Политехнический колледж № 39

УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР ___________________ Стрельникова Т.А.	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 27 Дисциплина: Электронная техника	СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии _______________ Жданова И.М.
«___» апреля 2010 г.	Группы: ВМ-25, ВМ-21	«___» апреля 2010 г.

1. Сглаживающие фильтры: классификация, типы.

2. Интегральные микросхемы. Классификация, параметры, обозначения

• ИМС – устройство с высокой плотностью упаковки электрически связанных элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и проч.), выполняющее заданную функцию обработки (преобразования) электрических сигналов, изготовленные в едином технологическом процессе и заключенные в общий корпус.

• ИМС можно рассматривать как самостоятельные комплектующие изделия.

1. В зависимости от технологии изготовления существуют:

1.1. Пленочные;

1.2. Полупроводниковые;

1.3. Микросборки.

2. В зависимости от количества элементов ИМС

делят по степеням интеграции

2.1. Первой степени – до 10 элементов;

2.2. Второй степени – от 11 до 100 элемент.;

2.3. Третьей – от 101 до 1000 и т. д.

2.4. Свыше 1000 элементов – большие ИМС

3. По функциональному назначению

3.1. Логические (цифровые);

3.2. Аналоговые (линейно-импульсные);

4. По расположению элементов

4.1. Полупроводниковые (активные и пассивные элементы выполняются в виде сочетания неразъемно связанных p-n-переходов в одном ПП кристалле);

4.2. Гибридные ИМС, содержащая подложку (диэлектрическое основание), пассивные элементы на которой выполняют в виде однослойных или многослойных пленочных структур, соединенных пленочными проводниками, а ПП приборы и др. компоненты размещены на подложке в виде дискретных деталей

ПИМС. Исходный материал – пластины кремния или арсенида галлия толщиной до 50 мкм и диаметром до 100 мкм.

Все активные и пассивные элементы ПИМС , созданные в едином кристалле, должны быть электрически изолированы друг от друга и в же время соединены между собой в соответствии с функциональным назначением микросхемы.

Планарно-диффузионная технология. Кремний n- типа окисляется и на нем образуется пленка SiO_2. Далее способом фотолитографии изготавливают первую оксидную маску, для чего в пленке вытравливают канавки по числу необходимых p-n-переходов. Для этого защитный слой покрывают тонким слоем светочувствительной эмульсии – фоторезиста, на поверхность которого проектируют требуемый рисунок маски. Изображение проявляется и засвеченные участки фоторезиста стравливаются, обнажая защитный слой. С помощью травления обнаженные участки защитного слоя растворяют и формируют требуемую совокупность окон. Через полученные окна производят диффузию необходимых примесей в исходную подложку кремния .