
- •А.В. Никитин, а.Л. Якимец основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •Введение
- •Лабораторная работа № 7 полупроводниковый диод
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Электронно-дырочный переход
- •1.2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
- •1.3. Стабилитрон
- •1.4. Туннельный диод
- •2. Описание экспериментальной установки и методика измерений
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 биполярный транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Физические процессы в транзисторе
- •1.2. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- •Биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •1.3. Эквивалентные схемы транзистора как четырехполюсника
- •1.4. Каскад с общим эмиттером. Методы задания рабочей точки
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 полевой транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и его характеристики
- •1.2. Усилительный каскад с общим истоком
- •1.3. Управляемые сопротивления на полевых транзисторах
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
- •Основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •400062, Г. Волгоград, ул. 2-я Продольная, 30.
2. Описание экспериментальной установки
Рис. 9. Лабораторный
макет
3. Порядок выполнения работы
При домашней подготовке изучить методические указания и нарисовать в лабораторном журнале функциональные схемы измерений семейства ВАХ полевого транзистора.
Включить перемычки вместо резисторов Rи и Rс, с помощью тумблера подключить затвор транзистора к источнику напряжения Eз, установить напряжение uси = E = 2 В и измерить управляющую ВАХ транзистора ic(uзи), изменяя напряжение источника Eз в диапазоне от 0 до –10 В. Измерения провести для 10–12 значений напряжения uзи. Для измерения напряжения uси использовать цифровой вольтметр.
Проделать п. 3.2 при значениях напряжения uси = E = 5 В и 10 В.
Построить семейство управляющих характеристик полевого транзистора
и по графикам определить начальный ток стока Iс0, напряжение отсечки Uотс и крутизну S транзистора.
Установить значение uзи = Eз = –5 В. Изменяя с помощью источника E напряжение uси в диапазоне от 0 до 10 В, снять выходную характеристику транзистора ic(uси). Измерения провести для 10–12 значений напряжения uси.
Проделать п. 3.5 для пяти значений напряжения uзи в диапазоне от 0 до –5 В.
Построить семейство выходных характеристик полевого транзистора
и по графикам оценить дифференциальное сопротивление стока rс (5).
На лабораторном макете собрать схему усилителя с общим истоком (рис. 5), для чего переключить тумблер в верхнее положение (при выключенном макете). Установить в гнездо резисторы Rи, Rс и Rз (по указанию преподавателя). Подключить к выходу усилителя в качестве нагрузки сопротивление 1–2 кОм и рассчитать по формуле 10 значение выходной емкости C2. Выбрать из имеющихся конденсаторов соответствующий расчету и установить его в разъем.
Включить макет и установить напряжение источника E равным 12–15 В. Подать на вход усилителя синусоидальный сигнал с частотой 1–50 кГц и с помощью осциллографа определить максимальную амплитуду входного сигнала, при которой усиление будет происходить без значительных искажений. Измерить коэффициент усиления построенного каскада как с нагрузкой, так и без нее. Сравнить измеренные значения с теоретическим, вычисленным по формуле (11).
Отчет должен содержать наименование и цель работы, краткий конспект теоретических сведений, функциональные схемы измерения ВАХ полевого транзистора, а также измеренные ВАХ и рассчитанные параметры транзистора.