- •Глава 3 электрические переходы в полупроводниковых приборах
- •3.1. Электрические переходы
- •3.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
- •3.2.1. Структураp-n-перехода
- •3.2.2. Образование p-n-перехода
- •3.2.3. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Формула для контактной разности потенциалов
- •3.2.4. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в р-n-переходе
- •3.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •3.3.1. Потенциальный барьер
- •3.3.2. Толщина р-n-перехода
- •3.3.3 Энергетические диаграммы р-n-перехода
- •3.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода
- •3.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
- •3.5.1. Учет генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненном слое
- •3.5.2. Учет сопротивлений областей
- •3.5.3. Пробой р-n-перехода
- •3.6. Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме
- •3.6.1. Дифференциальное сопротивление
- •3.6.2. Барьерная емкость
- •3.6.3. Диффузионная емкость
- •3.6.4. Малосигнальная модель p-n-перехода
- •3.7. Частотные свойства p-n-перехода
- •3.8. Импульсные свойства р-n-перехода
- •3.8.1. Переходные процессы при скачкообразном изменении полярности напряжения
- •3.8.2. Переходные процессы при воздействии импульса прямого тока
- •3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
- •3.9.1. Контакты металл полупроводник
- •3.9.2. Гетеропереходы
3.8.2. Переходные процессы при воздействии импульса прямого тока
Импульс тока с амплитудойIпр (рис. 3.28,а) может быть получен с помощью генератора тока, в качестве которого можно использовать импульсный генератор напряжения с большим внутренним сопротивлением или сопротивлением, включенным последовательно с исследуемым р-n-переходом. Эти сопротивления должны быть много больше прямого сопротивления р-n-перехода.
До включения генератора тока базовая область (n-область) находилась в состоянии равновесия (не было избыточных дырок). После включения генератора дырки будут переноситься током из р-области в n-область. Для получения установившегося распределения и необходимого количества дырок в n-области требуется определенное время. Установившееся распределение показано кривой 4 на рис. 3.29. Кривые 3, 2 и 1 соответствуют распределению в предыдущие моменты времени. Однако наклон всех кривых (градиент dpn/dx) при х = 0 одинаков, так как он всегда должен обеспечивать один и тот же диффузионный ток Iпр ~ dpn/dx. Так как после включения происходит рост концентрации дырок pn на границе (х = 0) обедненного слоя и в самой базе,
то одновременно происходит как плавный рост прямого напряжения на переходе, так и уменьшение объемного сопротивления базы Rб, на котором ток создает падение напряжения.
Поэтому следует рассматривать два случая. Если Iпр мал и падением напряжения IпрRб можно пренебречь, то изменение прямого напряжения р-n-перехода будет соответствовать рис. 3.28,б. При этом устанавливается напряжение Up. После окончания импульса тока на р-n-переходе сохраняется прямое напряжение, пока избыточные носители базы (дырки) не рекомбинируют.
При больших токах Iпр необходимо учитывать падение напряжения Uб = IпрRб и его изменение, вызванное уменьшением Rб по мере накопления носителей в базе. Этому случаю соответствует рис. 3.28,в. Вначале наблюдается скачок напряжения Uб. Затем идет плавный рост напряжения (обычно быстрый) и далее начинается спад до установившегося значения Uпр. Спад связан с уменьшением Rб. После окончания импульса тока (I = 0) напряжение на диоде скачком уменьшается на IпрRб, а затем убывает, как на рис. 3.28,б, пока не рекомбинируют все избыточные дырки в базе.
Длительность процесса установления прямого напряжения р-n-перехода характеризуется временем установления прямого напряжения или прямого сопротивления tycт. Это время отсчитывается от момента включения импульса тока до момента, при котором напряжение достигает значения 1,1Uпр.
3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
3.9.1. Контакты металл полупроводник
Они используются в полупроводниковой электронике либо в качестве омических (невыпрямляющих) контактов с областями полупроводниковых приборов, либо в качестве выпрямляющих контактов. Структура и свойства таких контактов зависят от взаимного расположения уровня Ферми в металле и полупроводнике. Мы остановимся кратко на выпрямляющих контактах металла и полупроводника n-типа.
На рис. 3.30 показана зонная диаграмма контакта для случая, когда работа выхода полупроводника n меньше работы выхода металла М, отсчитываемых от уровней Ферми Fn и Fm до уровня вакуума. После контакта слоев электроны n-полупроводника из-за меньшей работы выхода переходят в металл, поэтому вблизи границы с металлом остаются нескомпенсированные положительные ионы доноров, а границы зоны проводимости и валентной зоны искривляются вверх, как показано на рис. 3.30. При этом в состоянии равновесия уровень Ферми в обоих случаях должен быть одинаковым.
Область искривления зон (ширина перехода) мала и составляет обычно 0,1...0,2 мкм. Качественные переходы металл-полупроводник в настоящее время получаются напылением металла на полупроводник в вакууме.
Потенциальный барьер в приконтактном слое, равный разности работ выхода металла и полупроводника (к = М – n на рис. 3.30), называют барьером Шотки, а диоды, использующие эти барьеры, – диодами Шотки или диодами с барьером Шотки (ДБШ).
Если в контакте металла с n-полупроводником внешнее напряжение приложено плюсом к металлу, а минусом к полупроводнику, то высота потенциального барьера понижается, приконтактный слой обогащается основными носителями (электронами) и его сопротивление уменьшается. Это напряжение является для перехода прямым.
Важной особенностью барьеров Шотки по сравнению с р-n-переходом является отсутствие инжекции неосновных носителей. Эти переходы «работают» на основных носителях, поэтому у них отсутствует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасыванием неосновных носителей, и выше быстродействие.
Особенностью переходов с барьером Шотки является то, что их ВАХ ближе всего к экспоненциальной ВАХ идеализированного р-n-перехода, а прямое напряжение значительно меньше (примерно на 0,2 В), чем в р-n-переходах.