4.1.4. Асинхронные входы триггеров

Непрозрачные триггеры кроме штатных входов - синхровхода Си управляющих входовD,J,Kчасто дополняют независимыми от нихRиSвходами. При этом схема строится так, что R иSвходы имеют приоритет в своем воздействии на триггер по отношению к штатным входам, т. е. R илиSвходы устанавливают диктуемое ими состояние триггера независимо от сигналов, поступающих в это время на штатные входы, в том числе и на вход С. Поэтому такие R иSвходы называютасинхронными.По окончании асинхронного сигнала установленное им состояние сохраняется вплоть до очередного активного фронта С-сигнала. По этому фронту триггер сработает уже в соответствии с этим установленным состоянием и с действующими в данный момент уровнями на штатных управляющих входах. Как правило, асинхронные входы имеют активный низкий уровень.

4.2. Регистры

4.2.1. Параллельные регистры

Параллельные регистры - это устройства, предназначенные для записи, хранения и выдачи информации, представленной в виде двоичных кодов. Для хранения каждого двоичного разряда в регистре используется одна триггерная ячейка.

Для запоминания многоразрядных слов необходимое число триггеров объединяют вместе и рассматривают как единый функциональный узел-регистр. Если регистр построен на триггерах-защелках, то его называютрегистр-защелка.Типовыми внешними связями регистра являются информационные входыD;, вход сигнала записи (или загрузки) С, вход гашенияR,выходы триггеров Q. В упрощенном варианте регистр может не иметь входа гашения и инверсных выходов.

На рис. 4.6 показана схема четырехразрядного регистра, выполненного на ИМС К155ТМ5 и К155ЛИ1.

При подаче управляющего сигнала у1=1 информация по входамX1—Х4 записывается одновременно в соответствующие разряды четырех D-триггеров. Приy1=y2=0 информация хранится в регистре памяти, а приy2=1 происходит параллельное считывание информации.

Рис.4.6. Четырехразрядный параллельный регистр

Условным изображением регистра по рис. 4.7, а пользуются тогда, когда на схеме необходимо показать каждый вход и выход данных. Если же тракт данных рассматривается как единое, укрупненное понятие - шина данных,то пользуются обозначением, показанным на рис 4.7, б.

а) б)

Рис. 4.7. Условное обозначение регистра

Выпускаемые промышленностью регистры иногда объединяют на кристалле микросхемы с другими узлами, в паре с которыми регистры часто используются в схемах цифровой аппаратуры. Пример такого комплексного узла - микросхема многорежимного буферного регистра (МБР) К589ИР12, основу которой составляет 8-разрядный регистр-защелка с входами DO—D7, С, R и восемью выходами Q0—Q7, снабженными усилителями мощности (буферами) с тремя состояниями выхода. Кроме того, в состав микросхемы входят несколько элементов управления. Усилители с тремя состояниями выхода имеет и 4-разрядный регистр К155ИР15, построенный на непрозрачных триггерах без свойств захвата или проницаемости, т. е. управляемых строго фронтом.

4.2.2. Регистровая память

Существуют микросхемы, в которых регистр объединен с входным мультиплексором, позволяющим принимать входные данные с двух и более направлений, выбираемых сигналами на адресных входах микросхемы. Объединяют регистр и с выходным демультиплексором, позволяющим передавать содержимое регистра на различные направления.

Сразу несколько регистров содержат микросхемы регистровой памяти (register memory, register file, сверхоперативная память).ВходыDiрегистров подключены к общей входной шине данных(data in).Вход загрузки требуемого регистра выбирается дешифратором записи на основании поступающего на его вход адреса записи(write address),т. е. кода номера загружаемого регистра. Запись данных, присутствующих на шине,происходит в момент поступления сигнала разрешения записи(write enable).

Выходы регистров мультиплексором подключаются к выходной шине (data out).Номер регистра, с которого происходит чтение, определяет код адреса чтения(read address).Выдачу данных разрешает сигнал разрешения чтения (read enable).

Поскольку дешифрация адреса записи и адреса чтения производится двумя независимыми узлами, имеющими автономные адресные входы,регистровая память может одновременно записывать число в один из регистров и читать число из другого.

Микросхемы регистровой памяти легко наращиваются по разрядности и допускают наращивание по числу регистров. Они разработаны для построения блоков регистров общего назначения (РОН)и других специализированных блоков памяти небольшого объема, предназначенных для временного хранения исходных данных и промежуточных результатов в цифровом устройстве.

По мере увеличения числа регистров памяти разработчики отказываются от независимой адресации регистров при записи и чтении. Остается лишь один комплект адресных входов и один дешифратор адреса, которые используются и при записи, и при считывании. Такую схему регистровой памятью уже не называют. По ЕСКД она обозначается RAM (random access memory, т.е.память с произвольным доступом).Используются также термины:запоминающее устройство с произвольной выборкой(ЗУПВ),оперативное запоминающее устройство(ОЗУ),оперативная память,а иногда - просто память. В микросхемах ЗУПВ ввод и вывод данных при записи и чтении могут осуществляться через одни и те же выводы корпуса за счет использования в тракте считывания элементов с тремя состояниями выхода или с открытым коллектором. Режимы работы микросхемызапись, чтениеихранениезадаются комбинациями сигналов на ее входах управления. Если для ввода данных при записи и вывода их при чтении используются различные выводы корпуса (входыD_iи выходыQ_i), то режим хранения может быть совмещен с режимом чтения.

Микросхемы ОЗУ малой емкости часто выпускаются в составе распространенных серий. Они имеют входы адреса А_j, входы данных D_i ; вход режима W/R: запись или чтение; выходы данных Q_i; вход (или несколько конъюнктивных входов) разрешения Е, чаще называемый выбор кристалла ВК, выбор микросхемы ВМ или CS (chip select). Такую микросхему можно рассматривать как группу регистров, дешифратор для их выборки, цепи записи в регистры и считывания с них. Примерами подобных ИМС могут служить К155РУ2 емкостью 16х4 (16 слов по 4 разряда), К537РУ8 – 2Кх 8. Такие ОЗУ принято называть статическими. Наращивание разрядности и числа хранимых слов производится, как и в случае ПЗУ.

Микросхемы ЗУПВ большей емкости выпускают уже в составе определенных серий БИС памяти. Часто такие микросхемы имеют временную диаграмму с большим числом регламентированных интервалов, адрес может подаваться по частям, есть микросхемы, требующие регенерации хранимых данных (динамические ОЗУ - раздел 5).