Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
198
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
637 Кб
Скачать
☆

4.4 Модель Эберса – Молла биполярного транзистора.

Модель Эберса – Молла – наиболее распространенная физическая модель биполярного транзистора. Она описывает процессы в активной области транзистора, т. е. процессы взаимодействия переходов без учета сопротивлений слоев, учет которых существенно усложняют систему уравнений Эберса – Мола.

I1, I2 – собственные токи эмиттерного и коллекторного переходов.

NI1 - транзитная составляющая тока эмиттера, (индекc N -нормальный режим)

II2 - транзитная составляющая тока коллектора (индекc I -инверсный режим).

Первый з-н Кирхгофа

(4.9)

(4.10)

(4.11)

В соответствии с физическими процессами направления токов выбраны таким образом, чтобы в активном нормальном режиме все они были положительны.

Идеализированная ВАХ эмиттерного p-n перехода

(4.12)

(4.13)

IЭО - обратный ток эмиттера при коротком замыкании коллекторного перехода.

Из (4.13) при UКБ=0 I2=0.

Из (4.9) Iэ=I1

Из (4.12) при UЭБ/Т>>1 Iэ= IЭО

IКО- обратный ток коллектора, при кз эмиттерного перехода ( ).

Из (4.12) при UЭБ=0 I1=0.

Из (4.10) Iк= I2

Из (4.13) при UКБ/Т>>1 Iк= IКО

Идеальный режим КЗ активной области транзистора невозможно реализовать из-за влияния остаточных сопротивлений слоев. Поэтому модель приводится к параметрам, определяемым в режиме хх. Определяются значения обратных токов переходов в режиме обрыва противоположного перехода.

Из (4.10) при IК=0 I2 = N  I1.

Из (4.9) и (4.12)

При UЭБ/Т>>1 Iэ= IЭО

(4.14)

- обратный ток эмиттера при xx коллекторного перехода.

Из (4.9) при IЭ=0 I1 = I  I2.

Из (4.10) и (4.13)

При UКБ/Т>>1 Iк= IКО

(4.15)

- обратный ток коллекторного при ХХ эмиттерного перехода.

Система уравнений Эберса-Молла:

(4.16)

(4.17)

NIЭО = IIКО (4.18)

(4.19)

Точность применения модели Эберса-Молла определяется точностью определения параметров конкретного транзистора IЭО, IКО, N, I. При этом следует учитывать идеализацию модели – не учтены объемные сопротивления слоев, нелинейность параметров, пробой переходов и т.д.