![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •В.И.Елфимов, н.С.Устыленко основы теории p-n перехода
- •Основы теории p-n перехода.
- •Оглавление
- •1. Физические процессы в p-n переходе 7
- •Введение
- •1. Физические процессы в p-n переходе
- •1.1. Понятие электронно-дырочного перехода
- •1.2. Равновесное состояние p-n перехода
- •1.2.1. Образование p-n перехода
- •Диаграмма 1
- •Диаграмма 5
- •1.2.2. Токи в p-n переходе в равновесном состоянии
- •1.2.3. Контактная разность потенциалов
- •1.2.4. Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии
- •1.3. Неравновесное состояние p-n перехода
- •1.3.1. Прямосмещенный p-n переход
- •1.3.2. Обратносмещенный p-n переход
- •2. Идеальный p-n переход
- •2.1 Основные соотношения для идеального p-n перехода
- •2.2. Вольтамперная характеристика идеального p-n перехода
- •3. Вольтамперная характеристика реального p-n перехода
- •3.1. Прямая ветвь вах реального p-n перехода
- •3.2. Обратная ветвь вах реального p-n перехода
- •4. Виды пробоев p-n перехода
- •4.1. Общая характеристика пробоя p-n перехода
- •4.2. Тепловой пробой p-n перехода
- •4.3. Полевой пробой
- •4.4. Лавинный пробой
- •5. Вопросы для самопроверки
- •Список литературы
- •Основы теории p-n перехода
1.2.2. Токи в p-n переходе в равновесном состоянии
Токи в полупроводниках, как известно, определяются направленным движением носителей заряда. Направленное движение носителей заряда имеет две разновидности: диффузионное направленное движение носителей заряда и дрейфовое направленное движение носителей заряда. Первое направленное движение носителей заряда – диффузия - вызывается неравномерной концентрацией носителей заряда в полупроводнике, а второе – дрейф - происходит под действием электрического поля. В p-n переходе присутствуют обе составляющих направленного движения носителей заряда, и ток в p-n переходе содержит две составляющих: диффузионная составляющая тока p-n перехода; дрейфовая составляющая тока p-n перехода.
Ток диффузии обусловлен переходом основных носителей заряда через p-n переход из-за их градиента концентрации (за счет тепловой энергии). Переход основных носителей заряда происходит в тормозящем электрическом поле p-n перехода. Плотность диффузионного тока подчиняется закону Фика:
,
где iD - плотность диффузионного тока p-n перехода; iDp – дырочная составляющая плотности тока диффузии; iDn - электронная составляющая плотности тока диффузии; Dp, Dn - коэффициенты диффузии дырок и электронов; dp/dx, dn/dx - градиенты концентрации дырок и электронов. Знак минус показывает, что диффузионный ток протекает в сторону уменьшения градиента концентрации.
Учтем, что рассматриваемый p-n переход является несимметричным, то есть Nа>>NД, а значит, и pp>nn ; из этого следует, что iDp iDn.
Дрейфовая составляющая тока обусловлена переносом через p-n переход неосновных носителей заряда под действием ускоряющего для них электрического поля p-n перехода напряженностью Eк. Плотность дрейфового тока iE определяется:
или
,
где iEp - дырочная составляющая плотности дрейфового тока; iEn – электронная составляющая плотности дрейфового тока;
p, n - подвижности дырок и электронов; pn - концентрация дырок в полупроводнике n-типа, являющихся там неосновными носителями заряда; np - концентрация электронов в полупроводнике p-типа, являющихся там также неосновными носителями заряда.
Исходя из первоначального предположения, что Nа>>NД, и закона действующих масс, можно сделать вывод, что pn>>np, поэтому iEp>>iEn.
Непременным условием равновесного состояния p-n перехода является равенство нулю суммарного тока через p-n переход. Направления токов в p-n переходе в равновесном состоянии иллюстрируются рис.3.
Рис.3
Ток в p-n переходе в основном определяется дырочной составляющей тока диффузии полупроводника p-типа и дырочной составляющей дрейфового тока полупроводника n-типа. Поэтому для плотности тока через p-n переход следует записать условие равновесного состояния p-n перехода в виде
, иначе:
или приближенно
,
так как iDpiDn,
iEp>>iEn.
1.2.3. Контактная разность потенциалов
Как уже отмечалось, распределение потенциала в p-n переходе находится из решения уравнения Пуассона. Максимальное значение потенциала, определяющего высоту потенциального барьера для равновесного состояния, равно контактной разности потенциалов (диаграмма 5 рис.2). Ее можно определить на основании следующих рассуждений.
Условие равновесия
p-n перехода имеет вид
.
Поскольку и диффузионная, и дрейфовая составляющие плотности тока определяются в основном соответствующими дырочными составляющими iDp и iEp, то условие равновесия можно приближенно записать:
или в развернутом
виде
.
Из последнего выражения с учетом E=dU/dx запишем
.
Преобразуя данную
формулу, получим
,
или в общем виде
.
Параметры дрейфового и диффузионного движения носителей заряда связаны между собой соотношениями Эйнштейна:
;
.
В общем случае
,
где D - коэффициент диффузии, -
подвижность. Отсюда находим:
,
где
T
получил название температурного
потенциала. Для комнатной температуры
T = 300 К имеем:
.
Подставляя T
, получим дифференциальное уравнение
.
Решение данного дифференциального
уравнения в результате интегрирования
в общем виде представляется соотношением
.
Для определения
постоянной С необходимо знание
граничных условий. В случае полупроводника
p-типа граничные условия запишутся в
виде p=pp
; имеем =p
- потенциал работы выхода электрона
из полупроводника p-типа:
.
Для полупроводника n-типа граничные
условия имеют вид p=pn
, =n
- потенциал работы выхода электрона
из полупроводника n-типа,
.
Отсюда контактная разность потенциалов
запишется:
.
С учетом закона действующих масс для примесных полупроводников в случае полупроводника n-типа имеем pn=ni2/nnni2/NД, так как nn=ni+NДNД , NД>>ni.
В результате контактная разность потенциалов находится из выражения
,
так как pp=ni+NаNа, Nа>>ni ( ni=pi ! ).
Окончательная формула для контактной разности потенциалов p-n перехода определяет ее зависимость от трех факторов:
к=f [материал полупроводника; Nпр; tС].
Зависимость к от материала полупроводника определяется различным значением их ширины запрещенной зоны. Известно, что для германия - Wз=0,72эВ, ni1013см-3; для кремния - Wз=1,12эВ, ni1010см-3; для арсенида галлия - Wз=1,41эВ, ni106см-3. При внесении одинаковой концентрации примеси во все полупроводниковые материалы и изготовлении из них p-n переходов на основании формулы контактной разности потенциалов следует, что кGe<кSi<кGaAs, то есть, чем больше ширина запрещенной зоны полупроводника, тем больше контактная разность потенциалов. При комнатной температуре ориентировочные значения контактной разности потенциалов p-n переходов из различных полупроводниковых материалов составляют величины:
кGe=0,30,4 В, кSi=0,60,8 В, кGaAs=1,01,2 В.
Степень легирования исходных полупроводников также влияет на значение контактной разности потенциалов. Чем больше степень легирования полупроводника, то есть чем больше вносится в полупроводник атомов примеси (Nпр – концентрация примеси), тем большее значение имеет контактная разность потенциалов.
Контактная
разность потенциалов зависит от
температуры окружающей среды. С
увеличением температуры контактная
разность потенциалов уменьшается. Это
связано с тем, что в выражении для к
с
увеличением температуры окружающей
среды возрастает значение температурного
потенциала Т,
но
также возрастает и это увеличение
происходит быстрее, чем рост температурного
потенциала, поэтому контактная
разность потенциалов при увеличении
температуры уменьшается.
Задача 1
Имеется германиевый p-n переход с концентрацией примесей NД=103 Nа, причем на каждые 108 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре Т=300К. Концентрацию атомов германия N и собственную концентрацию носителей заряда ni принять равными 4,41022 и 2,51013 см-3 соответственно.
Решение
Концентрация акцепторных атомов Nа=N/108=4,41022/108= =4,41014см-3. Концентрация атомов доноров NД=103Nа=4,41017см-3. При Т=300К все атомы примеси ионизированы, поэтому контактная разность потенциалов
=0,0258ln
=0,326
В.
Задача 2
Удельное сопротивление p-области германиевого p-n перехода р=2 Омсм, а удельное сопротивление n-области n=1 Омсм. Вычислить высоту потенциального барьера p-n перехода при Т=300К.
Справочные данные. Германий, Т=300К: подвижность дырок р=1800 см2/(Вс); подвижность электронов n=3800 см2/(Вс); равновесная концентрация носителей заряда ni =2,51013см-3.
Решение
Удельное
сопротивление p-области
полупроводника
.
Отсюда найдем концентрацию акцепторов
в p-области:
.
Аналогично найдем концентрацию доноров в n-области полупроводника:
.
Считая примеси ионизированными, найдем высоту потенциального барьера p-n перехода:
=8,6210-5300ln
=
=0,217
эВ.
Задача 3
В структуре с кремниевым p-n переходом удельная проводимость p-области р=104 См/м и удельная проводимость n-области n=102 См/м. Вычислить контактную разность потенциалов в переходе при Т=300К .
Справочные данные. Кремний, Т=300К: подвижность дырок р=500 см2/(Вс); подвижность электронов n=1400 см2/(Вс); равновесная концентрация носителей заряда ni =1,41010см-3.
Решение
Для
полупроводника p-типа
.
Отсюда найдем концентрацию дырок pp
(основные носители заряда для
p-полупроводника):
=104/(1,610-190,05)=1,251024
м-3.
Аналогично найдем концентрацию электронов в n-области:
=100/(1,610-190,14)=4,461021
м-3.
Используя закон действующих масс, найдем концентрацию дырок в n-области:
=
(1,41016)2/(4,461021)=4,391010
м-3.
Контактная разность потенциалов
=
=
=0,799=0,8
В.