Ознакомление с основными меню программы microwind.

Запуск программы – 2щелчка на ярлыке MicroWind.exe. После запуска программы мы видим главное окно. Верхняя строка – основное меню программы. Во вторую строку вынесены иконки наиболее часто употребляемых команд:

Open File – открытие топологического файла .msk,

Save File – сохранение топологического файла в формате .msk,

Draw Box – прорисовка фигур в выделенном топологическом слое,

Cut - удаление фигур или текста,

Copy – копирование фигур или текста,

Stretch, Move – растяжка, сдвиг элементов,

Zoom in – просмотр фрагмента включен,

Zoom out - просмотр фрагмента выключен,

View all – просмотр всего проекта,

View node – экстракция и просмотр электрического узла, выделенного курсором,

Simulate – экстракция и расчет электрической схемы,

Ruler – измерение расстояния между двумя точками в единицах λ и микронах,

Process View – двумерное вертикальное сечение прибора,

Design Rule Checker – проверка правил проектирования; ошибки указываются на топологии,

Text – добавление текста в топологию,

Chip Library – библиотека простейших элементов ,

MOS Characteristics – расчет статических характеристик МДП - транзистора,

Show Palette – просмотр палитры топологических слоев.

Центральная часть экрана – окно топологического дисплея. Справа – меню топологических слоев.

Познакомимся с работой программы на примерах готовых библиотечных элементов, записанных в топологических файлах с расширением .msk. Эти примеры можно вызвать несколькими способами:

• File → Open → [file.msk];

• File→ New → Insert → [file.msk];

• Open file (1-ая иконка во второй строке меню).

Сохранять собственный проект или модифицированный файл нужно в собственную директорию, задавая имя с расширением .msk.

Порядок выполнения рабочего задания.

1. Открываем новый файл для прорисовки топологии n- МДП – транзистора (File→New).

2. Устанавливаем технологический базис в соответствии с вариантом (File→Select Foundry).

3. Рисуем топологию транзистора в слоях N⁺ - diffusion и Polysilicium. Обеспечиваем размеры канала в соответствии с вариантом задания, добавляя необходимую площадь для контактных окон к истоку/стоку и затвору. Дополняем структуру контактными окнами в слое Contact и металлическими выводами в слое Metal 1. После завершения работы в каждом слое проверяем выполнение правил проектирования (Design Rule Checker).

4. Зарисовываем продольное и два поперечных двумерных сечения МДП - транзистора (Process View).

5. Анализируем вольтамперные характеристики (ВАХ) полученной структуры (MOS Characteristics). Заносим в таблицу 4 значения I_НАС для моделей level1 и level3.

6. Рассчитываем значение крутизны K = K₀ * W / L.

7. Повторяем п.п. 1-5 для p- МДПТ, добавляя в п. 3 создание кармана в слое Nwell.

Таблица 4. Результаты проектирования МДП – транзисторов.

Тип транзистора	LМИН, мкм	λ, мкм	K0, мкА/В2	W, мкм	L, мкм	W/L	IНАС ,мА lev1	IНАС ,мА lev3	K, мкА/В2
nМДПТ
pМДПТ

Контрольные вопросы.

1. Записать уравнения простейшей модели и зарисовать условное обозначение для заданного типа МДП – транзистора.

2. Рассчитать по указанной модели значение тока для заданных параметров и напряжений на выводах транзистора.

3. Зарисовать последовательность формирования топологии заданного типа МДП – транзистора и двумерные сечения, соответствующие последовательности формирования интегрального транзистора.

4. Построить двумерное сечение по заданной топологии.