- •Глава 18 лавинно-пролетные диоды
- •18.1. Взаимодействие носителей заряда с кристаллической решеткой в сильном электрическом поле
- •18.3. Принцип действия генератора на лпд
- •18.4. Элементы нелинейной теории лпд
- •18.4.1. Процессы в слое умножения
- •18.4.2. Процессы в области дрейфа
- •18.4.3. Эквивалентная схема и высокочастотное сопротивление лпд
- •18.4.4. Высокочастотная мощность и кпд автогенератора на лпд
- •18.5. Конструкции, параметры и применение генераторов на лпд
- •18.6.1. Регенеративные усилители на лпд
- •18.6.2. Усиление мощности в режиме синхронизации
- •18.6.3. Умножители частоты на лпд
18.4.2. Процессы в области дрейфа
Рассмотрим теперь процессы, происходящие в области дрейфа, куда приходят электроны из слоя умножения. При постоянстве скорости дрейфа электронов ток проводимости i(x,t) на расстоянии х от слоя умножения равен току, протекающему в начале области дрейфа (т.е. току лавины), но в более ранний момент времени (t - ), где – время пролета электронов от начала слоя дрейфа до сечения х. Если поместить начало координат на границе слоев умножения и дрейфа, то =х/. Следовательно,
В дальнейшем нас будет интересовать наведенный ток i(t), возникающий во внешней цепи при движении электронов в области дрейфа и называемый током дрейфа. Он численно равен току проводимости i(x,t), усредненному по длине слоя дрейфа =–:
(18.11)
Заменив в (18.11) переменную интегрирования х на = t – x/ и подставив под знак интеграла выражение (18.10), найдем первую гармонику наведенного тока :
(18.12)
где =/– угол пролета электронов в области дрейфа (см. рис. 18.7).
Согласно (18.12) ток дрейфа по сравнению с током лавиныимеет меньшую враз амплитуду и отстает по фазе на угол/2. Это обусловлено конечным временем пролета электронов в области дрейфа.
Ток лавины отстает от напряжения на слое умножения (t) и соответственно от напряжения на диоде u(t) на четверть периода. Поэтому результирующий сдвиг между наведенным током и СВЧ-напряжением (t) равен (/2 +/2). Тогда при=наведенный тококазывается в противофазе с напряжением (t), т.е. сопротивление ЛПД на частоте отрицательно.
18.4.3. Эквивалентная схема и высокочастотное сопротивление лпд
Для расчета высокочастотного сопротивления ЛПД по основной гармонике колебания воспользуемся эквивалентной схемой, предложенной Ридом (рис. 18.10). Все токи и напряжения, показанные на этой схеме, являются гармоническими функциями времени, поэтому их можно рассматривать в комплексной форме. Слой умножения здесь замещен генератором тока лавины с комплексной амплитудой и емкостью=(S/) ( – диэлектрическая проницаемость полупроводника). Соответственно область дрейфа замещена генератором наведенного тока и емкостью=(S/). Напряжение на диоде складывается из напряжений, падающих на слоях умножения и дрейфа: =+. Полный ток , протекающий во внешней цепи, не зависит от координаты и состоит из суммы тока проводимости и емкостного тока:
Пользуясь эквивалентной схемой (рис. 18.10) и уравнениями (18.8), (18.10) и (18.12), можно получить следующее выражение для высокочастотного сопротивления ЛПД:
(18.13)
где
(18.14)
(18.15)
С – емкость обедненного слоя диода; =– параметр, получивший названиелавинной частоты; Ф(В)=2f(B)/B.
Согласно (18.14) и (18.15) активное R и реактивное Х сопротивления ЛПД зависят от нормированной амплитуды колебаний В через функцию Ф(В). График этой функции показан на рис. 18.9. На рис. 18.11 приведены зависимости R и СХ от В, рассчитанные по формулам (18.14) и (18.15) при /=0,6, = 0,64, С/= 4/5.
Согласно рис. 18.11,а отрицательное сопротивление R максимально в режиме слабого сигнала (при В0), с ростом амплитуды колебаний оно монотонно уменьшается. Реактивное сопротивление Х определяется в основном «холодной» емкостью диодаС. Как видно из рис. 18.11,б, по мере увеличения В разница между Х и емкостным сопротивлением –1/С уменьшается по абсолютной величине, сохраняя отрицательный знак.
Из уравнения (1814) следует, что активное сопротивление отрицательно при выполнении условия/Ф(B)<1. Физически оно означает, что емкостный ток в слое умножения должен превышать ток проводимости 2f(B). Поскольку в пороговом режиме (при В0) функция Ф(В) стремится к максимальному значению, равному единице (см. рис. 18.9), то записанное выше неравенство может выполняться только при >. Это означает, что генерация СВЧ-колебаний возможна лишь на частотах , превышающих лавинную частоту .
В соответствии с (18.14) и (18.15) активное R и реактивное Х сопротивления ЛПД зависят от частоты . На рис. 18.12 приведены зависимости малосигнальных значенийR и Х от . Зависимость отрицательного сопротивленияR от определяется влиянием «пролетного» множителя (1 – соs)/ в (18.14), который обращается в нуль при = и достигает максимального значения при = 0,7. Частоту, при которой =. называют пролетной (): =/, где=/– время пролета в области дрейфапри скорости насыщения. Если диод предназначен для работы в диапазоне частот ..., то длина области дрейфа выбирается обычно так, чтобы оптимальный угол пролета соответствовал бы средней частоте диапазона.