
- •3. Тензометрия. Электротензометрия
- •3.1. Проволочные датчики сопротивления и их конструкция
- •3.2. Крепление тензодатчиков и особенности технологии эксперимента
- •3.3. Физические основы электротензометрии
- •3.4. Тарировка датчика
- •3.5. Электрические цепи
- •3.5.1. Потенциометрическая схема
- •3.5.2. Мостовые схемы
- •3.5.3. Чувствительность электрических цепей
3.2. Крепление тензодатчиков и особенности технологии эксперимента
В качестве основания тензорезисторов может служить бумага или пластмассовая панель. Пластмассы, применяемые в качестве оснований тензодатчика, обычно более теплопроводны, чем бумага, однако толщина основания из пластмассы часто бывает больше толщины бумажного основания. Наклейка тензометров с основанием из пластмассы с помощью клеев с испаряющимся растворителем требует больше времени, так как для полного высыхания клея под основанием тензометра, почти не пропускающим паров растворителя, часто требуется несколько суток. В то же время тензометр с бумажным основанием бывает готов для измерений не позднее 24 часов после наклейки.
Для предохранения проволоки тензодатчика от механических повреждений проволоку закрывают полоской фетра или полностью утапливают проволоку в основание датчика. Эти мероприятия одновременно обеспечивают защиту проволоки от быстрых изменений температуры в результате охлаждения местным потоком воздуха или нагревания при кратковременном действии теплового излучения.
Проволока наклеенного на деталь стандартного тензодатчика сопротивления обычно обладает электрической емкостью по отношению к металлической детали порядка 50 пф (пикофарад). Если деталь находится под напряжением переменного тока относительно земли, то благодаря наличию этой емкости на проволоке тензометра могут появляться довольно значительные напряжения — помехи, которые часто не удается полностью устранить, несмотря на наличие в измерительной схеме фильтров и выпрямителей. В этих случаях оказывается полезной полная экранировка проволоки датчика. Для такой экранировки тензометр оклеивают обмоткой из тонкой медной ленты (например, сечением 20,01 мм), спрессовывают, изолируют и в таком виде наклеивают на исследуемую деталь. Витки экранирующей обмотки пропаивают вдоль осевой линии тензодатчика и после наклейки тензодатчика экранирующую обмотку соединяют с экранирующей оплеткой кабеля, соединяющего тензометр с измерителем.
Для обозначения положения проволоки тензометра на его поверхности наносят две взаимно-перпендикулярные осевые линии.
Наивыгоднейшие значения омического сопротивления тензодатчика лежат в области 100-1000 Ом.
3.3. Физические основы электротензометрии
Явление, положенное в основу электротензометрии, основано на изменении электрического сопротивления при деформации металлического проводника. Известно, что омическое сопротивление R проводника длиной l площадью поперечного сечения F и удельным сопротивлением ρ изменяется по следующему закону:
.
(3.1)
Дифференцируя равенство (3.1) и деля его на общее сопротивление, получим
(3.2)
Величина dF определяет изменение поперечного сечения проводника в результате деформации и равна:
, (3.3)
где μ- коэффициент Пуассона.
Подставляя (3.3) в (3.2), будем иметь
, (3.4)
где k- коэффициент тензочувствительности материала проводника;
dR/R- относительное изменение сопротивления проволоки;
dl/l - относительная деформация;
dρ/ρ - относительное изменение удельного сопротивления.
Из экспериментальных данных, приведенных в табл. 3.1, видно, что эта величина для большинства используемых материалов изменяется в пределах от -12 до +5.
Таблица 3.1 – Характеристика материалов тензодатчиков
Материал |
Состав, % |
Коэффи-циент тен-зочувстви-тельности |
Удельное сопротив-ление, Ом∙см |
Предельная рабочая температура, ˚С
|
Константан |
60 Cu + 40 Ni |
2,0 |
0,48 |
400 |
Нихром |
80 Ni + 20 Cr |
2,2 |
1,30 |
1000 |
Манганин |
84 Cu + 12 Mn + 4 Ni |
0,5 |
0,42 |
─ |
Платиноиридиевый сплав |
80 Pt + 20 Ir |
5,1 |
0,36 |
1300 |
Платиновольфрамовый сплав |
92 Pt + 8W |
4,0 |
─ |
─ |
Никельмолибденовый сплав |
28 Mo + 72 Ni |
2,5 |
1,40 |
650 |
Никельхромовый сплав |
20 Cr + 2Cu + + 2,6Al + 75,4 Ni |
2,0 |
1,16 |
1000 |
Железохромалюминиевый сплав |
22,3Cr + 4,8Al + 0,35C+остальное |
+2,8 |
1,50 |
1250 |
Никель |
Ni |
-12,1 |
─ |
─ |
Серебро |
Ag |
2,9 |
─ |
─ |
Медь |
Cu |
2,6 |
─ |
─ |
Платина |
Pt |
6,0 |
0,10 |
1300 |
Анализ уравнения (3.4) показывает, что коэффициент k зависит от двух факторов: изменения размеров проводника, связанного с коэффициентом Пуассона, и изменения удельного сопротивления. Величина (1+2μ) для разных металлов и сплавов может быть принята равной 1,6-1,8. Второе слагаемое в этом уравнении может изменяться в довольно широких пределах и от него в основном зависит чувствительность датчика.
Из (3.4) видно, что для повышения чувствительности ПДС целесообразно использовать материалы с большим коэффициентом тензочувствительности.
Для обеспечения нормальной работы и чувствительности материал тензорезистора должен отвечать следующим основным требованиям:
обладать линейной связью между деформацией и изменением сопротивления в достаточном диапазоне деформаций, так как это позволяет упростить тарировку и использовать датчик в упругой, а иногда и в пластической областях;
иметь высокое удельное сопротивление, что позволяет уменьшить размеры ПДС при сравнительно высоком сопротивлении;
обладать высокими прочностными характеристиками;
должен отсутствовать гистерезис, так как наличие его сказывается на воспроизводимости результатов;
иметь хорошую термостабильность.
В ряде случаев к проволочным датчикам могут предъявляться дополнительные требования, относящиеся к его герметичности, инерционности, экономичности и пр. Наиболее полно этим требованиям отвечает медноникелевый сплав - константан.
Следующим важным параметром датчика является его база. Обычно она лежит в пределах от 1 до 20 мм. В настоящее время разработана серия датчиков с меньшей базой.
Выбор базы определяется рядом факторов. С одной стороны, ее увеличение приводит к большим погрешностям измерения в случае неоднородного поля деформаций, так как датчик дает осредненную величину деформации на его базе. С другой стороны, уменьшение базы позволяет приблизиться к измерению в точке, но при этом падает омическое сопротивление тензорезистора и, следовательно, точность измерения. Кроме того, на выбор базы влияет конфигурация поверхности исследуемой детали и удобство его монтажа.
В последние годы появились сведения о практическом использовании полупроводниковых датчиков, которые обладают чрезвычайно высокой чувствительностью (k > 100). Принципиальное отличие работы этих датчиков по сравнению с датчиками сопротивления заключается в том, что коэффициент тензочувствительности материала зависит главным образом от изменения удельного сопротивления, а не от изменения линейных размеров.
Недостатками этих датчиков являются нарушение линейной связи при измерении больших деформаций и высокая чувствительность к изменению температуры.