Лекции по гетеропереходам / курс лекций физика и технология полупроводниковых наноструктур / 24_КТ лазеры
.pdf
|
4 |
|
|
|
|
ground state |
|
|
|
1st excited state |
|
|
3 |
2nd excited state |
|
|
total |
|
|
|
|
|
|
a.u. |
2 |
|
|
Gain, |
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
0 |
|
|
|
1 |
10 |
100 |
Current density, a.u.
Схематический вид зависимости оптического усиления от плотности тока для КТ-активной области при наличии нескольких возбужденных состояний
А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 24, стр. 21
Если внутренние потери превышают насыщенное усиление на основном состоянии, наблюдение лазерной генерации через основное состояние будет невозможно ни при какой конструкции лазерного резонатора. Эта ситуация зачастую реализуется в КТ-лазерах на основе 1 ряда КТ.
Поскольку внутренние потери типично возрастают с температурой, при увеличении температуры возможно наблюдать последовательный переход к генерации через более высокие возбужденные состояния.
А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 24, стр. 22
|
|
N=1 |
|
|
|
2500 |
2 |
|
1,30 |
|
|
|
|
А/см |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2000 |
, |
|
1,25 |
|
|
|
|
th |
|
|
|
|
|
|
|
J |
|
Длина волны, мкм |
1,20 |
GS |
|
|
|
1500 |
Пороговая плотность тока |
|
|
|
|
||||
1,15 |
|
ES1 |
|
|
1000 |
||
|
|
|
|
|
|||
1,10 |
|
|
|
|
|
||
|
|
ES2 |
|
|
500 |
||
1,05 |
|
|
|
|
|||
|
|
ES3 |
|
|
|||
|
|
|
|
QW |
|||
1,00 |
|
|
|
|
|||
|
100 |
150 |
200 |
250 |
0 |
|
|
|
|
300 |
|
||||
|
|
|
Температура, К |
|
|
||
Температурная зависимость пороговой плотности тока и длины волны генерации в 4-хсколотом лазере с одним слоем КТ.
А.Е.Жуков, Физика и технология полупроводниковых наноструктур, гл. 24, стр. 23