- •2. Основы технологии формообразования отливок из черных и цветных сплавов.
- •3. Основы технологии формообразования поковок, штамповок, листовых оболочек.
- •4. Выбор способа получения штамповок
- •5. Основы технологии формообразования сварных конструкций из различных сплавов. Понятие о технологичности заготовок.
- •6. Пайка материалов.
- •7. Основы технологии формообразования поверхностей деталей механической обработкой, электрофизическими и электрохимическими способами обработки.
- •8. Понятие о технологичности деталей.
- •1 Закономерности и связи, проявляющиеся в процессе проектирования и создания машин.
- •Методы разработки технологического процесса изготовления машины.
- •3. Принципы построения производственного процесса изготовления машины.
- •4. Технология сборки.
- •5. Разработка технологического процесса изготовления деталей.
- •1.Основы проектирования механизмов. Стадии разработки.
- •2. Критерии работоспособности машин. Принцип расчёта деталей, подверженных износу.
- •3. Механические передачи
- •5. Подшипники качения и скольжения.
- •Классификация по конструктивным признакам
- •6. Соединения деталей
- •7. Муфты механических приводов
- •1.Принципы технического регулирования.
- •2. Технические регламенты.
- •3. Стандартизация.
- •4. Подтверждение соответствия.
- •5. Государственный контроль (надзор) за соблюдением требований технических регламентов.
- •6.Метрология. Прямые и косвенные измерения.
- •2. Системы счисления. Представление чисел в позиционных и непозиционных системах
- •3. Системы счисления. Перевод чисел из одной системы счисления в другую.
- •4. Представление чисел в эвм.
- •5. Принципы организации вычислительного процесса. Алгоритм Фон-Неймана.
- •6. Принципы организации вычислительного процесса. Гарвардская архитектура эвм.
- •7 Архитектура и устройство базовой эвм.
- •8 Адресация оперативной памяти. Сегментные регистры.
- •9 Система команд процессора i32. Способы адресации.
- •10 Система команд процессора i32. Машинная обработка. Байт способа адресации.
- •11 Разветвляющий вычислительный процесс.
- •12 Циклический вычислительный процесс
- •13 Рекурсивный вычислительный процесс.
- •8 Функции процессора, памяти, устройств ввода-вывода. Функции процессора
- •Методы адресации
- •11. Базовый функциональный блок микроконтроллера включает:
- •15. Модули последовательного ввода/вывода
- •20. Dsp/bios
- •21. Xdias
- •22. Программируемый логический контроллер
- •23. Языки программирования логических контроллеров
- •2.Биполярный транзистор.
- •3. Полевой транзистор
- •4. Управление силовыми транзисторами
- •5. Цепи формирования траектории рабочей точки транзистора
- •6. Цфтрт с рекуперацией энергии
- •7. Последовательное соединение приборов
- •8. Параллельное соединение приборов.
- •9. Защита силовых приборов от сверхтока.
- •10. Защита силовых приборов от перенапряжения.
- •11. Расчет драйвера igbt-транзистора.
- •Трансформаторы.
- •2. Машины постоянного тока.
- •3. Асинхронные и синхронные машины.
- •4. Элементная база современных электронных устройств.
- •5. Усилители электрических сигналов.
- •6. Основы цифровой электроники.
- •4. Объектно-ориентированное программирование.
- •Описание функций в теле класса
- •Константные функции-члены
4. Управление силовыми транзисторами
Биполярный транзистор - прибор управляемый током. Для того чтобы вызвать протекание тока коллектора, необходимо обеспечить протекание управляющего тока базы, требуемое значение которого определяется коэффициентом усиления, который мал у высоковольтных силовых транзисторов.
Биполярный транзистор управляется с помощью следующих схем:
схема а) Входной транзистор p-n-p-типа обеспечивает связь с открытым коллектором ТТЛ. Для ускорения выключения силового транзистора используется источник запирающего смещения.
схема б) Для уменьшениярассеиваемой мощности в схеме управления можно использовать комплементарные транзисторы. Если транзистор VT1 насыщен, то VT2 проводит ток. Транзистор VT3 при эжтом заперт, тк его эмиттер имеет более отрицательный потенциал относительно базы. Конденсатор С заряжается базовым током силового транзистора, обеспечивая его ускоренное отпирание. После запирания транзисторов VT1 и VT2, транзистор VT3 отпирается под действием напряжения на конденсаторе, который, разряжаясь, обеспечивает запирающий базовый ток силового транзистора.
схема в) С помощью нелинейной обратной связи исключается возможность насыщения транзисторов Тt и Т, что увеличивает быстродействие устройства. С помощью катушки с индуктивностью L контролируется скорость нарастания запирающего тока базы силового транзистора.
МДП-транзистор управляется напряжением. Для того, чтобы вызвать протекание тока стока МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа, необходимо обеспечить положитнльное смещение затвора относительно истока
Может управляться непосредственно выходным напряжением логических интегральных микросхем.
Варианты управления:
1.С помощью микросхем
КМДП - комплементарный металл, диэлектрик, полупроводник.
2. КМДП
Если 0, то 2 тр-р открытии 3 разряжается быстро. Если 1, то открыт 1 и напряжение питания заряжает затвор 3.
3.ТТЛ микросхема с дополнительным резистором, уменьшающим его сопротивление.
4. ТТЛ с открытым коллектором
5. Схема управления с обратной развязкой.
6.Схема управления ключом на КМДП-транзисторах.
7.Схема управления с трансформаторной развязкой.
W=0,5Qg Ugs
Qg - заряд затвора при включающем напряжении затвора.
Мощность, которая затрачивается на переключение:
P= Qg Ugs As
As – частота переключения
Ig = Qg \ t – изменение заряда во времени (средний ток затвора): чем меньше время переключения, тем больше ток должен быть.
Rg = Ugs t\ Qg Rg должно быть меньше 10 Ом
5. Цепи формирования траектории рабочей точки транзистора
Необходимы для снижения выделяющейся в транзисторе мощности, предотвращения всплесков тока и напряжения, а, следовательно, возможности его вторичногопробоя. При работе транзистора на индуктивную нагрузку как при включении так и выключении тока возникают ситуации, когда течет максимальный ток коллектора при напряжении на коллекторе, равном напряжению питания. Мгновенне значения выделяющейся в транзисторе мощности. Мгновенные значения выделяющейся мощности не в эти промежутки времени очень велики. Схема управления не может предотвратить такие режимы.
Вылеяющеяся энергия:
на этапе включения
выключения
На рисунках а и б приведены схемы ЦФТРТ, работающие на этапах включения и выключения. На схеме А конденсатор А, включенный параллельно транзистору, препятствует быстрому нарастанию коллекторного напряжения при выключении, поэтому ток коллектора успевает значительно снизиться, прежде чем нарастет напряжение. На схеме Б индуктивность L, включенная последовательно в цепь коллектора, не позволяет току быстро нарастать. Для обеих схем траектория рабочей точки VT ключа с индуктивной нагрузкой определяется в области максимальных режимов транзистора
Практическое применение нашла объединенная ЦФТРТ, она применяется на этапах включения и выключения. При включении транзистора ток катушки заряжает Сs через диод. Напряжение на коллекторе растёт так же как на Сs и тем медленнее, чем больше ёмкость Сs. При включении транзистора через коллектор течёт ток конденсатора через сопротивление Rs, конденсатор разряжается. При использовании ЦФТРТ токи уменьшаются, а напряжение растет. Энергия E=CU2\2 рассеивается на Rs, когда конденсатор разряжается, т.е. на этапе включения транзистора. Суммарные потери мощности ЦФТРТ могут иметь минимум в зависимости от ёмкости конденсатора.