- •Тема 4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы Конструкция. Режимы работы.
- •4.2 Зонные диаграммы биполярного транзистора.
- •4.3 Токи в транзисторе. Коэффициент передачи тока эмиттера. Коэффициент инжекции. Коэффициент переноса.
- •4.4 Модель Эберса – Молла биполярного транзистора.
- •4.5 Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Входные вах биполярного транзистора в схеме включения об.
- •4.7 Выходные вах биполярного транзистора в схеме с об.
- •4.8 Вах реальных транзисторов.
4.4 Модель Эберса – Молла биполярного транзистора.
Модель Эберса – Молла – наиболее распространенная физическая модель биполярного транзистора. Она описывает процессы в активной области транзистора, т. е. процессы взаимодействия переходов без учета сопротивлений слоев, учет которых существенно усложняют систему уравнений Эберса – Мола.
I1, I2 – собственные токи эмиттерного и коллекторного переходов.
NI1 - транзитная составляющая тока эмиттера, (индекc N -нормальный режим)
II2 - транзитная составляющая тока коллектора (индекc I -инверсный режим).
Первый з-н Кирхгофа
(4.9)
(4.10)
(4.11)
В соответствии с физическими процессами направления токов выбраны таким образом, чтобы в активном нормальном режиме все они были положительны.
Идеализированная ВАХ эмиттерного p-n перехода
(4.12)
(4.13)
IЭО - обратный ток эмиттера при коротком замыкании коллекторного перехода.
Из (4.13) при UКБ=0 I2=0.
Из (4.9) Iэ=I1
Из (4.12) при UЭБ/Т>>1 Iэ= IЭО
IКО-
обратный ток коллектора, при кз эмиттерного
перехода (
).
Из (4.12) при UЭБ=0 I1=0.
Из (4.10) Iк= I2
Из (4.13) при UКБ/Т>>1 Iк= IКО
Идеальный режим КЗ активной области транзистора невозможно реализовать из-за влияния остаточных сопротивлений слоев. Поэтому модель приводится к параметрам, определяемым в режиме хх. Определяются значения обратных токов переходов в режиме обрыва противоположного перехода.
Из (4.10) при IК=0 I2 = N I1.
Из (4.9) и (4.12)
При UЭБ/Т>>1 Iэ= IЭО
(4.14)
- обратный ток
эмиттера при xx
коллекторного перехода.
Из (4.9) при IЭ=0 I1 = I I2.
Из (4.10) и (4.13)
При UКБ/Т>>1 Iк= IКО
(4.15)
- обратный ток
коллекторного при ХХ эмиттерного
перехода.
Система уравнений Эберса-Молла:
(4.16)
(4.17)
NIЭО = IIКО (4.18)
(4.19)
Точность применения модели Эберса-Молла определяется точностью определения параметров конкретного транзистора IЭО, IКО, N, I. При этом следует учитывать идеализацию модели – не учтены объемные сопротивления слоев, нелинейность параметров, пробой переходов и т.д.
