8.3.5. Совместная изоляция p-n-переходом и диэлектрическими пленками

При этом варианте (рис. 8.10) изоляция р-n-переходом осуществляет­ся внизу структуры и сло­ем SiO₂ на поверхностях прямоугольных или V-образных канавок.

8.3.6. Интегральные схемы на непроводящих подложках

Паразитные емкости между отдельными элементами и емкости между элементами и подложкой снижают быстродействие ИС. Эти емкости можно существенно уменьшить заменой полупроводнико­вой подложки на непроводящую, например сапфировую (структура «кремний на сапфире», КНС). На сапфире (рис. 8.11) выращивается эпитаксиальный слойn-кремния толщиной 1...З мкм. «Островки» со­здаются локальным травлением кремния до сапфировой подложки. В островках создаются транзисторные структуры. После этого воз­душные зазоры ме­жду островками за­полняются изолиру­ющим поликристал­лическим кремнием, на поверхности ко­торого создаются соединения элемен­тов схемы.