Основные параметры и характеристики тензорезисторов.

Тензорезисторы характеризуются рядом параметров, основными из которых являются:

- тензочувствительность S_т;

- номинальное сопротивление R;

- допустимая деформация Е_доп;

- погрешность преобразования.

Для обоих видов тензочувствительных материалов, проводниковых и полупроводниковых, тензоэффект характеризуется величиной тензочувствительности, устанавливающей связь между относительным изменением сопротивления и относительной деформацией в направлении измерений [1,2].

Тензочувствительность материала характеризуется зависимостью

S_{T =} =1+2 , [1]

где ; R; ΔR; Δ - длина и сопротивление тензочувствительного элемента и их приращение в следствии деформации;

m - коэффициент эластосопротивления, равный m =υΕ_м ;

Ε_м - модуль упругости образца тензочувствительного материала;

υ – продольный коэффициент пьезосопротивления.

В формуле члены 1+2 определяют зависимость величины S_T от изменения геометрии, а последний член – от изменения свойств материала образца. Для металлов m составляет небольшую долю от величины 1+2. Для полупроводниковых материалов, наоборот, m> 1+2, и для них без особой ошибки можно считать, что S_T ≈ m. Коэффициент Пуассона для металлов и сплавов, из которых изготовляют тензорезисторы, в области упругих деформаций лежит в пределах 0,24 – 0,42. Учитывая, что m≈ 0, получаем величину S_T =1,48÷1,84, т.е. значение коэффициента тензочувствительности проволочных и и фольговых преобразователей близко к двум. У полупроводниковых материалов μ и m достигают нескольких десятков, а поэтому S_T =50÷100. Важным свойством полупроводниковых тензорезисторов является практически линейная зависимость сопротивления от деформации и температуры, поэтому отпадает необходимость применения специальных средств для компенсации нелинейности.

Номинальное сопротивление тензорезистора – сопротивление между его выводами при заданной температуре окружающей среды в отсутствии механических нагрузок.

Величины номинального сопротивления проволочных и фольговых тензорезисторов находятся в пределах 10–800 Ом, полупроводниковых – 50– 50000 Ом.

Одной из важных характеристик тензорезисторов является допустимая деформация Е_доп. Её превышение приводит к появлению остаточных деформаций и даже обрыву проволочных проводников и разрушение пластины полупроводниковых преобразователей. Для тензорезисторов Е_доп =3÷5∙10^-3.

Максимально возможное изменение сопротивления преобразователей составляет:

у проволочных и фольговых при S_т=2

= S_т Е_доп = 2∙3∙10^-3 =0,6% [2]

у полупроводниковых при S_т=100

=30%.

Вследствие малости относительного изменения сопротивления проволочных и фольговых преобразователей возникает необходимость включения их в специальные схемы, предусматривающие усиление сигнала и компенсацию изменения сопротивления R в зависимости от других факторов. Полупроводниковые тензорезисторы имеют большой динамический диапазон изменения сопротивления и поэтому могут вырабатывать значительный сигнал, не требующий усиления.