- •1. Общие понятия и определения электрических цепей
- •3. Законы ома и кирхгофа
- •4. Основные топологические понятия и определения
- •5. Источники электрической энергии
- •6. Приемники электрической энергии
- •7. Анализ электрических цепей методом контурных токов
- •8. Анализ электрических цепей методом эквивалентных преобразований
- •9. Электрическая цепь. Ее преобразование и определение входных сопротивлений
- •10. Основные параметры синусоидального тока
- •11. Символический метод анализа цепей синусоидального тока.
- •12. Представление синусоидального тока (напряжения) радиус-вектором
- •13. Комплексное сопротивление
- •15. Мощность трехфазных цепей
- •16. Основные физические величины и соотношения
- •17. Характеристика магнитных свойств ферромагнитных материалов
- •24. Мощность трехфазных цепей
- •25. Общие сведения о трансформаторах
- •26. Принцип работы однофазных трансформаторов
- •27. Режимы работы трансформаторов
- •28. Полупроводниковые приборы
- •Классификация полупроводниковых электронных приборов
- •29. Основные параметры и типы полупроводниковых диодов
- •30. Биполярные транзисторы
- •31. Полевые транзисторы
- •33. Интегральные микросхемы (имс)
- •34. Классификация выпрямителей
- •35. Однополупериодные выпрямители
- •36. Двухполупериодные выпрямители
- •Вопрос 37. Сглаживающие фильтры
- •Вопрос 38. Стабилизаторы напряжения
- •Вопрос 39.Двигатели постоянного тока.
- •Вопрос 40.Принцип действия дпт.
- •Вопрос 41. Асинхронные двигатели
28. Полупроводниковые приборы
Электроника – это наука, изучающая принципы построения, работы и применения различных электронных приборов. Именно применение электронных приборов позволяет построить устройства, обладающие полезными для практических целей функциями – усиление электрических сигналов, передачу и прием информации (звук, текст, изображение), измерение параметров, и т.д.
Классификация полупроводниковых электронных приборов
Полупроводниковые приборы разделяют по их функциональному назначению, а также по количеству электронно-дырочных переходов. Напоминаю, что электронно-дырочный переход это промежуточный переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n-типа), а другая – дырочную (р-типа). Вся совокупность полупроводниковых приборов разделяется на беспереходные, с одним, двумя и более переходами (рис 12.1)
Применение беспереходных приборов основано на использовании физических процессов, происходящих в объеме полупроводникового материала. Приборы, в которых используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры, называются термисторами. В эту группу приборов входят терморезисторы (их сопротивление на несколько порядков падает при увеличении температуры), а также позисторы (их сопротивление увеличивается с увеличением температуры). Терморезисторы и позисторы применяются для измерения и регулирования температуры, в цепях автоматики и т.д.
В качестве нелинейных сопротивлений применяются полупроводниковые приборы, в которых используется зависимость сопротивления от величины приложенного напряжения. Такие приборы называются варисторами. Их применяют для защиты электрических цепей от перенапряжения, в цепях стабилизации и преобразования физических величин.
Фоторезистор, это прибор, в светочувствительном слое которого при облучении светом возникает избыточная концентрация электронов, а значит их сопротивление уменьшается.
Большую группу представляют полупроводниковые приборы с одним р-n переходом и двумя выводами для включения в схему. Их общее название – диоды. Различают диоды выпрямительные, импульсные и универсальные. К этой группе относятся стабилитроны (они применяются для стабилизации токов и напряжений за счет значительного изменения дифференциального сопротивления пробитого р -n перехода). Варикапы (емкость их р-n перехода зависит от величины приложенного напряжения), фото и светодиоды и т.п.
Полупроводниковые приборы с двумя и более р-n переходами, тремя и более выводами называются транзисторами. Очень большое количество транзисторов, различающихся по функциональным и другим свойствам, разделяют на две группы – биполярные и полевые. К этой же группе приборов (с тремя и более р-n переходами) можно отнести приборы переключения – тиристоры.
Самостоятельную группу приборов представляют интегральные микросхемы (ИМС). ИМС – это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования или обработки сигнала (усиление, генерация, АЦП и т.д.) Они могут содержать десятки и сотни р-n переходов и других электрически соединенных элементов. Все интегральные микросхемы делятся на два сильно отличающихся друг от друга класса :
полупроводниковые ИМС гибридные ИМС. Полупроводниковые ИМС имеют высокую степень интеграции, малую массу и габариты.