4.8 Вах реальных транзисторов.

ВАХ реальных транзисторов отличается от идеализированных характеристик, полученных из модели Эберса – Молла.

Для реальных транзисторов необходимо учитывать зависимости

(4.28)

1 . -обратный ток реального коллекторного перехода содержит кроме теплового, токи термогенерации и утечки, увеличение напряжения сопровождается ростом тока и возникновением пробоя. Эти явления проявляются на всех кривых семейства.

2. - эффект Эрли – изменение ширины базы w при изменении ширины коллекторного перехода lк . Изменение ширины базы приводит к изменению отношения w/Lp, к изменению величины коэффициента переноса  и α.

Для увеличения  база должна быть тонкой и низколегированной. Коллекторный переход располагается почти полностью в области базы и расширяется при увел ичении напряжения на коллекторе в область базы. С ростом к ширина базы уменьшается. Чем меньше ширина базы ,тем быстрее инжектированные заряды проходят в коллектор , это равносильно увеличению коэффициента переноса  и .. На выходных ВАХ эффект Эрли проявляется в росте тока коллектора при увеличении обратного напряжения на коллекторе. В схеме включения ОЭ эффект Эрли является существенным фактором, определяющим вид ВАХ.

3. = f(Iэ)

1 -Область малых токов (резко снижается ). Из-за конечной скорости рекомбинации в базе при малых токах относительная доля рекомбинационной составляющей резко возрастает.

2-Область больших токов (γ падает). В p-n-p транзисторе инжектированные в базу дырки притягивают к эмиттеру электроны, которые создают дополнительную электронную составляющую тока эмиттера. Коэффициент инжекции уменьшается. Зависимость α от тока эмиттера приводит к неэквидистантности коллекторных характеристик. При Iэ=const Iкconst. Для маломощных транзисторов характерен участок 1, для мощных – участок 2.

Пример 1.

Iэ=(Eэ-UэБ)/Rэ=(10-0.7)/1=9.3мА

UкБ=-Ек+IкRк

Iк=αIэ+Iко=Iэ

UкБ=-10+9.3∙0.5=-5.3 В