
- •М инистерство образования российской федерации
- •Глава 1. Введение в электронную теорию твердого тела 5
- •Глава 2. Теория и практика эмиссионных процессов. 21
- •Глава 3. Электронно-вакуумные приборы с электростатическими полями 69
- •Глава 4. Теория и практика фокусировки и управления электронными пучками в электромагнитных полях 95
- •Глава 5. Электронно-лучевые приборы 133
- •Глава 6. Газоразрядная и плазменная электроника 158
- •Глава 1.
- •1.1.Энергия связи в твердом теле.
- •2.1. Металлическое состояние.
- •3.1. Состояние электрона в кристаллической решетке
- •4.1.Статистика электронов в кристаллической решетке металла.
- •5.1.Энергия Ферми.
- •6.1. Плотность электронных состояний.
- •7.1. Особенности зонной структуры ионных и ковалентных кристаллов.
- •8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
- •Глава 2.
- •1.2. Работа выхода электрона из твердых тел.
- •2.2. Термоэлектронная эмиссия
- •1.3. Термоэлектронные катоды.
- •1.1.3. Металлические катоды.
- •2.1.3. Пленочные катоды
- •3.1.3. Оксидные катоды.
- •4.1.3. Способы нагрева катодов.
- •4.2. Закон Лэнгмюра-Богуславского.
- •4.2. Эффект Шоттки.
- •6.2. Автоэлектронная эмиссия.
- •6.2. Взрывная эмиссия.
- •8.2 Автоэмиссионные катоды.
- •7.2. Вторичная электронная эмиссия
- •8.2. Фотоэлектронная эмиссия.
- •10.2 Фотокатоды.
- •1.10.2. Фотокатоды для видимой области спектра.
- •2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
- •3.10.2. Фотокатоды для инфракрасной области.
- •11.2 Аноды электронно-вакуумных приборов.
- •12.2 Управление электронным потоком
- •Глава 3.
- •1.3.Рентгеновские трубки.
- •Длина волны характеристических линий и потенциал возбуждения к-серии ряда элементов.
- •1.1.3 Области применения и конструктивные
- •2.1.3. Двухэлектродные трубки для просвечивания.
- •3.1.3. Импульсные рентгеновские трубки.
- •4.1.3. Трубки для диагностики биологических объектов.
- •5.1.3. Трубки для рентгенотерапии.
- •6.1.3. Рентгеновские трубки для радиационной химии
- •7.1.3. Рентгеноструктурный анализ.
- •8.1.3. Рентгеноспектральный анализ
- •9.1.3. Бескристальные спектрометры
- •2.3. Электронно-ионный микроскоп.
- •3.3. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 4
- •1.4.Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Уравнения движения.
- •2.4. Аналогия между движением заряженных частиц в электростатическом поле и распространением световых лучей в прозрачной среде.
- •3.4. Центрированные электронно-оптические системы.
- •4.4. Фокусировка электронных пучков в аксиально-симметричных
- •1.4.4. Катодная линза.
- •2.4.4. Электронные пушки.
- •3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
- •4.4.4. Электронный прожектор.
- •5.4.4. Электростатические системы управления электронным лучом.
- •6.4.4. Анализатор скорости заряженных частиц.
- •7.4.4. Осциллографическая трубка.
- •5.4. Фокусировка и управление потоком заряженных частиц в постоянных магнитных полях.
- •1.5.4. Конструкции магнитных линз.
- •2.5. 4. Дефекты электронно-оптических линз.
- •3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
- •Глава 5
- •1.5. Кинескопы.
- •2.5 Электронно-оптический преобразователь.
- •3.5. Электронные микроскопы.
- •1.3.5. Принцип работы электронных микроскопов.
- •2.3.5. Просвечивающие электронные микроскопы.
- •3.3.5. Рентгеновские микроанализаторы.
- •4.3.5. Растровые электронные микроскопы.
- •Глава 6.
- •1.6. Слабоионизированные газы.
- •2.6. Ионизация газа, находящегося в термодинамическом равновесии.
- •3.6. Диффузионный ток.
- •4.6. Проводимость
- •5.6. Ударная ионизация
- •6.6. Вольтамперная характеристики газового разряда.
- •1.6.6. Несамостоятельный газовый разряд.
- •2.6.6. Самостоятельный газовый разряд.
- •7.6. Газоразрядные приборы с холодным катодом
- •1.7.6. Дуговые разрядники.
- •2.7.6. Газоразрядные источники света.
- •3.7.6. Лампы тлеющего свечения (лтс).
- •4.7.6. Стабилитрон тлеющего разряда.
- •5.7.6. Многоэлектродные газоразрядные приборы тлеющего разряда.
- •6.7.6. Тиратрон тлеющего разряда.
- •7.7.6. Тиратроны дугового разряда.
- •8.6. Дисплеи с плазменной панелью.
- •1.8.6.Структура ячейки
5.1.Энергия Ферми.
Энергия электронов в твердом теле почти та же, что и энергия электрона в свободных атомах. Однако вследствие перекрывания волновых функций в кристалле происходит переход электронов от атома к атому. Он представляет собой фактическое перемещение электронов в пространстве; следовательно, этому процессу соответствуют трансляционный импульс и трансляционная энергия, которые добавляются к импульсу и энергии электронов свободных атомов. Полная энергия электрона является суммой этих двух энергий, т. е.
Еполн= Еатом+Етранс (7.1)
В этом выражении Еатом представляет собой энергию электрона на атомной орбите, а Етранс кинетическую энергию перехода электрона от атома к атому. Конечно, Еатом не равняется соответствующему энергетическому уровню электрона в свободном атоме, так как волновые функции электронов в атомах, в твердом теле, искажены по сравнению с функциями электронов свободных атомов. В общем случае Еатом меньше энергии электрона в свободном атоме; это очевидно из того факта, что атомы при образовании твердого тела притягиваются друг к другу. На рис.4.1 отмечены некоторые важные характеристики энергетического спектра электронов. Состояние, обозначенное Еатом, должно быть наинизшем энергетическим состоянием, так как энергия Етранс всегда положительна. Уровни энергии электронов, обладающих трансляционной энергией, расположены выше Еатом. Эти электроны находятся на уровнях, названных на схеме занятыми. Энергия электронов с наивысшей скоростью трансляционного движения называется энергией Ферми Еf Выше Еf существует область возможных состояний, соответствующих трансляционному движению вплоть до некоторого наивысшего уровня с энергией Еmax, называемого потолком энергетической зоны. Наличие максимальной энергии Emax следует из того факта, что в зоне содержится всего Ngn уровней (gn-кратность вырождения). Если кроме чисто атомного состояния электрона, расположенного на дне зоны, добавлены Ngn трансляционных состояний, то число уровней исчерпано и больших
,
Рис.4.1. Схема энергетических уровней частично заполненной зоны.
значений энергии в зоне быть не может. В металле энергия наивысшего уровня Ef является отрицательной величиной (рис.4.1). Трансляционная часть этой энергии, называемая кинетической энергией Ферми (на рисунке выделена интервалом) – положительная величина, поскольку она отсчитывается от дна зоны Еатом. Трансляционная энергия и импульс (р) связаны известным соотношением
Е=
,
(8.1)
где m-масса электрона.
Зона в целом состоит из Ngn уровней. Следовательно, уровни энергии представляют собой дискретный, но плотно упакованный набор. Чтобы каждое из (дискретных) трансляционных состояний можно было отличить от всех остальных, эти состояния должны отличатся друг от друга по импульсу на величину определяемую принципом неопределенности.
Число квантовых состояний в трехмерном импульсном пространстве в интервале dpxdpydpz (рис. 5.1) определяется выражением:
dФ=2
,
(9.1)
где h3-объем элементарной ячейки фазового пространства, а множитель 2 учитывает две возможные проекции спина.
Величина энергии Ферми определяется условием:
n=
(10.1)
где n- плотность электронов (число электронов в единице объема).
Введем в пространство импульсов сферическую систему координат, в которой:
dpxdpydpz=p2dpsin
d
d
.
(11.1)
С учетом (11.1) равенство (10.1) принимает вид:
n=
(12.1)
Рис. 5.1. Элемент объёма соответствующий неопределенности трансляционного состояния в пространстве импульсов.
При вводе, новой переменной, с использованием равенства:
р2=2mE,
p=
dp=
получим:
n=
,
(13.1)
где,
N(E)=
,
(14.1)
плотность состояний на интервал энергии (E, E+dE)
При Т=0 функция распределения (рис. 3.1) равна 1 при E<Ef, равна нулю при E>Ef и имеет вид ступеньки. С учетом этого следует:
n=
,
(15.1)
и при Т=0 энергия Ферми определится как:
Ef=
(16.1)
Из (16.1) следует, что кинетическая энергия Ферми, зависит только от плотности электронов. Заметим также, что кинетическая энергия Ферми, определяемая выражением (16.1), представляет собой наибольшую трансляционную энергию электронов у верхней границы данного распределения и, следовательно, позволяет количественно определить ширину зоны через число электронов в ней. Величина (Ef) для простейших металлов с одним s-электроном (щелочные металлы Li, Na, К и др.) составляет приблизительно 3-5 эВ.