бинарной функции распределения
- •§5. Решение уравнения для бинарной функции распределения
- •§6.Уравнение Перкуса – Йевика
- •Глава X.Элементы физики жидких кристаллов Введение
- •§1.Классификация жидких кристаллов
- •2.Смектики c.
- •Смектики b.
- •Заключение. Фуллерены. Углеродные нити
§2. Вычисление времени релаксации
Проводить вычисления проводимости квантовомеханическим путём является очень сложной задачей. Поэтому мы проведём здесь лишь некоторые общие физические соображения, основанные на применении ньютоновской механики к движению заряженных частиц и на концепции распределения Ферми – Дирака.
Начнём с констатации того факта, что в отсутствие электрического поля никакого тока в веществе быть не может. Это утверждение следует из свойств распределения Ферми, поскольку для каждого электрона с импульсом в каком – то направлении в кристалле найдётся другой электрон, имеющий импульс противоположного направления. Однако эта компенсация импульсов тотчас нарушается, если на кристалл наложить внешнее электрическое поле. При наличии поля каждый электрон будет испытывать действие силы в одном и том же направлении, и все электроны, находящиеся внутри сферы Ферми, получат ускорение в направлении противоположном направлению электрического поля (см. рис.).
При смещении сферы Ферми электронов в k – пространстве образуется определённое число дырок. Это может произойти, только, если первая зона Бриллюэна не полностью заполнена, и объясняет, почему металлы являются хорошими проводниками, в то время как диэлектрики полупроводники не проводят ток при нулевой температуре.
Тормозящие силы, связанные с рассеянием отдельных электронов решёткой, особенно сильно проявляются для внешней части распределения Ферми. Электроны, находящиеся в передней, «носовой» части сферы Ферми (в положительном направлении оси x), рассеиваются чаще, чем те, которые находятся «сзади». Поэтому электроны покидают переднюю, часть сферы и постепенно переходят в состояния с меньшей энергией, расположенные в противоположной части сферы. Когда процессы рассеяния станут компенсировать эффекты ускорения под действием поля, установится стационарное состояние, и сфера Ферми будет оставаться в одном и том же смещённом положении.
Вычислять величину смещения центра сферы, следовало бы, опираясь полностью на квантовую механику. Однако это представляет сложную задачу. Поэтому здесь мы приведём некоторые общие физические соображения, и получим те результаты, которые сохраняют силу и при квантовом рассмотрении. Смещение поверхности Ферми происходит следующим образом. Так как для свободных электронов скорость , уравнение движения электронов, находящихся на поверхности Ферми, под действием постоянного электрического поля имеет вид
,
Откуда следует, что в отсутствие столкновений сфера Ферми будет смещаться в k – пространстве с постоянной скоростью. Интегрируя уравнения движения, получим
.
Таким образом, при наличии электрического поля центр заполненной сферы Ферми за некоторое характерное время сместится на величину
.
Столкновения препятствуют этому эффекту, стремясь вернуть сферу в исходное положение, откуда снова получаем классическую формулу для проводимости (6.1.6).
В предыдущем параграфе с классической точки зрения мы уже получили выражение (6.1.6) для электропроводности. Теперь проведённое рассмотрение рассмотрим на языке квантовой механики, пользуясь представлением энергетических зон. Введённая в первом параграфе величина, названная временем релаксации, равна половине интервала времени между двумя последовательными столкновениями. Вспоминая, что в распределении Ферми в столкновениях могут участвовать лишь те электроны, которые обладают энергией близкой к энергии Ферми, то понятие времени между столкновениями следует считать относящимся именно к этим электронам.
Со временем релаксации связана другая важная величина, называемая подвижностью и обозначаемой (не путать с химическим потенциалом). Подвижность определяется как средняя скорость, достигаемая носителем заряда за время в поле единичной напряжённости, т.е.
.
Подвижность зависит не только от величины заряда носителя тока, но также и от времени релаксации и эффективной массы. Её можно измерять на опыте, и поэтому она является более полезным понятием, чем время релаксации. Воспользовавшись подвижностью, проводимость можно записать в виде
.
Время релаксации связано также с длиной свободного пробега электронов, способных испытывать соударения. Если скорость, достигаемая электронами в поле, пренебрежимо мала по сравнению со скоростью Ферми, то
,
где – скорость электронов в верхней части распределения Ферми. Если в эту формулу подставить скорость и время релаксации, соответствующие нормальным металлам, то получим величину .
Теперь сделаем несколько замечаний относительно приближений, которые были сделаны в ходе рассмотрения вопроса о проводимости. Все выводы делались в неявном предположении, что и время релаксации и эффективная масса не зависят от направления в кристалле. Эксперименты, однако, показывают, что это не так. Следовательно, проводимость также является функцией направления. Но в случае кубических кристаллов в силу их высокой симметрии векторные соотношения, относящиеся к таким величинам в кристаллах, оказываются не зависящими от направлений, т. е. имеет место изотропия. Тогда время релаксации должно зависеть от направления таким образом, чтобы его отношение к эффективной массе оставалось изотропным. Для кристаллов с более низкой симметрией эта компенсация осуществляется не всегда, и в таких кристаллах (например, гексагональных) проводимость будет являться тензорной величиной.