- •М инистерство образования российской федерации
- •Глава 1. Введение в электронную теорию твердого тела 5
- •Глава 2. Теория и практика эмиссионных процессов. 21
- •Глава 3. Электронно-вакуумные приборы с электростатическими полями 69
- •Глава 4. Теория и практика фокусировки и управления электронными пучками в электромагнитных полях 95
- •Глава 5. Электронно-лучевые приборы 133
- •Глава 6. Газоразрядная и плазменная электроника 158
- •Глава 1.
- •1.1.Энергия связи в твердом теле.
- •2.1. Металлическое состояние.
- •3.1. Состояние электрона в кристаллической решетке
- •4.1.Статистика электронов в кристаллической решетке металла.
- •5.1.Энергия Ферми.
- •6.1. Плотность электронных состояний.
- •7.1. Особенности зонной структуры ионных и ковалентных кристаллов.
- •8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
- •Глава 2.
- •1.2. Работа выхода электрона из твердых тел.
- •2.2. Термоэлектронная эмиссия
- •1.3. Термоэлектронные катоды.
- •1.1.3. Металлические катоды.
- •2.1.3. Пленочные катоды
- •3.1.3. Оксидные катоды.
- •4.1.3. Способы нагрева катодов.
- •4.2. Закон Лэнгмюра-Богуславского.
- •4.2. Эффект Шоттки.
- •6.2. Автоэлектронная эмиссия.
- •6.2. Взрывная эмиссия.
- •8.2 Автоэмиссионные катоды.
- •7.2. Вторичная электронная эмиссия
- •8.2. Фотоэлектронная эмиссия.
- •10.2 Фотокатоды.
- •1.10.2. Фотокатоды для видимой области спектра.
- •2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
- •3.10.2. Фотокатоды для инфракрасной области.
- •11.2 Аноды электронно-вакуумных приборов.
- •12.2 Управление электронным потоком
- •Глава 3.
- •1.3.Рентгеновские трубки.
- •Длина волны характеристических линий и потенциал возбуждения к-серии ряда элементов.
- •1.1.3 Области применения и конструктивные
- •2.1.3. Двухэлектродные трубки для просвечивания.
- •3.1.3. Импульсные рентгеновские трубки.
- •4.1.3. Трубки для диагностики биологических объектов.
- •5.1.3. Трубки для рентгенотерапии.
- •6.1.3. Рентгеновские трубки для радиационной химии
- •7.1.3. Рентгеноструктурный анализ.
- •8.1.3. Рентгеноспектральный анализ
- •9.1.3. Бескристальные спектрометры
- •2.3. Электронно-ионный микроскоп.
- •3.3. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 4
- •1.4.Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Уравнения движения.
- •2.4. Аналогия между движением заряженных частиц в электростатическом поле и распространением световых лучей в прозрачной среде.
- •3.4. Центрированные электронно-оптические системы.
- •4.4. Фокусировка электронных пучков в аксиально-симметричных
- •1.4.4. Катодная линза.
- •2.4.4. Электронные пушки.
- •3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
- •4.4.4. Электронный прожектор.
- •5.4.4. Электростатические системы управления электронным лучом.
- •6.4.4. Анализатор скорости заряженных частиц.
- •7.4.4. Осциллографическая трубка.
- •5.4. Фокусировка и управление потоком заряженных частиц в постоянных магнитных полях.
- •1.5.4. Конструкции магнитных линз.
- •2.5. 4. Дефекты электронно-оптических линз.
- •3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
- •Глава 5
- •1.5. Кинескопы.
- •2.5 Электронно-оптический преобразователь.
- •3.5. Электронные микроскопы.
- •1.3.5. Принцип работы электронных микроскопов.
- •2.3.5. Просвечивающие электронные микроскопы.
- •3.3.5. Рентгеновские микроанализаторы.
- •4.3.5. Растровые электронные микроскопы.
- •Глава 6.
- •1.6. Слабоионизированные газы.
- •2.6. Ионизация газа, находящегося в термодинамическом равновесии.
- •3.6. Диффузионный ток.
- •4.6. Проводимость
- •5.6. Ударная ионизация
- •6.6. Вольтамперная характеристики газового разряда.
- •1.6.6. Несамостоятельный газовый разряд.
- •2.6.6. Самостоятельный газовый разряд.
- •7.6. Газоразрядные приборы с холодным катодом
- •1.7.6. Дуговые разрядники.
- •2.7.6. Газоразрядные источники света.
- •3.7.6. Лампы тлеющего свечения (лтс).
- •4.7.6. Стабилитрон тлеющего разряда.
- •5.7.6. Многоэлектродные газоразрядные приборы тлеющего разряда.
- •6.7.6. Тиратрон тлеющего разряда.
- •7.7.6. Тиратроны дугового разряда.
- •8.6. Дисплеи с плазменной панелью.
- •1.8.6.Структура ячейки
3.5. Электронные микроскопы.
Электронный микроскоп имеет такое же назначение, как и его оптический аналог: он служит для получения увеличенных изображений предметов, невидимых вооруженным глазом. Причина того, что современный электронный микроскоп превосходит оптический, связана с различием в длине волны электронных и световых лучей.
В отсутствии иммерсии минимальное разрешаемое оптическим микроскопом расстояние между самосветящимися точками объекта (разрешающая способность микроскопа) определяется по формуле:
,
(3.5)
где /2-апертурный угол (рис. 6.5).
Если в микроскоп рассматриваются освещенные, а не самосветящиеся объекты, т.е. отдельные точки объекта, рассеивают падающие на них волны, исходящие из одной и той же точки источника, и, следовательно, свет, идущий из разных точек объекта, оказывается когерентным, то формула (3.5) принимает вид:
.
(4.5)
Рис.6.5. Апертурный угол.
Сопоставление формул (3.5) с (4.5) показывает, что различие несущественно. У современных оптических микроскопов sin(/2) доходит до 0,95, так что возможно разрешение деталей имеющих размер порядка длины волны света.
Для электронных лучей длина волны де-Бройля определяется из равенства:
,
(5.5)
где U-разность потенциалов, пройденная электронами, формирующими изображение. Величина U в этой формуле выражена в вольтах, а е в ангстремах. Если принять что ускоряющее напряжение U=100 кВ (обычное напряжение в современном электронном микроскопе), то е=0,04 . Это согласно формулам (4.5 и 5.5) означает, что электронный микроскоп может обладать в 105 раз лучшей разрешающей способностью, чем оптический. Однако в действительности из-за
ограничений (аберраций), обусловленных конструкцией электромагнитных линз и методиками приготовления образцов в повседневной работе на хорошем
электронном микроскопе может быть достигнуто разрешение около 10 .
Для полного использования разрешающей способности необходимо обеспечить большое увеличение. Однако даже при увеличениях (1000-2000) высокое разрешение электронного микроскопа дает возможность получать гораздо более четкие изображения, чем с помощью оптического микроскопа. Современные электронные микроскопы не только обладают огромным диапазоном увеличений (200 -500000), но и позволяют изучать образец с помощью методов электронной дифракции и темного поля, что дает существенную дополнительную информацию. В настоящее время электронная микроскопия является совершенно не заменимым методом в тех случаях, когда требуется проводить детальные исследования тонкой структуры вещества.
Теория и конструкции современных электронных микроскопов достаточно полно описаны в специальной литературе. В настоящем разделе представлено только в общих чертах, что такое электронный микроскоп, что с его помощью можно и чего нельзя сделать, а также в чем заключается электронно микроскопическое исследование тонкой структуры вещества.
