
- •Глава 18 лавинно-пролетные диоды
- •18.1. Взаимодействие носителей заряда с кристаллической решеткой в сильном электрическом поле
- •18.3. Принцип действия генератора на лпд
- •18.4. Элементы нелинейной теории лпд
- •18.4.1. Процессы в слое умножения
- •18.4.2. Процессы в области дрейфа
- •18.4.3. Эквивалентная схема и высокочастотное сопротивление лпд
- •18.4.4. Высокочастотная мощность и кпд автогенератора на лпд
- •18.5. Конструкции, параметры и применение генераторов на лпд
- •18.6.1. Регенеративные усилители на лпд
- •18.6.2. Усиление мощности в режиме синхронизации
- •18.6.3. Умножители частоты на лпд
18.4.2. Процессы в области дрейфа
Рассмотрим
теперь процессы, происходящие в области
дрейфа, куда приходят электроны из
слоя умножения. При постоянстве
скорости дрейфа электронов ток
проводимости i(x,t)
на расстоянии х
от слоя умножения равен току, протекающему
в начале области дрейфа (т.е. току
лавины), но в более ранний момент времени
(t
-
),
где
–
время пролета электронов от начала слоя
дрейфа до сечения х.
Если поместить начало координат на
границе слоев умножения и дрейфа, то
=х/
.
Следовательно,
В
дальнейшем нас будет интересовать
наведенный ток i(t),
возникающий
во внешней цепи при движении электронов
в области дрейфа и называемый током
дрейфа.
Он численно равен току проводимости
i(x,t),
усредненному по длине слоя дрейфа
=
–
:
(18.11)
Заменив
в (18.11) переменную интегрирования х на
=
t
–
x/
и подставив под знак интеграла выражение
(18.10), найдем первую гармонику наведенного
тока
:
(18.12)
где
=
/
– угол пролета электронов в области
дрейфа (см. рис. 18.7).
Согласно
(18.12) ток дрейфа
по сравнению с током лавины
имеет меньшую в
раз амплитуду и отстает по фазе на угол
/2.
Это обусловлено конечным временем
пролета электронов в области дрейфа.
Ток
лавины
отстает от напряжения на слое умножения
(t)
и соответственно от напряжения на диоде
u(t)
на четверть периода. Поэтому результирующий
сдвиг между наведенным током
и СВЧ-напряжением
(t)
равен (
/2
+
/2).
Тогда при
=
наведенный ток
оказывается в противофазе с напряжением
(t),
т.е. сопротивление ЛПД на частоте
отрицательно.
18.4.3. Эквивалентная схема и высокочастотное сопротивление лпд
Для
расчета высокочастотного сопротивления
ЛПД по основной гармонике колебания
воспользуемся эквивалентной схемой,
предложенной Ридом (рис. 18.10). Все токи
и напряжения, показанные на этой схеме,
являются гармоническими функциями
времени, поэтому их можно рассматривать
в комплексной форме. Слой умножения
здесь замещен генератором тока лавины
с комплексной амплитудой
и емкостью
=
(S/
)
(
– диэлектрическая проницаемость
полупроводника). Соответственно область
дрейфа замещена генератором наведенного
тока
и емкостью
=
(S/
).
Напряжение на диоде
складывается из напряжений, падающих
на слоях умножения и дрейфа:
=
+
.
Полный ток
,
протекающий во внешней цепи, не зависит
от координаты и состоит из суммы тока
проводимости и емкостного тока:
Пользуясь эквивалентной схемой (рис. 18.10) и уравнениями (18.8), (18.10) и (18.12), можно получить следующее выражение для высокочастотного сопротивления ЛПД:
(18.13)
где
(18.14)
(18.15)
С
– емкость обедненного слоя диода;
=
– параметр, получивший названиелавинной
частоты; Ф(В)=2f(B)/B.
Согласно
(18.14) и (18.15) активное R
и реактивное Х
сопротивления ЛПД зависят от
нормированной амплитуды колебаний В
через функцию Ф(В).
График этой функции показан на рис.
18.9. На рис. 18.11 приведены зависимости
R
и
СХ
от В,
рассчитанные по формулам (18.14) и (18.15) при
/
=0,6,
=
0,64
,
С/
=
4/5.
Согласно
рис. 18.11,а отрицательное сопротивление
R
максимально в режиме слабого сигнала
(при В0),
с ростом амплитуды колебаний оно
монотонно уменьшается. Реактивное
сопротивление Х определяется в основном
«холодной» емкостью диодаС.
Как видно из рис. 18.11,б, по мере
увеличения В
разница между Х
и емкостным сопротивлением –1/
С
уменьшается по абсолютной величине,
сохраняя отрицательный знак.
Из
уравнения (1814) следует, что активное
сопротивление отрицательно при выполнении
условия
/
Ф(B)<1.
Физически оно означает, что емкостный
ток в слое умножения
должен превышать ток проводимости
2
f(B).
Поскольку в пороговом режиме (при
В
0)
функция Ф(В)
стремится к максимальному значению,
равному единице (см. рис. 18.9), то записанное
выше неравенство может выполняться
только при
>
.
Это означает, что генерация СВЧ-колебаний
возможна лишь на частотах
,
превышающих лавинную частоту
.
В
соответствии с (18.14) и (18.15) активное R
и реактивное Х
сопротивления ЛПД зависят от частоты
.
На рис. 18.12 приведены зависимости
малосигнальных значенийR
и Х
от
. Зависимость отрицательного
сопротивленияR
от
определяется влиянием «пролетного»
множителя (1 – соs
)/
в (18.14), который обращается в нуль при
=
и достигает максимального значения при
=
0,7
.
Частоту, при которой
=
.
называют пролетной
(
):
=
/
,
где
=
/
– время пролета в области дрейфа
при скорости насыщения
.
Если
диод предназначен для работы в диапазоне
частот
...
,
то длина области дрейфа выбирается
обычно так, чтобы оптимальный угол
пролета
соответствовал бы средней частоте
диапазона.